カテゴリ： IMARC, IT/電子, 世界

ゲートドライバICのグローバル市場：MOSFET、IGBT

■ 英語タイトル：Gate Driver IC Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2023-2028

調査会社IMARC社が発行したリサーチレポート（データ管理コード：IMARC23OT0099）■ 発行会社/調査会社：IMARC
■ 商品コード：IMARC23OT0099
■ 発行日：2023年9月27日
   最新版(2025年又は2026年)版があります。お問い合わせください。
■ 調査対象地域：グローバル
■ 産業分野：電子＆半導体
■ ページ数：144
■ レポート言語：英語
■ レポート形式：PDF
■ 納品方式：Eメール
■ 販売価格オプション（消費税別）
Single UserUSD3,999 ⇒換算￥623,844見積依頼/購入/質問フォーム
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*** レポート概要（サマリー）***

市場概要世界のゲートドライバIC市場規模は2022年に14億米ドルに達しました。今後、IMARC Groupでは、2023～2028年の成長率（CAGR）は5.8%で、2028年には20億米ドルに達すると予測しています。

ゲートドライバICは、コントローラICから低電力の入力を受け、パワーデバイスに必要な大電流のゲートドライブを生成するパワーアンプです。電動モーターへの電流供給に使用される外部パワー・トランジスタ・ゲートの性能を向上させます。ロジックレベルの制御入力とパワー金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の間のリンクとして機能します。パワー半導体を効率的に駆動し、トランジスタの内部抵抗を最小限に抑えるインテリジェントなソリューションを提供するため、堅牢で柔軟性に富んでいます。これとは別に、負荷トランジスタのスイッチング損失を低減し、スイッチング時間を短縮し、トランジスタを導通状態と非導通状態に駆動するなど、いくつかの利点があります。

ゲートドライバICの市場動向：世界中の個人の間でスマートホームの普及が進んでいることは、市場を牽引する重要な要因の1つです。さらに、住宅＆商業分野では高電圧デバイスの需要が増加しています。これに加えて、ガソリン車を電気パワートレインに置き換える自動車の電動化が進んでいることも、市場の成長を後押ししています。さらに、さまざまな再生可能エネルギー・システムで、電気信号の増幅、制御、生成にトランジスタを利用するケースが増えています。これは、潮力、太陽光、風力発電などの再生可能エネルギー源を利用するための各国政府によるイニシアチブの高まりと相まって、市場にプラスの影響を与えています。これに加えて、効率的な電力管理のためのスマートグリッドの導入が増加しており、業界の投資家に有利な成長機会を提供しています。さらに、主要な市場参入企業は、ゲートドライバICの薄型化や消費財の小型化のために研究開発（R&D）活動に積極的に投資しており、これが市場の成長を後押ししています。

主要市場細分化：IMARC Groupは、世界のゲートドライバIC市場レポートの各サブセグメントにおける主要動向の分析と、2023年から2028年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、市場をトランジスタタイプ、半導体材料、取り付けモード、絶縁技術、アプリケーションに基づいて分類しています。

トランジスタタイプ別内訳
MOSFET
IGBT

半導体材料別内訳
Si
SiC
GaN

アタッチメント・モード別内訳
オンチップ
ディスクリート

絶縁技術別内訳
磁気絶縁
容量性絶縁
光絶縁

用途別内訳
家庭用
産業用
業務用

地域別内訳
北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ
競合情勢：業界の競合情勢は、主要企業のプロフィールとともに調査されています。Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. (Hitachi Ltd.), Infineon Technologies AG, Microchip Technology Inc., Mouser Electronics (TTI Inc., Berkshire Hathaway Inc.), NXP Semiconductors N.V., Onsemi, Renesas Electronics Corporation, Rohm Semiconductor, Semtech Corporation, STMicroelectronics, Texas Instruments Incorporated and Toshiba Corporation.などです。

本レポートが回答する主な質問：世界のゲートドライバIC市場はこれまでどのように推移し、今後数年間はどのように推移するのか？
COVID-19が世界のゲートドライバIC市場に与えた影響は？
主要地域市場とは？
トランジスタの種類による市場の内訳は？
半導体材料別の市場構成は？
装着形態による市場の内訳は？
分離技術に基づく市場の内訳は？
アプリケーションに基づく市場の内訳は？
業界のバリューチェーンにおける様々な段階とは？
業界の主な推進要因と課題は？
世界のゲートドライバIC市場の構造と主要プレイヤーは？
業界における競争の程度は？

1 序論
2 調査範囲＆手法
3 エグゼクティブサマリー
4 イントロダクション
5 世界のゲートドライバIC市場
6 トランジスタタイプ別市場分析
7 半導体材料別市場分析
8 搭載形態別市場分析
9 アイソレーション技術別市場分析
10 用途別市場分析
11 地域別市場分析
12 SWOT分析
13 バリューチェーン分析
14 ポーターズファイブフォース分析
15 価格分析
16 競争状況

