■ 英語タイトル：Semiconductor And Electronic Parts Manufacturing Market Size & Share Analysis - Growth Trends and Forecast (2026 - 2031)
	■ 発行会社/調査会社：Mordor Intelligence ■ 商品コード：MOR23AP200 ■ 発行日：2026年2月 ■ 調査対象地域：アメリカ、カナダ、イギリス、イタリア、ドイツ、フランス、中国、日本、韓国、インド ■ 産業分野：半導体 ■ ページ数：120 ■ レポート言語：英語 ■ レポート形式：PDF ■ 納品方式：Eメール（受注後2-3営業日）

半導体および電子部品製造市場の規模とシェア
## 市場概要

### 研究期間
2020年から2031年

### 市場規模
– 2026年：5,926.2億米ドル
– 2031年：9,295.2億米ドル

### 成長率
– 2026年から2031年までの年平均成長率（CAGR）：9.42%

### 最も成長が著しい市場
– 北米

### 最大の市場
– アジア太平洋地域

### 市場集中度
– 中程度

### 主要プレーヤー
*免責事項：主要プレーヤーは特定の順序で並べられていません。

### 画像著作権
© Mordor Intelligence. 再利用にはCC BY 4.0の下での帰属が必要です。

## 半導体および電子部品製造市場の分析（Mordor Intelligenceによる）

半導体および電子部品製造市場の規模は、2025年の513.76億米ドルから2026年には592.62億米ドルに成長し、2031年には929.52億米ドルに達する見込みです。この成長は、2026年から2031年までの期間において9.42%のCAGRを示しており、2000年代中頃以来の最も急速な絶対的価値の創出を示しています。これは、パンデミック後の回復ではなく、構造的なサプライチェーンの再調整が資本形成を促進していることを確認しています。人工知能（AI）インフラの加速的な展開は、半導体アーキテクチャの優先順位を再定義し、追加のノード縮小よりも高帯域幅メモリと先進的なパッケージングを優先しています。輸送の電動化の強化と、化合物半導体パワーデバイスへの移行は、シリコンカーバイド（SiC）および窒化ガリウム（GaN）におけるプレミアム収益プールを解放しています。アメリカのCHIPS法や欧州連合のチップ法などの国家補助プログラムは、製造建設パイプラインに1000億米ドル以上の直接インセンティブを投入し、30年前にこれらの地域から退出した生産の一部を再度国内に戻す効果を持っています。

### 同時に、フレンドショアリング戦略は、ベトナム、インド、メキシコにおける成熟ノードのキャパシティを拡大しており、輸出管理体制は垂直統合されたリーダーに有利なコンプライアンスのハードルを引き上げています。リスク要因には、地政学的制約の高まりや、7nm未満の技術に特化したプロセスエンジニアの不足が含まれます。

## 主要なレポートの要点

### 製品タイプ別
– ロジックICが2025年に36.54%の収益シェアを占め、2026年から2031年にかけてディスクリートおよびパワーセグメントは10.42%のCAGRを記録する見込みです。

### コンポーネント別
– 設備は2025年に51.26%の収益を占め、サービスは2026年から2031年にかけて10.15%のCAGRで成長する見込みです。

### アプリケーション別
– 通信およびネットワーキングは2025年に30.68%の収益を占め、データセンターおよびクラウドソリューションは2031年までに10.86%のCAGRで成長すると予測されています。

### 技術ノード別
– 7nm未満は2025年の収益の43.48%を占め、2031年までに9.88%のCAGRで拡大する見込みです。

### 地理別
– アジア太平洋地域は2025年の収益の49.66%を占め、北米は2031年までに最も速い地域CAGRの11.26%を記録すると予想されています。

*注：このレポートの市場規模および予測数値は、2026年1月時点での最新のデータと洞察を使用してMordor Intelligenceの独自の推定フレームワークを用いて生成されています。

## グローバル半導体および電子部品製造市場のトレンドと洞察

### ドライバー影響分析

#### ドライバー
– AI主導の高帯域幅コンピュート需要
– CAGR予測への影響：+2.8%
– 地理的関連性：グローバル、北米および東アジアに集中
– 影響タイムライン：中期（2～4年）

– 輸送の電動化によるSiC/GaNコンテンツの増加
– CAGR予測への影響：+1.9%
– 地理的関連性：グローバル、欧州、中国、北米が主導
– 影響タイムライン：長期（4年以上）

