目次
第1章 調査方法と調査範囲
1.1. 調査方法のセグメンテーションと調査範囲
1.2. 情報調達
1.2.1. 外部データベース
1.2.2. GVR社内データベース
1.2.3. 二次情報源と第三者の視点
1.2.4. 一次調査
1.3. 情報分析
1.3.1. データ分析モデル
1.4. 市場形成とデータ可視化
1.5. データ検証と公開
第2章 エグゼクティブサマリー
2.1. High-k膜およびCVD ALD膜用金属前駆体市場 – 業界スナップショット、2018年~2030年
第3章 High-k膜およびCVD ALD膜用金属前駆体市場の変数、トレンド、および調査範囲
3.1.市場規模と成長見通し、2018年~2030年
3.2. 業界バリューチェーン分析
3.3. 市場ダイナミクス
3.3.1. 市場牽引要因分析
3.3.2. 市場抑制要因/課題分析
3.3.3. 市場機会分析
3.4. 市場浸透率と成長見通しマッピング(主要機会の優先順位付け)
3.5. 事業環境分析ツール
3.5.1. 業界分析 – ポーターのファイブフォース分析
3.5.2. PEST分析
3.5.3. COVID-19の影響分析
第4章 High-k膜およびCVD ALD用金属前駆体市場:技術展望
4.1. 市場規模の推定・予測およびトレンド分析、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
4.2.インターコネクト
4.2.1. 地域別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
4.3. コンデンサ
4.3.1. 地域別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
4.4. ゲート
4.4.1. 地域別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
第5章 High-k膜およびCVD ALD用金属前駆体市場:地域別展望
5.1. High-k膜およびCVD ALD用金属前駆体市場、地域別、2020年および2030年
5.2. 北米
5.2.1.技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.2.2. 米国
5.2.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.2.3. カナダ
5.2.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3. 欧州
5.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3.2. 英国
5.3.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3.3.ドイツ
5.3.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.3.4. その他ヨーロッパ
5.3.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4. アジア太平洋地域
5.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.2. 中国
5.4.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.3. インド
5.4.3.1.技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.4. 日本
5.4.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.4.5. その他アジア太平洋地域
5.4.5.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5. 中南米
5.5.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5.2. ブラジル
5.5.2.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5.3.メキシコ
5.5.3.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.5.4. その他ラテンアメリカ
5.5.4.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
5.6. 中東およびアフリカ
5.6.1. 技術別市場推定および予測、2018年~2030年(売上高、百万米ドル)