世界の市場調査レポート販売サイト（H&Iグローバルリサーチ株式会社運営）
*** レポート目次（コンテンツ）***

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推計
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のゲートドライバIC市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 トランジスタタイプ別市場内訳
6.1 MOSFET
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 IGBT
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 トランジスタタイプ別市場内訳半導体材料
7.1 Si
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 SiC
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 GaN
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 実装方法別市場内訳
8.1 オンチップ
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ディスクリート
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
9 分離技術別市場内訳
9.1 磁気分離
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 容量分離
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 光分離
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
10 アプリケーション別市場内訳
10.1 住宅
10.1.1 市場動向
10.1.2 市場予測
10.2 産業用
10.2.1 市場動向
10.2.2 市場予測
10.3 商業用
10.3.1 市場動向
10.3.2 市場予測
11 地域別市場内訳
11.1 北米
11.1.1 アメリカ合衆国
11.1.1.1 市場動向
11.1.1.2 市場予測
11.1.2 カナダ
11.1.2.1 市場動向
11.1.2.2 市場予測
11.2 アジア太平洋地域
11.2.1 中国
11.2.1.1 市場動向
11.2.1.2 市場予測
11.2.2 日本
11.2.2.1 市場動向
11.2.2.2 市場予測
11.2.3 インド
11.2.3.1 市場動向
11.2.3.2 市場予測
11.2.4 韓国
11.2.4.1 市場動向
11.2.4.2 市場予測
11.2.5 オーストラリア
11.2.5.1 市場動向
11.2.5.2 市場予測
11.2.6 インドネシア
11.2.6.1 市場動向
11.2.6.2 市場予測
11.2.7 その他
11.2.7.1 市場動向
11.2.7.2 市場予測
11.3 ヨーロッパ
11.3.1ドイツ
11.3.1.1 市場動向
11.3.1.2 市場予測
11.3.2 フランス
11.3.2.1 市場動向
11.3.2.2 市場予測
11.3.3 イギリス
11.3.3.1 市場動向
11.3.3.2 市場予測
11.3.4 イタリア
11.3.4.1 市場動向
11.3.4.2 市場予測
11.3.5 スペイン
11.3.5.1 市場動向
11.3.5.2 市場予測
11.3.6 ロシア
11.3.6.1 市場動向
11.3.6.2 市場予測
11.3.7 その他
11.3.7.1 市場動向
11.3.7.2 市場予測
11.4 ラテンアメリカ
11.4.1 ブラジル
11.4.1.1 市場動向
11.4.1.2 市場予測
11.4.2 メキシコ
11.4.2.1 市場動向
11.4.2.2 市場予測
11.4.3 その他
11.4.3.1 市場動向
11.4.3.2 市場予測
11.5 中東およびアフリカ
11.5.1 市場動向
11.5.2 国別市場内訳
11.5.3 市場予測
12 SWOT分析
12.1 概要
12.2 強み
12.3 弱み
12.4 機会
12.5 脅威
13 バリューチェーン分析
14 ポーターのファイブフォース分析
14.1 概要
14.2買い手の交渉力
14.3 サプライヤーの交渉力
14.4 競争の度合い
14.5 新規参入の脅威
14.6 代替品の脅威
15 価格分析
16 競争環境
16.1 市場構造
16.2 主要プレーヤー
16.3 主要プレーヤーのプロフィール
16.3.1 日立パワーデバイス株式会社（日立製作所）
16.3.1.1 会社概要
16.3.1.2 製品ポートフォリオ
16.3.2 インフィニオンテクノロジーズAG
16.3.2.1 会社概要
16.3.2.2 製品ポートフォリオ
16.3.2.3 財務状況
16.3.2.4 SWOT分析
16.3.3 マイクロチップテクノロジー株式会社
16.3.3.1 会社概要
16.3.3.2 製品ポートフォリオ
16.3.3.3 財務状況
16.3.3.4 SWOT分析
16.3.4 Mouser Electronics (TTI Inc.、Berkshire Hathaway Inc.)
16.3.4.1 会社概要
16.3.4.2 製品ポートフォリオ
16.3.5 NXP Semiconductors N.V.
16.3.5.1 会社概要
16.3.5.2 製品ポートフォリオ
16.3.5.3 財務状況
16.3.5.4 SWOT分析
16.3.6 Onsemi
16.3.6.1 会社概要
16.3.6.2 製品ポートフォリオ
16.3.6.3 財務状況
16.3.6.4 SWOT分析
16.3.7 ルネサス エレクトロニクス株式会社
16.3.7.1 会社概要
16.3.7.2 製品ポートフォリオ
16.3.7.3 財務状況
16.3.7.4 SWOT分析
16.3.8 ロームセミコンダクター
16.3.8.1 会社概要
16.3.8.2 製品ポートフォリオ
16.3.8.3 財務状況
16.3.8.4 SWOT分析
16.3.9 セムテックコーポレーション
16.3.9.1 会社概要
16.3.9.2 製品ポートフォリオ
16.3.9.3 財務状況
16.3.10 STマイクロエレクトロニクス
16.3.10.1 会社概要
16.3.10.2 製品ポートフォリオ
16.3.11 テキサス・インスツルメンツ・インコーポレーテッド
16.3.11.1 会社概要
16.3.11.2 製品ポートフォリオ
16.3.11.3 財務状況
16.3.11.4 SWOT分析
16.3.12 株式会社東芝
16.3.12.1 会社概要
16.3.12.2 製品ポートフォリオ
16.3.12.3 財務状況
16.3.12.4 SWOT分析