– 政府のファブ補助金競争（CHIPS、EUチップ、Kチップなど）
– CAGR予測への影響：+2.1%
– 地理的関連性：北米、欧州、韓国、日本
– 影響タイムライン：短期（2年以内）

– 5GおよびエッジIoTデバイスの普及
– CAGR予測への影響：+1.2%
– 地理的関連性：アジア太平洋地域が中心、中東およびアフリカに波及
– 影響タイムライン：中期（2～4年）

– チップレットおよび3D異種統合によるノード非依存の成長加速
– CAGR予測への影響：+0.9%
– 地理的関連性：グローバル、北米および台湾に研究開発拠点
– 影響タイムライン：長期（4年以上）

– フレンドショアリングによる重要なレガシーノードキャパシティの複製
– CAGR予測への影響：+0.5%
– 地理的関連性：北米、欧州、東南アジア
– 影響タイムライン：中期（2～4年）

### AI主導の高帯域幅コンピュート需要
2025年の高帯域幅メモリ（HBM）の出荷量は前年同期比で150%増加し、生成AIワークロードがパッケージあたり1.2 TB/sの帯域幅を必要としていることを反映しています。ハイパースケーラーは、ファウンドリと共同設計したカスタムアクセラレーターを開発し、商業用GPUのアドレス可能市場を圧縮し、先進的なパッケージ技術を次の競争のフロンティアとして位置付けています。NvidiaのBlackwellアーキテクチャは、2026年にボリューム出荷を開始し、8つのHBM3Eスタックを統合し、2026年末までのクリーンルームキャパシティに圧力をかけています。データセンターの改修は現在、1.5 MWのラックを指定しており、2024年の電力密度の基準を3倍に引き上げ、結果としてSiCモジュールの需要を促進しています。アラブ首長国連邦、サウジアラビア、インドの主権AIプログラムは、輸出管理されたGPUを回避することを目的とした300億米ドルのローカライズされたコンピュート予算を追加しています。この乗数効果は、ネットワークファブリックや熱管理サブシステムにも及び、サーバーラックあたり12,000米ドルの半導体コンテンツを追加します。

### 輸送の電動化によるSiC/GaNコンテンツの増加
2025年の電気自動車の半導体コンテンツは、ユニットあたり1,200米ドルに達し、内燃機関の基準の2倍となり、SiCインバーターがその増加の35%を占めています。テスラの分解データは、SiCモジュールのコストがキロワットあたり150米ドル未満であることを確認し、3万ドル未満の大衆市場モデルでの採用を促進しています。中国の自動車メーカーであるBYDとGeelyは、200mmのSiCウェハーラインを垂直統合しており、コスト面で西洋のベンダーに挑戦していますが、歩留まりのギャップは25ポイントに達しています。GaNデバイスは、オンボード充電器に利用され、30%の体積削減を可能にしますが、自動車の温度サイクル下での信頼性に懸念があり、2025年のプラットフォーム浸透率は15%に制限されています。2025年7月から新しい乗用車に48Vマイルドハイブリッドを義務付けるユーロ7規制は、パワーディスクリートの月間300,000ウェハースタートの需要を追加します。

### 政府のファブ補助金競争
アメリカは2025年12月までにCHIPS法の助成金として290億米ドルを支出し、その中にはTSMCのアリゾナFab 21向けに66億米ドルが含まれ、2027年までに3nmの出力を目指しています。欧州連合は2025年半ばまでに150億ユーロ（164億米ドル）の直接支援を約束し、そのうち100億ユーロ（109億米ドル）がインテルのマグデブルク複合施設に向けられています。韓国のK-Chipsプログラムは、税控除として26兆ウォン（195億米ドル）を約束し、サムスンの平澤P4施設を2025年末までに2nmのボリューム出力に向けて加速しています。これらの補助金は、資本収益率の閾値を薄め、28nmラインに過剰供給リスクを埋め込みます。ここでは、2027年までにテキサス・インスツルメンツ、グローバルファウンドリーズ、ユニファイ・マイクロエレクトロニクスによる月間120万ウェハースタートが計画されています。「ガードレール」は、受給者に対して「懸念国」における拡張を10年間凍結することを強制し、米国と中国のエコシステムを構造的に分離します。

