GaNパワーデバイスのグローバル市場:ディスクリートパワーデバイス、統合パワーデバイス、RFパワーデバイス、ディスクリートRFパワーデバイス、その他

■ 英語タイトル:GaN Power Device Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2023-2028

調査会社IMARC社が発行したリサーチレポート(データ管理コード:IMARC23NOV237)■ 発行会社/調査会社:IMARC
■ 商品コード:IMARC23NOV237
■ 発行日:2023年10月
   最新版(2025年又は2026年)版があります。お問い合わせください。
■ 調査対象地域:グローバル
■ 産業分野:重工業
■ ページ数:150
■ レポート言語:英語
■ レポート形式:PDF
■ 納品方式:Eメール
■ 販売価格オプション(消費税別)
Single UserUSD3,999 ⇒換算¥623,844見積依頼/購入/質問フォーム
Five UserUSD4,999 ⇒換算¥779,844見積依頼/購入/質問フォーム
EnterprisewideUSD5,999 ⇒換算¥935,844見積依頼/購入/質問フォーム
販売価格オプションの説明はこちらで、ご購入に関する詳細案内はご利用ガイドでご確認いただけます。
※お支払金額は「換算金額(日本円)+消費税+配送料(Eメール納品は無料)」です。
※Eメールによる納品の場合、通常ご注文当日~2日以内に納品致します。
※レポート納品後、納品日+5日以内に請求書を発行・送付致します。(請求書発行日より2ヶ月以内の銀行振込条件、カード払いも可能)
IMARC社の概要及び新刊レポートはこちらでご確認いただけます。

★グローバルリサーチ資料[GaNパワーデバイスのグローバル市場:ディスクリートパワーデバイス、統合パワーデバイス、RFパワーデバイス、ディスクリートRFパワーデバイス、その他]についてメールでお問い合わせはこちら
*** レポート概要(サマリー)***

市場概要 2023-2028年世界のGaNパワーデバイス市場規模は2022年に2億5900万米ドルに到達しました。今後、IMARC Groupでは、2023-2028年の成長率(CAGR)は34.2%で、2028年には1,507百万米ドルに達すると予測しています。

窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは高電子移動度(HEMT)トランジスタで、半導体のワイドバンドギャップで自由に動く電子を制御して電気エネルギーを生成します。シリコン金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と比較して、GaNパワーデバイスはオン抵抗が低く、出力容量が小さく、電界強度が高いです。また、より多くの電子を伝導し、スイッチ・ノードのリンギングを低減し、効率を高めます。このほか、コンパクトで高速、軽量であるため、さまざまな産業用製品の商用および産業用アプリケーションで人気を集めています。

現在の市場は、さまざまな最終用途産業におけるGaNパワーデバイスの広範な利用が牽引しています。例えば、電気自動車(EV)やハイブリッド電気自動車(HEV)の照明やブレーキ制御システムに使用されています。いくつかの国の政府は、温室効果ガス(GHG)排出に関する厳しい政策を導入しており、これが世界中でEVやHEVの販売を後押ししています。また、エネルギー効率の高いデバイスの採用も推進されており、これが防衛および航空宇宙産業におけるGaNパワーデバイスの需要にさらなる影響を与えています。これとは別に、これらのデバイスは、ナビゲーションを強化し、衝突を回避し、リアルタイムの航空交通管制を可能にするためにレーダーに利用されています。さらに、超音波診断装置、磁気共鳴画像(MRI)システム、小型X線装置などの医療用スキャン装置の製造にも使用され、手術の際に精度を高めます。さらに、スモールセル、分散型アンテナシステム(DAS)、リモートラジオヘッドネットワークの高密度化にも使用されています。このほか、モノのインターネット(IoT)技術の採用が増加しており、5G技術の導入とともに、今後数年間はメーカーにとって有利なビジネスチャンスが生まれると予想されます。

