カテゴリ： IMARC, IT/電子, 世界

強誘電性RAMのグローバル市場：シリアルメモリ、パラレルメモリ、その他

■ 英語タイトル：Ferroelectric RAM Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2023-2028

調査会社IMARC社が発行したリサーチレポート（データ管理コード：IMARC23DCB0185）■ 発行会社/調査会社：IMARC
■ 商品コード：IMARC23DCB0185
■ 発行日：2023年11月
   最新版(2025年又は2026年)版があります。お問い合わせください。
■ 調査対象地域：グローバル
■ 産業分野：電子
■ ページ数：145
■ レポート言語：英語
■ レポート形式：PDF
■ 納品方式：Eメール
■ 販売価格オプション（消費税別）
Single UserUSD3,999 ⇒換算￥623,844見積依頼/購入/質問フォーム
Five UserUSD4,999 ⇒換算￥779,844見積依頼/購入/質問フォーム
EnterprisewideUSD5,999 ⇒換算￥935,844見積依頼/購入/質問フォーム
※販売価格オプションの説明はこちらで、ご購入に関する詳細案内はご利用ガイドでご確認いただけます。
※お支払金額は「換算金額（日本円）＋消費税＋配送料（Eメール納品は無料）」です。
※Eメールによる納品の場合、通常ご注文当日～2日以内に納品致します。
※レポート納品後、納品日＋5日以内に請求書を発行・送付致します。（請求書発行日より2ヶ月以内の銀行振込条件、カード払いも可能）
※IMARC社の概要及び新刊レポートはこちらでご確認いただけます。
★グローバルリサーチ資料[強誘電性RAMのグローバル市場：シリアルメモリ、パラレルメモリ、その他]についてメールでお問い合わせはこちら
*** レポート概要（サマリー）***

強誘電性RAMの世界市場規模は2022年に313.8百万米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、2022年から2028年の間に3.3%の成長率（CAGR）を示し、2028年までに381.2百万米ドルに達すると予測しています。
強誘電性ランダムアクセスメモリ（RAM）（FRAM）とは、ダイナミックRAMの高速読み書きアクセスを実現するRAMのことです。チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）製の薄い強誘電体膜と、プレートに接続されたビット線とコンデンサで構成されています。シリアル・メモリとパラレル・メモリが主に使用されるFRAMの2つで、PDA（パーソナル・デジタル・アシスタント）、スマートフォン、ワイヤレス製品、スマート・メーター、自動車用電子機器、スマート・カード、医療機器、ウェアラブル機器などの民生用電子機器に搭載されています。従来から使用されているフラッシュドライブと比較すると、FRAMは消費電力が少なく、書き込み-消去サイクル数が多く、書き込み性能が高速です。

世界中の情報技術（IT）産業の著しい成長は、市場の見通しを明るくする重要な要因の1つです。さらに、電子ハンドヘルド・デバイスの普及も市場の成長を後押ししています。スマートメーターの製造業者も、バッテリー駆動のワイヤレスセンサーを動作させるためにFRAMを採用し、動作寿命を延ばし、全体的なメンテナンスコストを最小限に抑えています。これが市場成長をさらに強化しています。さらに、産業用モノのインターネット（IIoT）やクラウドコンピューティングソリューションとコネクテッドデバイスの統合など、様々な技術的進歩が他の成長促進要因として作用しています。最新のFRAMは、工場設備の試験・計測や産業プロセスの不揮発性データキャプチャのための、連続的で高周波かつ信頼性の高いデータロギングを必要とするアプリケーションに使用されています。その他の要因としては、産業オートメーションの増加、広範な研究開発（R&D）活動などが挙げられ、市場のさらなる牽引役となることが予想されます。

主な市場セグメンテーション：
IMARC Groupは、強誘電性RAMの世界市場レポートの各サブセグメントにおける主要動向の分析と、2023年から2028年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、市場をタイプ、用途、エンドユーザーに基づいて分類しています。

