第1章：序論
1.1. レポートの概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーにとっての主なメリット
1.4. 調査方法
1.4.1. 一次調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章：市場概要
3.1. 市場の定義と範囲
3.2. 主な調査結果
3.2.1. 主要な影響要因
3.2.2. 主要な投資対象地域
3.3. ポーターの5つの力分析
3.3.1. サプライヤーの高い交渉力
3.3.2. 新規参入の脅威：中程度
3.3.3. 代替品の脅威：低～中程度
3.3.4. 競争の激しさ：中～高
3.3.5. 買い手の交渉力：中～高
3.4.市場ダイナミクス
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. ワイドバンドギャップ材料の研究開発投資の増加
3.4.1.2. EV需要の急増が世界のワイドバンドギャップ半導体市場を牽引
3.4.2. 制約要因
3.4.2.1. ワイドバンドギャップ半導体の高コスト
3.4.3. 機会
3.4.3.1. 電気自動車におけるワイドバンドギャップデバイスの需要増加
第4章：ワイドバンドギャップ半導体市場（材料別）
4.1. 概要
4.1.1. 市場規模と予測
4.2. 炭化ケイ素（SiC）
4.2.1. 主要な市場動向、成長要因、および機会
4.2.2. 地域別の市場規模と予測
4.2.3. 国別の市場シェア分析
4.3. 窒化ガリウム（GaN）
4.3.1.主要市場動向、成長要因、機会
4.3.2. 地域別市場規模と予測
4.3.3. 国別市場シェア分析
4.4. ダイヤモンド
4.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.4.2. 地域別市場規模と予測
4.4.3. 国別市場シェア分析
4.5. その他
4.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
4.5.2. 地域別市場規模と予測
4.5.3. 国別市場シェア分析
第5章：ワイドバンドギャップ半導体市場（業種別）
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模と予測
5.2. コンシューマーエレクトロニクス
5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.2.2. 地域別市場規模と予測
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3. 自動車
5.3.1.主要市場動向、成長要因、機会
5.3.2. 地域別市場規模および予測
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. 航空宇宙・防衛
5.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.4.2. 地域別市場規模および予測
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. IT・通信
5.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.5.2. 地域別市場規模および予測
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. エネルギー・公益事業
5.6.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.6.2. 地域別市場規模および予測
5.6.3. 国別市場シェア分析
5.7. その他
5.7.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.7.2. 地域別市場規模および予測
5.7.3.国別市場シェア分析
第6章：ワイドバンドギャップ半導体市場（地域別）
6.1. 概要
6.1.1. 地域別市場規模と予測
6.2. 北米
6.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.2.2. 材料別市場規模と予測
6.2.3. 業種別市場規模と予測
6.2.4. 国別市場規模と予測
6.2.4.1. 米国
6.2.4.1.1. 材料別市場規模と予測
6.2.4.1.2. 業種別市場規模と予測
6.2.4.2. カナダ
6.2.4.2.1. 材料別市場規模と予測
6.2.4.2.2. 業種別市場規模と予測
6.2.4.3. メキシコ
6.2.4.3.1.市場規模と予測（材質別）
6.2.4.3.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3. アジア太平洋地域
6.3.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.2. 市場規模と予測（材質別）
6.3.3. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4. 市場規模と予測（国別）
6.3.4.1. 中国
6.3.4.1.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.1.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.2. 日本
6.3.4.2.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.2.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.3. インド
6.3.4.3.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.3.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.4.韓国