図1：世界のゲートドライバIC市場：主要な推進要因と課題
図2：世界のゲートドライバIC市場：売上高（10億米ドル）、2017年～2022年
図3：世界のゲートドライバIC市場予測：売上高（10億米ドル）、2023年～2028年
図4：世界のゲートドライバIC市場：トランジスタタイプ別内訳（%）、2022年
図5：世界のゲートドライバIC市場：半導体材料別内訳（%）、2022年
図6：世界のゲートドライバIC市場：接続方式別内訳（%）、2022年
図7：世界のゲートドライバIC市場：絶縁技術別内訳（%）、2022年
図8：世界のゲートドライバIC市場：アプリケーション別内訳（%）、2022年
図9：世界のゲートドライバIC市場：地域別内訳（%） %)、2022年
図10：世界：ゲートドライバIC（MOSFET）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図11：世界：ゲートドライバIC（MOSFET）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図12：世界：ゲートドライバIC（IGBT）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図13：世界：ゲートドライバIC（IGBT）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図14：世界：ゲートドライバIC（Si）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図15：世界：ゲートドライバIC（Si）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図16：世界：ゲートドライバIC (SiC) 市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図17：世界：ゲートドライバIC（SiC）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図18：世界：ゲートドライバIC（GaN）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図19：世界：ゲートドライバIC（GaN）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図20：世界：ゲートドライバIC（オンチップ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図21：世界：ゲートドライバIC（オンチップ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図22：世界：ゲートドライバIC（ディスクリート）市場：売上高（百万米ドル） （単位：百万米ドル）、2017年および2022年
図23：世界：ゲートドライバIC（ディスクリート）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図24：世界：ゲートドライバIC（磁気絶縁）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図25：世界：ゲートドライバIC（磁気絶縁）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図26：世界：ゲートドライバIC（容量絶縁）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図27：世界：ゲートドライバIC（容量絶縁）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図28：世界：ゲートドライバIC（光絶縁）市場：売上高（百万米ドル） （百万米ドル）、2017年および2022年
図29：世界：ゲートドライバIC（光絶縁）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図30：世界：ゲートドライバIC（住宅用）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図31：世界：ゲートドライバIC（住宅用）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図32：世界：ゲートドライバIC（産業用）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図33：世界：ゲートドライバIC（産業用）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図34：世界：ゲートドライバIC（商業用）市場：売上高（百万米ドル）、 2017年および2022年
図35：世界：ゲートドライバIC（商用）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図36：北米：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図37：北米：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図38：米国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図39：米国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図40：カナダ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図41：カナダ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル） 2023～2028年
図42：アジア太平洋地域：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図43：アジア太平洋地域：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図44：中国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図45：中国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図46：日本：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図47：日本：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図48：インド：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル） （単位：百万米ドル）、2017年および2022年
図49：インド：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図50：韓国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図51：韓国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図52：オーストラリア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図53：オーストラリア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図54：インドネシア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図55：インドネシア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、 2023-2028年
図56：その他：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図57：その他：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図58：欧州：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図59：欧州：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図60：ドイツ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図61：ドイツ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図62：フランス：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図63：フランス：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図64：英国：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図65：英国：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図66：イタリア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図67：イタリア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図68：スペイン：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図69：スペイン：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル） 2023-2028年
図70：ロシア：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図71：ロシア：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図72：その他：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図73：その他：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図74：ラテンアメリカ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図75：ラテンアメリカ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023-2028年
図76：ブラジル：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図77：ブラジル：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図78：メキシコ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図79：メキシコ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図80：その他：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図81：その他：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図82：中東およびアフリカ：ゲートドライバIC市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図83：中東およびアフリカ：ゲートドライバIC市場：国別内訳（％）、2022年
図84: 中東およびアフリカ：ゲートドライバIC市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図85: 世界：ゲートドライバIC業界：SWOT分析
図86: 世界：ゲートドライバIC業界：バリューチェーン分析
図87: 世界：ゲートドライバIC業界：ポーターのファイブフォース分析
※参考情報