### 5GおよびエッジIoTデバイスの普及
2025年の世界の5G加入者数は19億人を超えましたが、半導体の上昇はOpen RANおよびプライベートネットワークゲートウェイにシフトし、RFフロントエンドのコンテンツは1台あたり18米ドルで安定しています。産業用5Gの展開には時間に敏感なネットワーキングが必要であり、BroadcomやMarvellによるASIC統合が促進され、モデムとイーサネット機能を融合させ、2025年のエッジスイッチシリコン市場の60%を獲得しています。エッジAI推論は、タワーでのコンピュート密度を10倍に増加させ、オペレーターはNvidiaやAMDからのカスタムアクセラレーターの採用を促進しています。IoTデバイスの統合は、MatterやThreadが相互運用性の障壁を削減することで加速しており、効率のリーダーシップがNordic SemiconductorやSilicon Labsに移っています。3GPP Release 18はRedCapサポートを義務付けており、5ドル未満の材料費で産業用センサーのコスト最適化された経路を開放しています。

### 制約影響分析

#### 制約
– 地政学的輸出管理の強化
– CAGR予測への影響：-1.4%
– 地理的関連性：グローバル、中国と米国の回廊で急増
– 影響タイムライン：短期（2年以内）

– 知的財産権侵害およびクロスライセンスの争い
– CAGR予測への影響：-0.6%
– 地理的関連性：グローバル、モバイルおよび自動車に集中
– 影響タイムライン：中期（2～4年）

– 7nm未満プロセスエンジニアの急激な人材不足
– CAGR予測への影響：-0.9%
– 地理的関連性：北米、欧州、東アジア
– 影響タイムライン：長期（4年以上）

– ネオンおよび先進ガス供給チェーンの脆弱性
– CAGR予測への影響：-0.7%
– 地理的関連性：欧州および東アジアにおけるグローバルな脆弱性
– 影響タイムライン：短期（2年以内）

### 地政学的輸出管理の強化
米国商務省の産業安全局は、2024年10月にルールを拡大し、140の中国企業をエンティティリストに追加し、14nm未満のツールへのアクセスを制限しました。ASMLの中国での収益は2025年に35%減少し、高NA EUVの出荷が欧州および北米にシフトしました。中国のガリウムおよびゲルマニウムに対する対抗措置は、GaNおよびSiCの供給を2025年半ばまで混乱させました。コンプライアンスコストは現在、年間800万米ドルを超えており、中堅サプライヤーのマージンを圧迫し、設計サイクルを90日以上に延長しています。ITARおよびEARの下での二重管轄の監視は、二重用途の革新の市場投入までの時間をさらに遅らせています。

### 7nm未満プロセスエンジニアの急激な人材不足
2027年までに67,000人のプロセスエンジニアの世界的な不足が予測されており、7nm未満の専門知識は世界中の12のファブに集中しています。TSMCのアリゾナ工場は、限られた地域の歩留まり最適化スキルに起因する6か月の遅延を経験し、500人の台湾人エンジニアの移動が必要です。フェニックスにおけるシニアプロセスエンジニアの報酬は35万米ドルに達し、2022年に比べて60%のプレミアムがついており、ファブの運営マージンを圧迫しています。インテルの1億米ドルの大学パートナーシップは、40%の卒業ギャップを埋めるには至っていません。技術者の育成パイプラインも同様に逼迫しており、年間8,000件の求人に対して3,000人のコミュニティカレッジ卒業生しか利用できません。CHIPS法の労働力資金は建設スケジュールに対して24か月遅れており、新しいラインの潜在的なスタートアップリスクを生じさせています。