主な市場セグメンテーション
IMARC Groupは、世界のGaNパワーデバイス市場レポートの各サブセグメントにおける主要動向の分析と、2023年から2028年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、デバイスタイプ、電圧範囲、用途、最終用途産業に基づいて市場を分類しています。

デバイスタイプ別内訳
パワーデバイス
ディスクリートパワーデバイス
統合パワーデバイス
RFパワーデバイス
ディスクリートRFパワーデバイス
RFパワーデバイス

電圧範囲別内訳
<200 ボルト
200~600ボルト
>600ボルト以上

用途別内訳
パワードライブ
電源システム
無線周波数ベースシステム

エンドユーザー産業別内訳
電気通信
自動車
再生可能発電
軍事
航空宇宙・防衛
コンシューマー・エレクトロニクス
その他

地域別内訳
北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

競争環境
当レポートでは、Efficient Power Conversion, GaN Systems Inc., IQE, Koninklijke Philips N.V., MACOM Technology Solutions, Microsemi Corporation (Microchip Technology Inc.), Mitsubishi Electric Corporation, Navitas Semiconductor Inc., Qorvo Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd., Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation, Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)などの主要企業を中心に、市場の競争環境についても分析しています。

本レポートで扱う主な質問
1. 2022年の世界のGaNパワーデバイス市場規模は?
2. 2023年~2028年のGaNパワーデバイス世界市場の予想成長率は?
3. COVID-19が世界のGaNパワーデバイス市場に与えた影響は?
4. GaNパワーデバイスの世界市場を牽引する主要因は?
5. GaNパワーデバイスの世界市場における最終用途産業別内訳は?
6. GaNパワーデバイスの世界市場における主要地域は?
7. GaNパワーデバイスの世界市場における主要プレイヤー/企業は?

1 序論
2 範囲・方法
3 エグゼクティブサマリー
4 イントロダクション
5 世界のGaNパワーデバイス市場
6 世界のGaNパワーデバイス市場:デバイスタイプ別分析
7 世界のGaNパワーデバイス市場:電圧範囲別分析
8 世界のGaNパワーデバイス市場:アプリケーション別分析
9 世界のGaNパワーデバイス市場:最終用途産業別分析
10 世界のGaNパワーデバイス市場:地域別分析
11 SWOT分析
12 バリューチェーン分析
13 ポーターズファイブフォース分析
14 価格指標
15 競争状況