第6章 競争環境
6.1. エア・リキード
6.1.1. 会社概要
6.1.2. 財務実績
6.1.3. 製品ベンチマーク
6.1.4. 最近の動向
6.2. ADEKA株式会社
6.2.1. 会社概要
6.2.2.製品ベンチマーク
6.2.3. 最近の動向
6.3. エア・プロダクト・アンド・ケミカルズ社
6.3.1. 会社概要
6.3.2. 財務実績
6.3.3. 製品ベンチマーク
6.3.4. 最近の動向
6.4. コルナテック社
6.4.1. 会社概要
6.4.2. 財務実績
6.4.3. 製品ベンチマーク
6.4.4. 最近の動向
6.5. ダウ・ケミカル社
6.5.1. 会社概要
6.5.2. 財務実績
6.5.3. 製品ベンチマーク
6.5.4. 最近の動向
6.6. リンデ社
6.6.1. 会社概要
6.6.2. 財務実績
6.6.3.製品ベンチマーク
6.6.4. 最近の動向
6.7. Merck KGAA
6.7.1. 会社概要
6.7.2. 財務実績
6.7.3. 製品ベンチマーク
6.7.4. 最近の動向
6.8. Nanmat Technology Co. Ltd.
6.8.1. 会社概要
6.8.2. 財務実績
6.8.3. 製品ベンチマーク
6.8.4. 最近の動向
6.9. Praxair
6.9.1. 会社概要
6.9.2. 財務実績
6.9.3. 製品ベンチマーク
6.9.4. 最近の動向
6.10. Samsung
6.10.1. 会社概要
6.10.2. 財務実績
6.10.3.製品ベンチマーク
6.10.4. 最近の動向
6.11. Strem Chemicals, Inc.
6.11.1. 会社概要
6.11.2. 財務実績
6.11.3. 製品ベンチマーク
6.11.4. 最近の動向
6.12. Tri Chemical Laboratories Inc.
6.12.1. 会社概要
6.12.2. 財務実績
6.12.3. 製品ベンチマーク
6.12.4. 最近の動向
Table of ContentsChapter 1. Methodology and Scope
1.1. Methodology Segmentation & Scope
1.2. Information Procurement
1.2.1. Purchased database
1.2.2. GVR’s internal database
1.2.3. Secondary sources & third-party perspectives
1.2.4. Primary research
1.3. Information Analysis
1.3.1. Data analysis models
1.4. Market Formulation & Data Visualization
1.5. Data Validation & Publishing
Chapter 2. Executive Summary
2.1. High-k And CVD ALD Metal Precursors Market - Industry Snapshot, 2018 - 2030
Chapter 3. High-k And CVD ALD Metal Precursors Market Variables, Trends & Scope
3.1. Market Size and Growth Prospects, 2018 - 2030
3.2. Industry Value Chain Analysis
3.3. Market Dynamics
3.3.1. Market Driver Analysis
3.3.2. Market Restraint/Challenge Analysis
3.3.3. Market Opportunity Analysis
3.4. Penetration & Growth Prospect Mapping (Key Opportunities Prioritized)
3.5. Business Environment Analysis Tools
3.5.1. Industry Analysis - Porter's Five Forces Analysis
3.5.2. PEST Analysis
3.5.3. COVID-19 Impact Analysis
Chapter 4. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market: Technology Outlook
4.1. Market Size Estimates & Forecasts and Trend Analysis, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.2. Interconnect
4.2.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.3. Capacitors
4.3.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
4.4. Gates
4.4.1. Market estimates and forecasts by region, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
Chapter 5. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market: Regional Outlook
5.1. High-k and CVD ALD Metal Precursors Market, By Region, 2020 & 2030
5.2. North America
5.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.2.2. U.S.
5.2.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.2.3. Canada
5.2.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3. Europe
5.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.2. U.K.
5.3.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.3. Germany
5.3.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.3.4. Rest of Europe
5.3.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4. Asia Pacific
5.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.2. China
5.4.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.3. India
5.4.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.4. Japan
5.4.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.4.5. Rest of Asia Pacific
5.4.5.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5. Latin America
5.5.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.2. Brazil
5.5.2.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.3. Mexico
5.5.3.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.5.4. Rest of Latin America