## セグメント分析

### 製品タイプ別：ロジックが主導し、パワーが追い越す
半導体および電子部品製造市場の規模は、ロジックICが2025年の収益の36.54%を占めており、アプリケーションプロセッサやAIアクセラレーターに対する持続的な需要を反映しています。メモリの需要は、2026年以降に新しいHBMキャパシティが供給制約を緩和することで安定すると予想されています。アナログおよびミックスドシグナルコンポーネントは、産業および自動車アプリケーションにおける長寿命サイクルによって引き続き重要な収益を生み出しています。ディスクリートおよびパワーデバイスは、電動モビリティにおけるSiCおよびGaNの浸透によって10.42%のCAGRで成長すると予測されています。

チップレットベースのアーキテクチャは、成熟ノードからのメモリおよびI/Oダイを埋め込むことによってこれらのカテゴリをぼやかし、利益プールをパッケージング専門家に再分配します。メモリのスタック構成への移行は、原価を引き上げますが、価格決定力を獲得します。一方、アナログサプライヤーは独自の高電圧フローを通じてマージンを守ります。中国の新規参入者は低価格帯のディスクリートデバイスに圧力をかけており、西洋の既存企業は1,200V SiCの高価格帯に移行せざるを得なくなり、歩留まりと信頼性が参入障壁を生み出しています。

### コンポーネント別：設備が優位、サービスが台頭
設備は2025年のコンポーネント収益の51.26%を占めており、数十億ドル規模のリソグラフィー投資に支えられています。高NA EUVシステムは各380百万米ドルで、前例のない受注残を抱えています。ソフトウェアは3nm未満プロセスへの戦略的ゲートキーパーとしての役割を果たしており、SynopsysやCadenceが先進ノードツールチェーンで優位な役割を果たしています。サービスは予測期間中に10.15%のCAGRで最も急速に成長するセグメントとなり、設計のアウトソーシングの強化を反映しています。

半導体および電子部品製造市場のサービスは、ファブレス企業がターンキーのパートナーシップを深化させることで、2031年までに4000億米ドルを超えると予測されています。設備ベンダーは、60%以上の粗利益を持つ予備部品や予測保守分析を通じて、設置ベースを収益化する傾向が強まっています。ソフトウェアは垂直統合を進めており、Synopsysの2024年のAnsys買収がその一例です。地理的な賃金差は、ルーチンの検証作業をインドやベトナムに移し、ISO 26262などのコンプライアンスフレームワークは、成熟市場での高価値監査を確保しています。

### アプリケーション別：通信が堅調、データセンターが急成長
通信およびネットワーキングは2025年の収益の30.68%を占め、5Gインフラの展開によってそのシェアを維持しています。データセンターおよびクラウドは、電気自動車のインバーターやADASコンピュートニーズによって10.86%のCAGRで成長する最も急成長しているセグメントです。消費者向け電子機器は成熟していますが、ウェアラブルやスマートホームデバイスでの増分ボリュームを確保しています。産業およびエネルギーアプリケーションは、Industry 4.0の自動化やグリッドの近代化プログラムを活用しています。

自動車の厳格なゼロ欠陥基準は、機能安全に特化したプロセスバリアントを必要とし、ファブの利用率を二分化します。データセンターのバイヤーは、ワットあたりのスループットを重視し、推論用のカスタムASICへの移行を促進しています。通信におけるOpen RANの分散化は、ターンキーの基地局から商業用プロセッサへのシリコンの価値を再配分します。

### 技術ノード別：先端技術の鈍化、成熟ノードが繁栄
7nm未満のキャパシティは2025年に43.48%の収益シェアを持っていますが、マスクセットコストや歩留まりの逆風により9.88%のCAGRに鈍化する見込みです。8-16nm層は自動車およびエッジAIの要件に適合しています。22-28nmブランケットは、チップレットアーキテクチャによって復活しており、予測期間中に半導体および電子部品製造市場での関連性を持つようになります。28nmを超えるノードは、以前は時代遅れと見なされていましたが、アナログおよびパワー市場での用途により需要が続いています。

TSMCの3nmノードは、ウェハーコストが2.5倍で性能向上が15%にとどまっており、そのアクセス可能な市場を縮小しています。一方、Samsungの2nmゲートオールアラウンドプロセスは利点を約束していますが、歩留まりに制限があります。インテルの18Aロードマップは、2027年までにリーダーシップを取り戻すために背面電力供給を組み込んでいます。中国のファウンドリは、輸出制限下でも成熟ノードを拡大し、28nmウェハーの価格を押し下げています。