タイプ別内訳：

シリアルメモリ
パラレルメモリ
その他

用途別内訳：

マスストレージ
組み込みストレージ
その他

用途別内訳：

セキュリティシステム
エネルギーメーター
スマートカード
家電
ウェアラブル・エレクトロニクス
オートモーティブ・エレクトロニクス
その他

地域別内訳：

北米
アメリカ
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
中南米
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

競争環境：
本レポートでは、市場の競争環境についても分析しており、主なプレーヤーとして、Fujitsu Limited (Furukawa Group), Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, LAPIS Semiconductor Co. Ltd. (Rohm Semiconductor), Samsung Electronics Co. Ltd., Texas Instruments Incorporated and Toshiba Corporationなどが挙げられます。

本レポートで扱う主な質問：

1. 2022年の強誘電性RAMの世界市場規模は？
2. 2023年～2028年の強誘電性RAMの世界市場成長率は？
3. 強誘電性RAMの世界市場を牽引する主な要因は何か？
4. 強誘電性RAMの世界市場におけるCOVID-19の影響は?
5. 強誘電性RAMの世界市場におけるタイプ別の内訳は?
6. 強誘電性RAMの世界市場の用途別内訳は?
7. 強誘電性RAMの世界市場における主要地域は?
8. 強誘電性RAMの世界市場における主要プレイヤー/企業は?

1　序章
2　調査範囲・方法
3　エグゼクティブサマリー
4　イントロダクション
5　世界の強誘電性RAM市場
6　世界の強誘電性RAM市場規模：種類別
7　世界の強誘電性RAM市場規模：用途別
8　世界の強誘電性RAM市場規模：エンドユーザー別
9　世界の強誘電性RAM市場規模：地域別
10　SWOT分析
11　バリューチェーン分析
12　ポーターズファイブフォース分析
13　価格分析
14　競争状況

世界の市場調査レポート販売サイト（H&Iグローバルリサーチ株式会社運営）
*** レポート目次（コンテンツ）***

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推計
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界の強誘電体RAM市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場内訳
6.1 シリアルメモリ
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 パラレルメモリ
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
6.3その他
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場予測
7 アプリケーション別市場内訳
7.1 マスストレージ
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 組み込みストレージ
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 その他
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 エンドユーザー別市場内訳
8.1 セキュリティシステム
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 電力メーター
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 スマートカード
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 コンシ​​ューマーエレクトロニクス
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 ウェアラブルエレクトロニクス
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 車載エレクトロニクス
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
8.7 その他
8.7.1 市場動向
8.7.2 市場予測
9 地域別市場内訳
9.1 北米
9.1.1 米国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋地域
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 ヨーロッパ
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 英国イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 ラテンアメリカ
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東およびアフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場内訳
9.5.3 市場予測
10 SWOT分析
10.1 概要
10.2 強み
10.3 弱み
10.4 機会
10.5 脅威
11 バリューチェーン分析
12 ポーターのファイブフォース分析
12.1 概要
12.2 買い手の交渉力
12.3 サプライヤーの交渉力
12.4 競争の度合い
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレーヤー
14.3 主要プレーヤーのプロフィール
14.3.1 富士通株式会社（古河グループ）
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.1.3 財務状況
14.3.1.4 SWOT分析
14.3.2 インフィニオンテクノロジーズAG
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.2.3 財務状況
14.3.2.4 SWOT分析
14.3.3 インターナショナルビジネスマシンズコーポレーション
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 財務状況
14.3.3.4 SWOT分析
14.3.4 ラピスセミコンダクタ株式会社（ロームセミコンダクタ）
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.5 サムスン電子株式会社
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務状況
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 テキサス・インスツルメンツ株式会社
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務状況
14.3.6.4 SWOT分析
14.3.7 株式会社東芝
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務状況
14.3.7.4 SWOT分析

