カテゴリ： IMARC, IT/電子, 世界

世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場予測（2024年-2032年）：種類別（トグルMRAM、スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM））、提供別（スタンドアロン、組み込み）、用途別（民生用電子機器、ロボット、企業向けストレージ、自動車、航空宇宙・防衛、その他）、地域別

■ 英語タイトル：Magneto Resistive RAM (MRAM) Market Report by Type (Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)), Offering (Stand-alone, Embedded), Application (Consumer Electronics, Robotics, Enterprise Storage, Automotive, Aerospace and Defense, and Others), and Region 2024-2032
	■ 発行会社/調査会社：IMARC ■ 商品コード：IMARC24MY280 ■ 発行日：2024年4月最新版(2025年又は2026年)版があります。お問い合わせください。 ■ 調査対象地域：グローバル ■ 産業分野：電子＆半導体 ■ ページ数：136 ■ レポート言語：英語 ■ レポート形式：PDF ■ 納品方式：Eメール

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*** レポート概要（サマリー）***

磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は、2023年に6億1720万米ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、2024年から2032年の間に37.1%の成長率（CAGR）を示し、2032年までに市場は110億7,630万米ドルに達すると予測しています。
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）または磁気RAMは、情報を格納するために電荷を使用する不揮発性メモリです。スピントランスファートルクMRAMとトグルMRAMは、一般的に利用可能な種類の一部です。これらは、誘電体層または絶縁層を介して分離された2つの磁性層から成る磁気トンネル接合（MTJ）を利用します。高密度RAMであり、キャパシタとトランジスタを含みます。従来から使用されているダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）と比較して、MRAMは電源なしでメモリに保存された情報を保持でき、コスト効率が高く、大きなエネルギーを消費するパルスを必要としません。その結果、ロボット工学、自動車、家電製品、企業向けストレージ・システムなどに広く使用されています。

磁気抵抗RAM（MRAM）の市場動向：
民生用電子機器業界の著しい成長は、市場の見通しを明るくする重要な要因の1つです。MRAMは、ワークステーション、スマートウェアラブル、スマートフォン、デジタルカメラなど、さまざまな電子機器に広く使用されています。さらに、高温データストレージに対する航空宇宙および防衛産業での製品需要の増加が、市場の成長を後押ししています。さらに、耐放射線マイクロチップ用の低消費電力MRAMの開発など、さまざまな製品革新が市場成長を後押ししています。これらの製品は電力効率に優れ、放射線に強く、温度変動下でも動作可能です。これに伴い、モノのインターネット（IoT）対応デバイスの需要の増加、高度なセンサーやスマートロボットの普及が、市場成長にプラスの影響を与えています。その他、小型化およびカスタマイズされた集積回路（IC）における製品利用の増加や、医療上の様々な障害の非侵襲的診断検査のためのMRAM内蔵医療センサーの広範な採用などが、市場の成長を促進すると予測されています。

主な市場セグメンテーション
IMARC Groupは、世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場レポートの各サブセグメントにおける主要動向の分析と、2024年から2032年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、市場をタイプ、提供、用途に基づいて分類しています。

タイプ別内訳

トグルMRAM
スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）

製品別内訳

スタンドアロン
組み込み型

アプリケーション別構成比

コンシューマー・エレクトロニクス
ロボット
エンタープライズ・ストレージ
自動車
航空宇宙・防衛
その他

地域別内訳

北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

競争状況：
業界の競争環境についても、Avalanche Technology Inc.、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Samsung Electronics Co. Ltd.、Spin Memory Inc.、Toshiba Corporation、Tower Semiconductor Ltd.。

本レポートで扱う主な質問

1. 2023年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は？
2. 2024年～2032年の磁気抵抗RAM（MRAM）世界市場の予想成長率は？
3. 磁気抵抗RAM (MRAM)の世界市場を牽引する主な要因は？
4. COVID-19が磁気抵抗RAM (MRAM)の世界市場に与えた影響は？
5. 磁気抵抗RAM(MRAM)の世界市場のタイプ別内訳は？
6. 磁気抵抗膜式RAM(MRAM)の世界市場における製品別内訳は?
7. 磁気抵抗RAM(MRAM)の世界市場の用途別内訳は？
8. 磁気抵抗RAM (MRAM)の世界市場における主要地域は?
9. 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場における主要プレーヤー/企業は？

