世界のGaNパワーデバイス市場レポート:デバイスタイプ別(パワーデバイス、RFパワーデバイス)、電圧範囲別(<200ボルト、200–600ボルト、>600ボルト)、用途(パワー駆動、電源システム、高周波ベースシステム)、最終用途産業(通信、自動車、再生可能エネルギー発電、軍事、航空宇宙・防衛、民生用電子機器、その他)、地域別 2025-2033

■ 英語タイトル:Global GaN Power Device Market Report : Device Type (Power Device, RF Power Device), Voltage Range (<200 Volt, 200–600 Volt, >600 Volt), Application (Power Drives, Power Supply Systems, Radio Frequency Based Systems), End-Use Industry (Telecommunications, Automotive, Renewable Power Generation, Military, Aerospace and Defense, Consumer Electronics, and Others), and Region 2025-2033

調査会社IMARC社が発行したリサーチレポート(データ管理コード:IMA25SM0926)■ 発行会社/調査会社:IMARC
■ 商品コード:IMA25SM0926
■ 発行日:2025年8月
■ 調査対象地域:グローバル
■ 産業分野:重工業
■ ページ数:143
■ レポート言語:英語
■ レポート形式:PDF
■ 納品方式:Eメール
■ 販売価格オプション(消費税別)
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*** レポート概要(サマリー)***

世界のGaNパワーデバイス市場規模は2024年に4億5,100万米ドルに達した。今後、IMARCグループは2033年までに市場規模が47億620万米ドルに達し、2025年から2033年にかけて年平均成長率(CAGR)28.28%で成長すると予測している。この市場の急速な拡大は、エネルギー効率化への需要増大、電気自動車(EV)市場の近年の進展、半導体産業における革新の加速、再生可能エネルギー技術の普及拡大、そして電子機器の継続的な小型化といった要因によって牽引されている。

GaNパワーデバイス市場の動向:
エネルギー効率化への需要増加
エネルギー効率化への急激な移行は、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス市場の成長を牽引する主要因である。GaNデバイスはシリコンベースのデバイスよりも高い電圧・周波数・温度での動作が可能であり、より効率的な電力変換を実現する。例えば、Efficient Power Conversion(EPC)は、窒化ガリウム(GaN)FETを搭載したスケーラブルな1.5kW、2相48V-12Vデモボード「EPC9137」を発表した。このデモボードの設計はスケーラブルであり、2台のコンバータを並列接続して3kWを実現したり、3台のコンバータを並列接続して4.5kWを実現したりできる。2025年までに、世界で販売される車両の10台に1台が48Vマイルドハイブリッド車になると予測されている。これらのハイブリッドシステムは燃費効率を向上させ、4倍の出力を供給し、二酸化炭素排出量を削減するため、1.5kW~6kWの出力範囲を持つ48V-12V双方向コンバータが必要となる。EPCのeGaN FETは250kHzスイッチング周波数で97%の効率を実現し、シリコンベースソリューションが最大スイッチング周波数100kHzにおけるインダクタ電流制限により600W/相に制限されるのに対し、800W/相を可能にします。この傾向は、エネルギー消費とカーボンフットプリントの削減を目的とした政府の規制や政策によって支えられており、GaNパワーデバイスの市場をさらに推進しています。
電気自動車(EV)市場の成長
急成長するEV市場はGaNパワーデバイスの成長を大きく牽引する。車載充電器、DC/DCコンバータ、パワーインバータなど、EVにおけるこれらのデバイスは極めて重要である。GaNの優れた効率性と高電力密度はEVに最適であり、軽量化・小型化・信頼性向上に貢献する。例えば、IQE plcはGaN企業VisICとの戦略的提携により、EVインバーター向け高信頼性GaN Dモード(D-Mode GaN)パワー製品を開発した。200mm DモードGaNパワーエピウェハーを開発し、EVの航続距離延長と急速充電を実現。電気自動車普及における二大課題の解決に取り組んでいる。さらにEPCは、モーター駆動システムの効率・航続距離・トルクを向上させつつ重量当たりの出力を倍増させるGaNベースのインバータリファレンス設計「EPC9194」の開発を発表。入力電圧範囲14V~60Vで動作し、最大60Apk(40ARMS)の出力電流を供給する。この電圧範囲と電力レベルにより、eバイク、eスクーター、ドローン、ロボット、DCサーボモーターなど、様々な三相BLDCモーター駆動に最適なソリューションとなっています。
半導体技術の進歩
半導体材料および製造プロセスの継続的な改善とブレークスルーにより、GaN パワーデバイスのコストは大幅に削減され、性能は向上しています。例えば、半導体ソリューションの主要サプライヤーであるMACOM Technology Solutions Inc.(「MACOM」)は、新しい窒化ガリウム・オン・シリコンカーバイド(GaN-on-SiC)パワーアンプ製品ラインを開発し、最初の2つの新製品であるMAPC-A1000とMAPC-A1100を発表しました。MAPC-A1000は、30MHz~2.7GHzの動作範囲で設計された高出力GaN-on-SiC増幅器である。入力整合回路を内蔵しており、顧客の設計導入作業を簡素化する。さらに、2.2GHz以上の同時帯域幅動作を想定した回路でテストした場合、500MHzから2.7GHzの周波数帯域において50%以上の効率で25W(44dBm)以上の出力を供給可能です。これと並行して、MAPC-A1100は3.5GHzまでの動作を想定した高出力GaN-on-SiC増幅器です。本デバイスは、空気キャビティセラミックパッケージにおいて、少なくとも65W(48.1dBm)の出力電力レベルで連続波(CW)およびパルス動作をサポート可能です。これらの進歩は、予測期間における市場成長を後押しすると見込まれています。