世界の市場調査レポート販売サイト(H&Iグローバルリサーチ株式会社運営)
*** レポート目次(コンテンツ)***

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推計
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のGaNパワーデバイス市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 デバイスタイプ別市場内訳
6.1 パワーデバイス
6.1.1 市場動向
6.1.2 主要タイプ
6.1.2.1 ディスクリートパワーデバイス
6.1.2.2 集積パワーデバイス
6.1.3 市場予測
6.2 RFパワーデバイス
6.2.1 市場動向
6.2.2 主なタイプ
6.2.2.1 ディスクリートRFパワーデバイス
6.2.2.2 集積RFパワーデバイス
6.2.3 市場予測
7 電圧範囲別市場内訳
7.1 200ボルト未満
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 200~600ボルト
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 600ボルト超
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 用途別市場内訳
8.1 パワードライブ
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 電源システム
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 無線周波数ベースシステム
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
9 最終用途産業別市場内訳
9.1 通信
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 自動車
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 再生可能エネルギー発電
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
9.4 軍事
9.4.1 市場動向
9.4.2 市場予測
9.5 航空宇宙・防衛
9.5.1 市場動向
9.5.2 市場予測
9.6 民生用電子機器
9.6.1 市場動向
9.6.2 市場予測
9.7 その他
9.7.1 市場動向
9.7.2 市場予測
10 地域別市場内訳
10.1 北米
10.1.1 米国
10.1.1.1 市場動向
10.1.1.2 市場予測
10.1.2 カナダ
10.1.2.1 市場動向
10.1.2.2 市場予測
10.2 アジア太平洋地域
10.2.1 中国
10.2.1.1 市場動向
10.2.1.2 市場予測
10.2.2 日本
10.2.2.1 市場動向
10.2.2.2 市場予測
10.2.3 インド
10.2.3.1 市場動向
10.2.3.2 市場予測
10.2.4 韓国
10.2.4.1 市場動向
10.2.4.2 市場予測
10.2.5 オーストラリア
10.2.5.1 市場動向
10.2.5.2 市場予測
10.2.6 インドネシア
10.2.6.1 市場動向
10.2.6.2 市場予測
10.2.7 その他
10.2.7.1 市場動向
10.2.7.2 市場予測
10.3 ヨーロッパ
10.3.1 ドイツ
10.3.1.1 市場動向
10.3.1.2 市場予測
10.3.2 フランス
10.3.2.1 市場動向
10.3.2.2 市場予測
10.3.3 イギリス
10.3.3.1 市場動向
10.3.3.2 市場予測
10.3.4 イタリア
10.3.4.1 市場トレンド
10.3.4.2 市場予測
10.3.5 スペイン
10.3.5.1 市場トレンド
10.3.5.2 市場予測
10.3.6 ロシア
10.3.6.1 市場トレンド
10.3.6.2 市場予測
10.3.7 その他
10.3.7.1 市場トレンド
10.3.7.2 市場予測
10.4 ラテンアメリカ
10.4.1 ブラジル
10.4.1.1 市場トレンド
10.4.1.2 市場予測
10.4.2 メキシコ
10.4.2.1 市場トレンド
10.4.2.2 市場予測
10.4.3 その他
10.4.3.1 市場トレンド
10.4.3.2 市場予測
10.5 中東およびアフリカ
10.5.1 市場動向
10.5.2 国別市場内訳
10.5.3 市場予測
11 SWOT分析
11.1 概要
11.2 強み
11.3 弱み
11.4 機会
11.5 脅威
12 バリューチェーン分析
13 ポーターのファイブフォース分析
13.1 概要
13.2 買い手の交渉力
13.3 サプライヤーの交渉力
13.4 競争の度合い
13.5 新規参入の脅威
13.6 代替品の脅威
14 価格指標
15 競争環境
15.1 市場構造
15.2 主要プレーヤー
15.3 主要プレーヤーのプロフィール
15.3.1 効率的な電力変換
15.3.1.1 会社概要
15.3.1.2 製品ポートフォリオ
15.3.2 GaN Systems Inc.
15.3.2.1 会社概要
15.3.2.2 製品ポートフォリオ
15.3.3 IQE
15.3.3.1 会社概要
15.3.3.2 製品ポートフォリオ
15.3.3.3 財務状況
15.3.4 Koninklijke Philips N.V.
15.3.4.1 会社概要
15.3.4.2 製品ポートフォリオ
15.3.4.3 財務状況
15.3.5 MACOM Technology Solutions
15.3.5.1 会社概要
15.3.5.2 製品ポートフォリオ
15.3.5.3 財務状況
15.3.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Inc.)
15.3.6.1 会社概要
15.3.6.2 製品ポートフォリオ
15.3.6.3 SWOT分析
15.3.7 三菱電機株式会社
15.3.7.1 会社概要
15.3.7.2 製品ポートフォリオ
15.3.7.3 財務状況
15.3.7.4 SWOT分析
15.3.8 ナビタス・セミコンダクター株式会社
15.3.8.1 会社概要
15.3.8.2 製品ポートフォリオ
15.3.9 Qorvo株式会社
15.3.9.1 会社概要
15.3.9.2 製品ポートフォリオ
15.3.9.3 財務状況
15.3.9.4 SWOT分析
15.3.10 住友電気工業株式会社
15.3.10.1 会社概要
15.3.10.2 製品ポートフォリオ
15.3.10.3 財務状況
15.3.10.4 SWOT分析
15.3.11 テキサス・インスツルメンツ社
15.3.11.1 会社概要
15.3.11.2 製品ポートフォリオ
15.3.11.3 財務状況
15.3.12 株式会社東芝
15.3.12.1 会社概要
15.3.12.2 製品ポートフォリオ
15.3.12.3 財務状況
15.3.12.4 SWOT分析
15.3.13 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
15.3.13.1 会社概要
15.3.13.2 製品ポートフォリオ