*** レポート目次（コンテンツ）***

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法
3 エグゼクティブ・サマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要産業動向
5 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場
5.1 市場概要
5.2 市場パフォーマンス
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場
6.1 トグルMRAM
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM）
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 オファリング別市場内訳
7.1 スタンドアロン
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 組み込み型
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
8 アプリケーション別市場
8.1 コンシューマー・エレクトロニクス
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ロボット
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 企業向けストレージ
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 自動車
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 航空宇宙・防衛
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 その他
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
9 地域別市場内訳
9.1 北米
9.1.1 米国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 欧州
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 中南米
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東・アフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場内訳
9.5.3 市場予測
10 SWOT分析
10.1 概要
10.2 長所
10.3 弱点
10.4 機会
10.5 脅威
11 バリューチェーン分析
12 ポーターズファイブフォース分析
12.1 概要
12.2 買い手の交渉力
12.3 供給者の交渉力
12.4 競争の程度
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレーヤー
14.3 主要プレーヤーのプロフィール
14.3.1 アバランチ・テクノロジー社
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.2 クロッカス・ナノ・エレクトロニクス LLC
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.3 Everspin Technologies Inc.
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 財務
14.3.4 ハネウェル・インターナショナル・インク
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.4.3 財務
14.3.4.4 SWOT分析
14.3.5 インフィニオン・テクノロジーズAG
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 インテルコーポレーション
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務
14.3.6.4 SWOT分析
14.3.7 NVE株式会社
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務
14.3.8 クアルコム・インコーポレイテッド
14.3.8.1 会社概要
14.3.8.2 製品ポートフォリオ
14.3.8.3 財務
14.3.8.4 SWOT分析
14.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.9.1 会社概要
14.3.9.2 製品ポートフォリオ
14.3.9.3 財務
14.3.9.4 SWOT分析
14.3.10 スピンメモリー
14.3.10.1 会社概要
14.3.10.2 製品ポートフォリオ
14.3.11 株式会社東芝
14.3.11.1 会社概要
14.3.11.2 製品ポートフォリオ
14.3.11.3 財務
14.3.11.4 SWOT分析
14.3.12 タワーセミコンダクター
14.3.12.1 会社概要
14.3.12.2 製品ポートフォリオ
14.3.12.3 財務

※参考情報

磁気抵抗RAM（MRAM）は、データを記録するために磁気的な効果を利用する不揮発性メモリの一種です。MRAMは、電源を切ってもデータを保持する能力があり、従来のランダムアクセスメモリ（RAM）やフラッシュメモリと比較して優れた特性を持つことで知られています。MRAMの基本概念は、スピン依存性電気伝導を利用し、磁気トンネル接合（MTJ）がデータを格納する仕組みにあります。このMTJは、2つの磁性層の間に絶縁層が挟まれた構造で、各磁性層の磁化の方向が異なることで、電流の通過抵抗が変わります。これにより、データがビット単位で「0」または「1」として表現されます。
MRAMにはいくつかの種類があります。一般的には、スタティックMRAM（SMRAM）とダイナミックMRAM（DMRAM）が存在します。スタティックMRAMは、ビット情報を保持するために持続的な電力供給を必要としないため、より高速な読み書きが可能です。一方、ダイナミックMRAMは、ビット情報を保持するのに一定の時間が必要であり、一般的には低消費電力な用途に適しています。また、スピントロニクス技術が用いられたスピンMRAMも注目されています。これは、スピンの状態を利用して情報を記録し、高速かつ低消費電力を実現する可能性があります。

MRAMはさまざまな用途に利用されており、とりわけ組込型システム、ストレージデバイス、高性能コンピューティングなどでその特性を活かしています。例えば、MRAMは、スマートフォンやタブレットのメモリ、デジタルカメラのストレージ、さらには自動運転車両のセンサーシステムや人工知能（AI）プロセッサにおいても重要な役割を果たしています。その不揮発性、耐熱性、耐放射線性などの特性が、特に軍事用途や宇宙関連の分野での採用を促進しています。

MRAMの関連技術には、スピンバルブセンサー、磁気トンネル接合、バルク材料の磁気特性改善、ナノスケール加工技術などがあります。スピンバルブセンサーは、MRAMの記録方式に基づく効率的なデータ読み取り方法を提供し、より高密度なデータ記録を実現するのに役立ちます。また、磁気トンネル接合は、MTJの性能向上に寄与しています。これにより、MRAMは高速度、高密度、低消費電力のメモリソリューションとして急速に進化しています。

さらに、MRAMは非揮発性メモリの中でも特に注目を集めており、次世代のメモリー技術としての地位を築いています。MRAMは、データの書き込み速度や耐久性が極めて高く、従来のシリコンベースのメモリ技術に替わる可能性を秘めています。そのため、データセンターやクラウドコンピューティングなど、データの大量処理が求められる環境においても重要な技術となるでしょう。

このように、MRAMは次世代のメモリ技術として多くの期待が寄せられています。今後の技術革新によって、より高性能で低コストなMRAM製品が市場に投入されることが期待されており、IT産業やさまざまな分野での活用が進むでしょう。MRAMは、その高い性能と多様な用途により、メモリ技術の未来を形作る重要な要素であると言えます。

*** 磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場に関するよくある質問(FAQ) ***

・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は？
→IMARC社は2023年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を6億1720万米ドルと推定しています。

・磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場予測は？
→IMARC社は2032年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模を110億7,630万米ドルと予測しています。

・磁気抵抗RAM（MRAM）市場の成長率は？
→IMARC社は磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場が2024年～2032年に年平均37.1%成長すると展望しています。

・世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場における主要プレイヤーは？
→「Avalanche Technology Inc.、Crocus Nano Electronics LLC、Everspin Technologies Inc.、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm Incorporated、Samsung Electronics Co. Ltd.、Spin Memory Inc.、Toshiba Corporation and Tower Semiconductor Ltd.など ...」を磁気抵抗RAM（MRAM）市場のグローバル主要プレイヤーとして判断しています。

※上記FAQの市場規模、市場予測、成長率、主要企業に関する情報は本レポートの概要を作成した時点での情報であり、最終レポートの情報と少し異なる場合があります。

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