5.5.4.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
5.6. Middle East & Africa
5.6.1. Market estimates and forecasts by technology, 2018 - 2030 (Revenue, USD Million)
Chapter 6. Competitive Landscape
6.1. Air Liquide
6.1.1. Company overview
6.1.2. Financial performance
6.1.3. Product benchmarking
6.1.4. Recent developments
6.2. Adeka Corporation
6.2.1. Company overview
6.2.2. Product benchmarking
6.2.3. Recent developments
6.3. Air Product & Chemicals, Inc.
6.3.1. Company overview
6.3.2. Financial performance
6.3.3. Product benchmarking
6.3.4. Recent developments
6.4. Colnatec
6.4.1. Company overview
6.4.2. Financial performance
6.4.3. Product benchmarking
6.4.4. Recent developments
6.5. Dow Chemical
6.5.1. Company overview
6.5.2. Financial performance
6.5.3. Product benchmarking
6.5.4. Recent developments
6.6. Linde
6.6.1. Company overview
6.6.2. Financial performance
6.6.3. Product benchmarking
6.6.4. Recent developments
6.7. Merck KGAA
6.7.1. Company overview
6.7.2. Financial performance
6.7.3. Product benchmarking
6.7.4. Recent developments
6.8. Nanmat Technology Co. Ltd.
6.8.1. Company overview
6.8.2. Financial performance
6.8.3. Product benchmarking
6.8.4. Recent developments
6.9. Praxair
6.9.1. Company overview
6.9.2. Financial performance
6.9.3. Product benchmarking
6.9.4. Recent developments
6.10. Samsung
6.10.1. Company overview
6.10.2. Financial performance
6.10.3. Product benchmarking
6.10.4. Recent developments
6.11. Strem Chemicals, Inc.
6.11.1. Company overview
6.11.2. Financial performance
6.11.3. Product benchmarking
6.11.4. Recent developments
6.12. Tri Chemical Laboratories Inc.
6.12.1. Company overview
6.12.2. Financial performance
6.12.3. Product benchmarking
6.12.4. Recent developments
| ※参考情報 High-k材料とCVD(化学蒸着法)およびALD(原子層堆積法)金属前駆体は、半導体デバイスやナノテクノロジーにおいて非常に重要な役割を果たしています。High-k材料は、従来のシリコン酸化物に代わる誘電体として用いられ、トランジスタのスケーリングにおいて性能向上を実現します。 まず、High-k材料の定義についてですが、これは誘電体の絶縁性が高い材料を指し、特に誘電率が高いことが特徴です。一般的に、高誘電率(High-k)とは、誘電率が約20以上の材料を指します。これに対して、シリコン酸化物は誘電率が約3.9であり、高い誘電率を持つHigh-k材料は、より薄い絶縁層を持ちながらも、高い機能を維持できるため、より高密度なトランジスタの設計を可能にします。 次に、CVDとALDについて説明します。CVDは、基板の表面に薄膜を形成するためのプロセスで、気体状の前駆体を基板上に反応させて固体の薄膜を形成します。このプロセスは、均一な膜厚を持つ材料を得ることができ、自動車や電子機器向けの多様な応用があります。また、ALDは、一層ずつナノスケールで膜を形成する手法で、非常に高い精度で膜厚を制御できます。このため、ALDは複雑な形状の基板に対しても均一な被膜を形成できるため、最近では特に需要が高まっています。 High-k材料の一部として、ハフニウム酸化物(HfO2)、ジルコニウム酸化物(ZrO2)、タングステン酸化物(WO3)などが使用されています。これらの材料は、特にCMOSデバイスやメモリデバイスの性能を向上させるために広く利用されています。特にハフニウム酸化物は、トランジスタのゲート絶縁膜として使用され、漏れ電流の低減やスイッチング特性の改善に寄与します。 一方で、CVDおよびALDで使用される金属前駆体は、薄膜形成の出発点となる化合物で、多様な金属をデポジションするために用いられます。代表的な金属前駆体には、タングステン、コバルト、ニッケル、プラチナなどがあります。これらは、特定の金属や合金を形成するのに重要であり、特にトランジスタのソース、ドレイン領域や接続用電極に使用されます。前駆体の選択は、成膜したい材料の特性や膜厚、成長速度に大きな影響を与えるため、プロセスの最適化が重要です。 High-k材料や金属前駆体の使用は、微細化と高集積化が進む半導体デバイスで重要なポイントです。デバイスサイズが小さくなるにつれ、これらの材料は、より少ないエネルギーで高い性能を実現するための鍵となります。また、これらの技術は、次世代のフィンFETや3D NANDフラッシュメモリなど、新しいアーキテクチャの実現にも寄与します。 さらに関連技術として、ナノインプリントリソグラフィや電子ビームリソグラフィなど、新しいパターン形成技術も注目されています。これにより、より高精度なパターンを形成し、デバイスの集積度をさらに高めることが可能になります。 総じて、High-kとCVD ALD金属前駆体は、現代の半導体技術において不可欠な要素であり、未来のデバイスにおける性能向上や新しい応用を探るための基本的な構成要素となっています。これらの技術の進歩によって、次世代のテクノロジーへの道が開かれることが期待されています。 |
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