6.3.4.4.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.4.2. 市場規模と予測（業種別）
6.3.4.5. その他のアジア太平洋地域
6.3.4.5.1. 市場規模と予測（材質別）
6.3.4.5.2. 市場規模と予測（業種別）
6.4. ヨーロッパ
6.4.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.4.2. 市場規模と予測（材質別）
6.4.3. 市場規模と予測（業種別）
6.4.4. 市場規模と予測（国別）
6.4.4.1. 英国
6.4.4.1.1. 市場規模と予測（材質別）
6.4.4.1.2. 市場規模と予測（業種別）
6.4.4.2. ドイツ
6.4.4.2.1. 市場規模と予測（材質別）
6.4.4.2.市場規模および予測（業種別）
6.4.4.3. フランス
6.4.4.3.1. 市場規模および予測（材質別）
6.4.4.3.2. 市場規模および予測（業種別）
6.4.4.4. その他ヨーロッパ
6.4.4.4.1. 市場規模および予測（材質別）
6.4.4.4.2. 市場規模および予測（業種別）
6.5. LAMEA
6.5.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.2. 市場規模および予測（材質別）
6.5.3. 市場規模および予測（業種別）
6.5.4. 市場規模および予測（国別）
6.5.4.1. ラテンアメリカ
6.5.4.1.1. 市場規模および予測（材質別）
6.5.4.1.2. 市場規模および予測（業種別）
6.5.4.2. 中東
6.5.4.2.1.市場規模と予測（材質別）
6.5.4.2.2. 市場規模と予測（業種別）
6.5.4.3. アフリカ
6.5.4.3.1. 市場規模と予測（材質別）
6.5.4.3.2. 市場規模と予測（業種別）
第7章：競争環境
7.1. はじめに
7.2. 主要勝利戦略
7.3. 上位10社の製品マッピング
7.4. 競合ダッシュボード
7.5. 競合ヒートマップ
7.6. 2022年における上位企業のポジショニング
第8章：企業プロフィール
8.1. インフィニオン テクノロジーズ AG
8.1.1. 会社概要
8.1.2. 主要役員
8.1.3. 会社概要
8.1.4. 事業セグメント
8.1.5. 製品ポートフォリオ
8.1.6. 業績
8.1.7. 主要な戦略的動きと展開
8.2. Microsemi Corporation
8.2.1. 会社概要
8.2.2. 主要役員
8.2.3. 会社概要
8.2.4. 事業セグメント
8.2.5. 製品ポートフォリオ
8.2.6. 業績
8.3. STMicroelectronics
8.3.1. 会社概要
8.3.2. 主要役員
8.3.3. 会社概要
8.3.4. 事業セグメント
8.3.5. 製品ポートフォリオ
8.3.6. 業績
8.3.7. 主要な戦略的動きと展開
8.4. ROHM Semiconductor
8.4.1. 会社概要
8.4.2. 主要役員
8.4.3. 会社概要
8.4.4. 事業セグメント
8.4.5. 製品ポートフォリオ
8.4.6. 業績
8.4.7. 主要な戦略的動きと展開
8.5. Texas Instruments Inc.
8.5.1.会社概要
8.5.2. 主要役員
8.5.3. 会社概要
8.5.4. 事業セグメント
8.5.5. 製品ポートフォリオ
8.5.6. 業績
8.5.7. 主要な戦略的動きと展開
8.6. Vishay Intertechnology Inc.
8.6.1. 会社概要
8.6.2. 主要役員
8.6.3. 会社概要
8.6.4. 事業セグメント
8.6.5. 製品ポートフォリオ
8.6.6. 業績
8.7. Genesic Semiconductor
8.7.1. 会社概要
8.7.2. 主要役員
8.7.3. 会社概要
8.7.4. 事業セグメント
8.7.5. 製品ポートフォリオ
8.8. パナソニック株式会社
8.8.1. 会社概要
8.8.2. 主要役員
8.8.3. 会社概要
8.8.4. 事業セグメント
8.8.5.製品ポートフォリオ
8.8.6. 業績
8.9. Nexperia
8.9.1. 会社概要
8.9.2. 主要役員
8.9.3. 会社概要
8.9.4. 事業セグメント
8.9.5. 製品ポートフォリオ
8.9.6. 主要な戦略的動きと展開
8.10. Wolfspeed, Inc.
8.10.1. 会社概要
8.10.2. 主要役員
8.10.3. 会社概要
8.10.4. 事業セグメント
8.10.5. 製品ポートフォリオ
8.10.6. 業績
8.10.7. 主要な戦略的動きと展開
1.1. Report description
1.2. Key market segments
1.3. Key benefits to the stakeholders
1.4. Research methodology
1.4.1. Primary research
1.4.2. Secondary research
1.4.3. Analyst tools and models
CHAPTER 2: EXECUTIVE SUMMARY
2.1. CXO Perspective
CHAPTER 3: MARKET OVERVIEW
3.1. Market definition and scope
3.2. Key findings
3.2.1. Top impacting factors
3.2.2. Top investment pockets
3.3. Porter’s five forces analysis
3.3.1. High bargaining power of suppliers
3.3.2. Moderate threat of new entrants
3.3.3. Low to moderate threat of substitutes
3.3.4. Moderate to high intensity of rivalry
3.3.5. Moderate to high bargaining power of buyers
3.4. Market dynamics
3.4.1. Drivers
3.4.1.1. Growing investments in R&D activities for wide bandgap materials
3.4.1.2. Surge in demand for EVs driving global wide band gap semiconductors market
3.4.2. Restraints
3.4.2.1. High cost of wide bandgap semiconductor
3.4.3. Opportunities
3.4.3.1. Growing demand for wide bandgap devices in electric vehicles
CHAPTER 4: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY MATERIAL
4.1. Overview
4.1.1. Market size and forecast
4.2. Silicon Carbide (SiC)
4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.2.2. Market size and forecast, by region
4.2.3. Market share analysis by country
4.3. Gallium Nitride (GaN)
4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.3.2. Market size and forecast, by region
4.3.3. Market share analysis by country
4.4. Diamond