※参考情報

GaNパワーデバイスは、窒化ガリウム(GaN)を基盤とする半導体デバイスで、高効率で高出力の電力変換を実現するために使用されます。GaNは、広いバンドギャップを持つ材料であり、これによりデバイスは高温、高電圧、及び高周波の条件下でも動作することが可能です。この特性により、GaNパワーデバイスは従来のシリコン(Si)デバイスに比べて、より高い効率とパフォーマンスを提供します。
GaNパワーデバイスの主な種類には、GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)、GaN FET(Field Effect Transistor)、およびGaN IC(Integrated Circuit)があります。GaN HEMTは、主に高周波および高出力の用途に使用され、非常に高速なスイッチングが可能です。GaN FETも類似の特性を持ち、高効率な電力変換が求められる際に利用されます。GaN ICは、複数の機能を統合したデバイスで、スペースの節約とシステム全体のコスト削減に貢献します。

用途面では、GaNパワーデバイスはさまざまな分野で利用されています。電源供給装置、電気自動車、再生可能エネルギー、通信機器、サーバーなどが例として挙げられます。特に、電源変換やDC-DCコンバータにおいて、高い効率を求められる場合に強力な選択肢となります。電気自動車の充電器や動力変換装置でも、その効率の高さからますます重要な役割を果たしています。

GaNデバイスの主な利点には、高いスイッチング速度、高い耐圧、小型化、軽量化などがあります。高スイッチング速度により、スイッチング損失が減少し、全体の効率向上に寄与します。また、高耐圧は、より小型のデバイスで高電圧を扱えることから、冷却システムや関連部品のコストを削減することが可能です。さらに、シリコンと比較してデバイスサイズを縮小できるため、サイズ制約のある設計においても有利です。

関連技術としては、GaNの製造プロセスや材料の進化が挙げられます。特に、サファイアやシリコン基板上にGaNを成長させる技術が進歩しており、コスト削減につながっています。また、エピタキシャル成長技術の進展により、高品質のGaNを安定的に製造することが可能となり、デバイスの性能も向上しています。

現在、GaNパワーデバイスはますます普及しており、特にエネルギー効率の向上が求められる市場で重要性を増しています。技術の進展とともに、コストも低下しているため、将来的にはより多くのアプリケーションや普及が見込まれます。次世代のパワーエレクトロニクスやマイクロ波通信といった高度な分野でも期待が寄せられています。GaNパワーデバイスは、持続可能な社会の実現に向けた重要な要素の一つとして位置づけられており、その発展が注目されています。


*** 免責事項 ***
https://www.globalresearch.co.jp/disclaimer/



※注目の調査資料
※当サイト上のレポートデータは弊社H&Iグローバルリサーチ運営のMarketReport.jpサイトと連動しています。
※当市場調査資料(IMARC23NOV237 )"GaNパワーデバイスのグローバル市場:ディスクリートパワーデバイス、統合パワーデバイス、RFパワーデバイス、ディスクリートRFパワーデバイス、その他" (英文:GaN Power Device Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2023-2028)はIMARC社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。


◆H&Iグローバルリサーチのお客様(例)◆


※当サイトに掲載していない調査資料も弊社を通してご購入可能ですので、お気軽にご連絡ください。ウェブサイトでは紹介しきれない資料も数多くございます。
※無料翻訳ツールをご利用いただけます。翻訳可能なPDF納品ファイルが対象です。ご利用を希望されるお客様はご注文の時にその旨をお申し出ください。