## 地理分析
アジア太平洋地域は2025年に世界の収益の49.66%を占めており、台湾と韓国が先端的なロジックおよびメモリをリードしています。この地域の成長は、地政学的な多様化がインド、ベトナム、マレーシアにキャパシティを広げるにつれて穏やかになると予想されています。中国は最大の単一国のバイヤーであり続けていますが、輸出管理が先進的なツールへのアクセスを制限しています。日本は、二桁の補助金によってTSMCの熊本ジョイントベンチャーを通じて22-28nmラインで復活しています。インドは、MicronやAMDがテストおよび組立キャンパスを構築することで、バックエンドでの重要性を取り戻しています。

北米は、CHIPS法の補助金が12の新しいフロントエンドファブを支えることで、2031年までに最も速いCAGRの11.26%を記録する見込みです。アメリカの半導体および電子部品製造市場は、2031年までに急速に成長すると見込まれており、30年間のオフショアリングのトレンドを逆転させることになります。カナダはSiC材料のハブとして進展し、メキシコは近隣の自動車サプライチェーン向けにOSATキャパシティを拡大しています。

欧州は、2030年までに430億ユーロの補助金プールを通じて世界的な存在感を高めることを目指しています。ドイツはインテルのマグデブルク工場を旗艦としており、フランスはSTMicroelectronicsを通じてSiCに特化しています。中東は主権富をAIに焦点を当てたファブに向けていますが、国内エコシステムはパイロット規模にとどまっています。アフリカの足跡はまだ初期段階ですが、南アフリカやナイジェリアでの消費者向け電子機器の組立を通じて成長しています。

### 競争環境
先端技術は寡占的であり、TSMC、Samsung、Intelが7nm未満のキャパシティの85%を所有しています。一方、レガシー層は15以上のプレーヤーに分散しており、自動車および産業顧客はデュアルソーシングの優位性を持っています。ファウンドリはプロセスIPライセンスを収益化しており、ファブレスデザイナーは独自のノード開発を放棄しています。資本集約度は、マージン圧力を設備ベンダーに移し、彼らは多世代の後方互換性を確保する必要があります。

チップレットエコシステムは、ファブを構築せずにUCIeインターフェースを介して統合できる専門的なダイを提供できるスタートアップに新たなニッチを解放します。中国の生産者であるSMICとHua Hongは、高度なパッケージングを通じて成熟ノードの性能限界を押し上げ、14nmの幾何学で7nmの結果に近づけています。アナログリーダーであるTexas InstrumentsとAnalog Devicesは、差別化された高電圧フローを通じて65%の粗利益を守っています。RISC-Vの採用は、出荷されたコアが100億を超え、Armの既存のロイヤリティモデルに挑戦しています。特許動向は、TSMCが2025年に1,200件のゲートオールアラウンドおよび背面電力特許を出願しており、今後10年間のIPリーダーシップを確立していることを示しています。

## 半導体および電子部品製造業界のリーダー
– インテル株式会社
– サムスン電子株式会社
– 台湾積体電路製造株式会社（TSMC）
– SKハイニックス株式会社
– マイクロンテクノロジー株式会社

*免責事項：主要プレーヤーは特定の順序で並べられていません。

### 業界の最近の動向
– 2025年12月：TSMCはアリゾナFab 21の120億米ドルの拡張を発表し、2028年までに2nmの生産を追加する予定です。
– 2025年11月：インテルは、CHIPS法の助成金として79億米ドル、オハイオのメガサイト向けに110億米ドルの融資を確保し、2027年にインテル18Aの出力を予定しています。
– 2025年10月：サムスン電子は、Hwaseongでの2nmゲートオールアラウンド生産を開始し、QualcommのスマートフォンSoCを供給しています。
– 2025年9月：マイクロンは、アイダホ州ボイジーに150億米ドルのHBM3Eファブの建設を開始し、61億米ドルのCHIPS資金によって支援されています。
– 2025年8月：NvidiaはFoxconnと提携し、北米のクラウドクライアント向けにメキシコで100億米ドルのAIサーバー組立を設立しました。