4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.4.2. Market size and forecast, by region
4.4.3. Market share analysis by country
4.5. Others
4.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.5.2. Market size and forecast, by region
4.5.3. Market share analysis by country
CHAPTER 5: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY INDUSTRY VERTICAL
5.1. Overview
5.1.1. Market size and forecast
5.2. Consumer Electronics
5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.2.2. Market size and forecast, by region
5.2.3. Market share analysis by country
5.3. Automotive
5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.3.2. Market size and forecast, by region
5.3.3. Market share analysis by country
5.4. Aerospace and Defense
5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.4.2. Market size and forecast, by region
5.4.3. Market share analysis by country
5.5. IT and Telecom
5.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.5.2. Market size and forecast, by region
5.5.3. Market share analysis by country
5.6. Energy and Utility
5.6.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.6.2. Market size and forecast, by region
5.6.3. Market share analysis by country
5.7. Others
5.7.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.7.2. Market size and forecast, by region
5.7.3. Market share analysis by country
CHAPTER 6: WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS MARKET, BY REGION
6.1. Overview
6.1.1. Market size and forecast By Region
6.2. North America
6.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.2. Market size and forecast, by Material
6.2.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.2.4. Market size and forecast, by country
6.2.4.1. U.S.
6.2.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.2.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.2.4.2. Canada
6.2.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.2.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.2.4.3. Mexico
6.2.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.2.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3. Asia-Pacific
6.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.2. Market size and forecast, by Material
6.3.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4. Market size and forecast, by country
6.3.4.1. China
6.3.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.2. Japan
6.3.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.3. India
6.3.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.4. South Korea
6.3.4.4.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.4.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.3.4.5. Rest of Asia-Pacific
6.3.4.5.1. Market size and forecast, by Material
6.3.4.5.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4. Europe
6.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.2. Market size and forecast, by Material
6.4.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4. Market size and forecast, by country
6.4.4.1. UK
6.4.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4.2. Germany
6.4.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4.3. France
6.4.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.4.4.4. Rest of Europe
6.4.4.4.1. Market size and forecast, by Material
6.4.4.4.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5. LAMEA
6.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.2. Market size and forecast, by Material
6.5.3. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5.4. Market size and forecast, by country