図1：世界の強誘電体RAM市場：主要な推進要因と課題
図2：世界の強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年～2022年
図3：世界の強誘電体RAM市場：タイプ別内訳（％）、2022年
図4：世界の強誘電体RAM市場：用途別内訳（％）、2022年
図5：世界の強誘電体RAM市場：最終用途別内訳（％）、2022年
図6：世界の強誘電体RAM市場：地域別内訳（％）、2022年
図7：世界の強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図8：世界の強誘電体RAM（シリアルメモリ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図9：世界の強誘電体RAM（シリアルメモリ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図10：世界：強誘電体RAM（パラレルメモリ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図11：世界：強誘電体RAM（パラレルメモリ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図12：世界：強誘電体RAM（その他のタイプ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図13：世界：強誘電体RAM（その他のタイプ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図14：世界：強誘電体RAM（マスストレージ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図15：世界：強誘電体RAM（マスストレージ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図16：世界：強誘電体RAM（組み込みストレージ）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図17：世界：強誘電体RAM（組み込みストレージ）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図18：世界：強誘電体RAM（その他）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図19：世界：強誘電体RAM（その他）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図20：世界：強誘電体RAM（セキュリティシステム）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図21：世界：強誘電体RAM（セキュリティシステム）市場予測：売上高（百万米ドル） 2023～2028年
図22：世界：強誘電体RAM（電力メーター）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図23：世界：強誘電体RAM（電力メーター）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図24：世界：強誘電体RAM（スマートカード）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図25：世界：強誘電体RAM（スマートカード）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図26：世界：強誘電体RAM（民生用電子機器）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図27：世界：強誘電体RAM（民生用電子機器）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図28：世界：強誘電体RAM（ウェアラブルエレクトロニクス）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図29：世界：強誘電体RAM（ウェアラブルエレクトロニクス）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図30：世界：強誘電体RAM（車載エレクトロニクス）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図31：世界：強誘電体RAM（車載エレクトロニクス）市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図32：世界：強誘電体RAM（その他の用途）市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図33：世界：強誘電体RAM（その他の用途）市場予測：売上高(百万米ドル)、2023～2028年
図34：北米：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図35：北米：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図36：米国：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図37：米国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図38：カナダ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図39：カナダ：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図40：アジア太平洋地域：強誘電体RAM市場売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図41：アジア太平洋地域：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図42：中国：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図43：中国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図44：日本：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図45：日本：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図46：インド：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図47：インド：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図48：韓国：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図49：韓国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図50：オーストラリア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図51：オーストラリア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図52：インドネシア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図53：インドネシア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図54：その他：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図55：その他：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図56：欧州：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図57：欧州：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図58：ドイツ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図59：ドイツ：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図60：フランス：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図61：フランス：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図62：英国：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図63：英国：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図64：イタリア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図65：イタリア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図66：スペイン：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図67：スペイン：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図68：ロシア：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図69：ロシア：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図70：その他：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図71：その他：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図72：ラテンアメリカ：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図73：ラテンアメリカ：強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図74：ブラジル：強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図75: ブラジル: 強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図76: メキシコ: 強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図77: メキシコ: 強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図78: その他: 強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図79: その他: 強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図80: 中東およびアフリカ: 強誘電体RAM市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図81: 中東およびアフリカ: 強誘電体RAM市場予測：売上高（百万米ドル）、 2023～2028年
図82：世界：強誘電体RAM業界：SWOT分析
図83：世界：強誘電体RAM業界：バリューチェーン分析
図84：世界：強誘電体RAM業界：ポーターのファイブフォース分析

表1：世界の強誘電体RAM市場：主要産業のハイライト（2022年および2028年）
表2：世界の強誘電体RAM市場予測：タイプ別内訳（百万米ドル）、2023～2028年
表3：世界の強誘電体RAM市場予測：用途別内訳（百万米ドル）、2023～2028年
表4：世界の強誘電体RAM市場予測：最終用途別内訳（百万米ドル）、2023～2028年
表5：世界の強誘電体RAM市場予測：地域別内訳（百万米ドル）、2023～2028年
表6：世界の強誘電体RAM市場構造
表7：世界の強誘電体RAM市場：主要企業
※参考情報