ゲートドライバICは、パワーエレクトロニクスにおいて非常に重要な役割を果たす集積回路です。主にMOSFETやIGBTといったスイッチング素子を制御するための信号を生成するために使用されます。これらの素子は電力の変換や制御において不可欠であり、高効率で動作する必要があります。しかし、これらの素子を適切に動作させるためには、適切なドライブ条件が必要です。そこでゲートドライバICが活躍します。
ゲートドライバICの基本的な機能は、入力信号を強化し、スイッチング素子をオンまたはオフにするために必要な電力を供給することです。これにより、スイッチング素子が高速に動作し、スイッチング損失を最小限に抑えられます。また、ドライバICは、過渡応答を改善し、スイッチングノイズを低減するための重要な役割も果たします。具体的には、ゲートの充電を迅速に行うための強力な出力と、スイッチング素子のゲートからの遅延時間を短縮するための設計がなされています。

ゲートドライバICは、その動作原理に基づいていくつかの種類に分類されます。まず、ハイサイドドライバとローサイドドライバがあります。ハイサイドドライバは、パワースイッチが負荷側に配置される場合に使用され、ローサイドドライバは、スイッチが電源側に配置される場合に用いられます。これらは通常、ブリッジ回路で使用され、さまざまなアプリケーションに応じて選択されます。

さらに、機能的には、単純な非絶縁型と絶縁型のゲートドライバICも存在します。非絶縁型は低コストで、一般的な用途に広く利用されます。一方、絶縁型は、出力と入力間の絶縁が求められる場合、例えば高電圧環境や安全性が重視されるアプリケーションで使用されます。

ゲートドライバICの用途は多岐にわたります。特に電源供給システム、モーター制御、太陽光発電、風力発電といった再生可能エネルギーシステム、さらには電気自動車（EV）などの産業用アプリケーションにおいて、ゲートドライバICは重要です。これらのシステムでは、高効率で信号を制御し、エネルギーロスを最小限に抑えることが求められます。

また、ゲートドライバICは、各種センサーや制御システムとの組み合わせにより、より高度な制御機能を提供することもできます。例えば、エラー検出機能を持つゲートドライバICは、異常が発生した際に迅速に対応することができます。これは、機器の信頼性を向上させるために非常に重要です。

関連技術としては、パワー半導体の進化が挙げられます。特に、シリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）といった次世代のパワー半導体素子は、高温動作や高効率を可能にしています。これらの新素材は、従来のシリコンに比べて優れたスイッチング特性を示し、よりコンパクトなデザインが可能です。これに伴い、ゲートドライバICも新しい要求に応じた設計が求められています。

さらに、デジタル制御技術の進歩により、ゲートドライバICはより複雑な制御が可能になってきています。これにより、自動化やIoT（モノのインターネット）に対応した製品開発が進んでおり、スマートなエネルギー管理が実現されつつあります。

結論として、ゲートドライバICは現代のパワーエレクトロニクスにおいて欠かせない要素であり、その技術は日々進化しています。新たな素子や制御方式の開発が進む中で、ゲートドライバICはますます重要な役割を果たすでしょう。多様なアプリケーションへの応用が期待され、より効率的で信頼性の高い電力管理システムの実現に寄与しています。


*** 免責事項 ***
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※関連調査資料
  • ゲートドライバICの世界市場（2024-2032）：MOSFET、IGBT
  • 世界のインテリジェントパワーモジュール（IPM）市場予測（2024年-2032年）：定格電圧別（600V以下、601V〜1200V、1200V以上）、定格電流別（100A以下、101A〜600A、600A以上）、回路構成別（6-PAC、7-PAC、その他）、パワーデバイス別（IGBT、MOSFET）、用途別（家電、サーボドライブ、輸送、再生可能エネルギー、その他）、地域別
  • 高出力半導体バーチップの世界市場2023-2029：IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT
  • GaNインテリジェントパワーモジュールのグローバル市場2023：IGBT-IPM、MOSFET-IPM
  • インテリジェントパワーモジュールの世界市場（2023年～2030年）：IGBT、MOSFET
    • ※注目の調査資料
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    ※当市場調査資料(IMARC23OT0099 )"ゲートドライバICのグローバル市場：MOSFET、IGBT" (英文：Gate Driver IC Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2023-2028)はIMARC社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。

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