6.5.4.1. Latin America
6.5.4.1.1. Market size and forecast, by Material
6.5.4.1.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5.4.2. Middle East
6.5.4.2.1. Market size and forecast, by Material
6.5.4.2.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
6.5.4.3. Africa
6.5.4.3.1. Market size and forecast, by Material
6.5.4.3.2. Market size and forecast, by Industry Vertical
CHAPTER 7: COMPETITIVE LANDSCAPE
7.1. Introduction
7.2. Top winning strategies
7.3. Product mapping of top 10 player
7.4. Competitive dashboard
7.5. Competitive heatmap
7.6. Top player positioning, 2022
CHAPTER 8: COMPANY PROFILES
8.1. Infineon Technologies AG
8.1.1. Company overview
8.1.2. Key executives
8.1.3. Company snapshot
8.1.4. Operating business segments
8.1.5. Product portfolio
8.1.6. Business performance
8.1.7. Key strategic moves and developments
8.2. Microsemi Corporation.
8.2.1. Company overview
8.2.2. Key executives
8.2.3. Company snapshot
8.2.4. Operating business segments
8.2.5. Product portfolio
8.2.6. Business performance
8.3. STMicroelectronics
8.3.1. Company overview
8.3.2. Key executives
8.3.3. Company snapshot
8.3.4. Operating business segments
8.3.5. Product portfolio
8.3.6. Business performance
8.3.7. Key strategic moves and developments
8.4. ROHM Semiconductor
8.4.1. Company overview
8.4.2. Key executives
8.4.3. Company snapshot
8.4.4. Operating business segments
8.4.5. Product portfolio
8.4.6. Business performance
8.4.7. Key strategic moves and developments
8.5. Texas Instruments Inc.
8.5.1. Company overview
8.5.2. Key executives
8.5.3. Company snapshot
8.5.4. Operating business segments
8.5.5. Product portfolio
8.5.6. Business performance
8.5.7. Key strategic moves and developments
8.6. Vishay Intertechnology Inc.
8.6.1. Company overview
8.6.2. Key executives
8.6.3. Company snapshot
8.6.4. Operating business segments
8.6.5. Product portfolio
8.6.6. Business performance
8.7. Genesic Semiconductor
8.7.1. Company overview
8.7.2. Key executives
8.7.3. Company snapshot
8.7.4. Operating business segments
8.7.5. Product portfolio
8.8. Panasonic Corporation
8.8.1. Company overview
8.8.2. Key executives
8.8.3. Company snapshot
8.8.4. Operating business segments
8.8.5. Product portfolio
8.8.6. Business performance
8.9. Nexperia
8.9.1. Company overview
8.9.2. Key executives
8.9.3. Company snapshot
8.9.4. Operating business segments
8.9.5. Product portfolio
8.9.6. Key strategic moves and developments
8.10. Wolfspeed, Inc.
8.10.1. Company overview
8.10.2. Key executives
8.10.3. Company snapshot
8.10.4. Operating business segments
8.10.5. Product portfolio
8.10.6. Business performance
8.10.7. Key strategic moves and developments
| ※参考情報 ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが大きい半導体材料のことを指します。通常の半導体、例えばシリコンのバンドギャップは約1.1 eVであるのに対し、ワイドバンドギャップ半導体は一般的に2.3 eV以上のバンドギャップを持っています。この大きなバンドギャップにより、高温、高電圧、または高周波数の環境下でも動作できる優れた特性を持っています。 代表的なワイドバンドギャップ半導体には、窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）、および酸化亜鉛（ZnO）などがあります。窒化ガリウムは、特に高周波数や高電圧のアプリケーションにおいて非常に優れた性能を発揮し、LEDやレーザー、パワーエレクトロニクスに広く利用されています。炭化ケイ素は、耐熱性や耐電圧性に優れており、主にパワー半導体や電力変換システムでの利用が進んでいます。酸化亜鉛は主にUVセンサや光電池の分野で注目されています。 ワイドバンドギャップ半導体の特徴には、高い熱伝導性や耐熱性、そして高い電子移動度があります。これにより、高温環境下でも動作が可能であり、効率的な電力変換や信号処理が実現できます。また、化合物半導体特有の特性によって、より小型化されたデバイスの開発が可能となり、軽量化や省エネルギー化が進むことにも寄与しています。 これらの半導体は、主にパワーエレクトロニクス、通信、電子デバイス、自動車産業などさまざまな分野で活用されています。具体的には、電気自動車のインバータや充電器、再生可能エネルギーのインバータ、さらには通信機器における高周波小型アンプなどが挙げられます。例えば、電気自動車においては、ワイドバンドギャップ半導体を用いたインバータが従来のシリコンデバイスよりも高効率で、バッテリーの使用時間を延ばす役割を果たします。 さらに、ワイドバンドギャップ半導体は、次世代の量子コンピュータやセンサ技術においても重要な役割を担うと考えられています。特に、量子コンピュータにおける量子ビットの実現に向けて、高い耐障害性を持つ素材が求められる中で、これらの半導体材料が注目されています。 関連技術としては、ワイドバンドギャップ半導体の成長技術や加工技術が挙げられます。エピタキシー技術やCVD（化学蒸着法）、MOCVD（金属有機化学蒸着法）などがこれに該当します。また、これらの半導体を用いたデバイスの設計や材料特性の評価方法、さらには熱管理技術や冷却システムも関連しています。 ワイドバンドギャップ半導体は、現代のテクノロジーの進化において重要な役割を果たす材料であり、今後ますますその利用範囲が広がると予想されています。これらの半導体を用いることで、より効率的で高性能な電子機器の実現が期待され、多様な産業に貢献することとなるでしょう。 |
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