強誘電性RAM（Ferroelectric RAM、FeRAM）は、非揮発性のメモリ技術で、情報を電気的に記録・保持するために強誘電体を用いたものです。従来のフラッシュメモリと同様に、強誘電性RAMも電源を切ってもデータを保持する能力がありますが、より高速な書き込みと読み出しが可能で、書き換え耐久性も優れています。強誘電体材料は、特定の電場に応じて電気的極性が変化し、この性質を利用してデータを格納します。
強誘電性RAMの基本的な構造には、強誘電体層が電極で挟まれた構造が使われます。代表的な強誘電体としては、チタン酸バリウム（BaTiO3）やジルコニウムチタン酸（ZrTiO3）などがあります。強誘電体は、外部から電場を印加することで、その中のフェロ電気的ドメインが整列し、特定の方向に極性を持つようになります。これにより、情報のビット（0または1）が表現されます。

強誘電性RAMには、いくつかの種類があります。その中でも一般的な技術には、ダイナミックFeRAM（DRAMのように動作）やスタティックFeRAM（SRAMのように動作）があります。DRAM型FeRAMは、リフレッシュが必要ない特長を持ち、高速なアクセスを実現できます。SRAM型FeRAMは、ビット保持が安定しているため、データを長時間保持できるという利点があります。

強誘電性RAMの用途は多岐にわたります。特に、センサーやIoTデバイス、自動車のエレクトロニクス、医療機器、携帯電話などでの使用が期待されています。これらのアプリケーションでは、低消費電力と高いパフォーマンスが要求されるため、強誘電性RAMの特性は非常に魅力的です。また、強誘電性RAMは、スタートアップや起動時の迅速な応答が求められるシステムにおいても注目されています。

この技術は、関連技術とも密接に連携しています。特に、NAND型フラッシュメモリやDRAM、SRAMなどの他のメモリ技術と競合関係にあり、それぞれの長所を生かした開発が進められています。強誘電性RAMは、MRAM（Magnetoresistive RAM）やPCRAM（Phase Change RAM）などの新しい非揮発性メモリ技術と組み合わせることで、より高性能なメモリソリューションを提供する可能性があります。

さらに、回路設計やプロセス技術も強誘電性RAMの性能向上に寄与する要素です。ナノスケールでのトランジスタ技術の進展は、強誘電性RAMの集積度を高め、コスト削減に貢献します。このため、将来的にはより小型かつ高性能なメモリモジュールの実現が期待されています。

まとめると、強誘電性RAMは、次世代のメモリ技術として非常に有望な分野です。高速、高耐久性、低消費電力という特性を持ち、多くのアプリケーションでの利用が進む中、今後の技術革新によってその可能性はさらに広がるでしょう。様々な関連技術との統合が進むことで、さらなる進化が期待され、情報社会におけるメモリの役割が一層重要になると考えられます。


*** 免責事項 ***
https://www.globalresearch.co.jp/disclaimer/
※関連調査資料
  • マルチタッチスクリーンの世界市場2023～2028：産業動向、シェア、規模、成長、機会・予測
  • 可変周波数ドライブ（VFD）のグローバル市場：ACドライブ、DCドライブ、サーボドライブ
  • 高度プロセス制御（APC）のグローバル市場：ソフトウェア、サービス
  • プロパンの世界市場2023-2028：産業動向、シェア、規模、成長、機会・予測
  • 水溶性ポリマーの世界市場2023～2028：産業動向、シェア、規模、成長、機会・予測
    • ※注目の調査資料
     ※当サイト上のレポートデータは弊社H&Iグローバルリサーチ運営のMarketReport.jpサイトと連動しています。
    ※当市場調査資料(IMARC23DCB0185 )"強誘電性RAMのグローバル市場：シリアルメモリ、パラレルメモリ、その他" (英文：Ferroelectric RAM Market: Global Industry Trends, Share, Size, Growth, Opportunity and Forecast 2023-2028)はIMARC社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。

    ◆H&Iグローバルリサーチのお客様（例）◆


    ※当サイトに掲載していない調査資料も弊社を通してご購入可能ですので、お気軽にご連絡ください。ウェブサイトでは紹介しきれない資料も数多くございます。
    ※無料翻訳ツールをご利用いただけます。翻訳可能なPDF納品ファイルが対象です。ご利用を希望されるお客様はご注文の時にその旨をお申し出ください。