GaNパワーデバイス市場のセグメンテーション:
IMARC Groupは、2025年から2033年までの世界・地域・国レベルでの予測とともに、市場の各セグメントにおける主要トレンドの分析を提供します。本レポートでは、市場をデバイスタイプ、電圧範囲、用途、最終用途産業に基づいて分類しています。
デバイスタイプ別内訳:
• パワーデバイス
o ディスクリートパワーデバイス
o 集積型パワーデバイス
• RFパワーデバイス
o ディスクリートRFパワーデバイス
o 集積型RFパワーデバイス
本レポートでは、デバイスタイプに基づく市場の詳細な分類と分析を提供しています。これには、パワーデバイス(ディスクリートパワーデバイスと集積パワーデバイス)およびRFパワーデバイス(ディスクリートRFパワーデバイスと集積RFパワーデバイス)が含まれます。
GaNパワーデバイス市場分析によれば、パワーデバイス分野は効率的な電力変換・管理を必要とするアプリケーションに特化している。再生可能エネルギー、自動車、産業、民生用電子機器などの産業向け電源装置、インバーター、コンバーターが該当する。GaNパワーデバイスは、その効率性、優れた熱伝導性、より高い周波数・温度での動作能力が高く評価されている。
GaNパワーデバイスの市場区分によれば、高周波(RF)パワーデバイスは高周波信号の生成・管理を必要とする用途に使用される。これは、セルラー基地局、衛星通信、レーダーシステムなどの通信機器(軍事・防衛用途を含む)に必須である。GaN RFパワーデバイスは、高周波域における優れた電力密度、効率性、信頼性で知られている。
電圧範囲別分類:
• <200ボルト
• 200–600ボルト
• >600ボルト
本報告書では電圧範囲に基づく市場の詳細な分類と分析も提供されています。これには200ボルト未満、200~600ボルト、600ボルト超が含まれます。
GaNパワーデバイス市場統計によると、200ボルト未満カテゴリーは、民生用電子機器、モバイルデバイス、自動車サブシステムにおける低~中電力アプリケーションを重視しています。携帯電話、ノートパソコン、その他の携帯機器への急速充電に適しています。高い効率性と熱性能により、軽量でコンパクト、かつエネルギー効率の高い電源アダプターやコンバーターを実現し、民生用電子機器分野で人気が高まっています。
GaNパワーデバイス市場分析によれば、200-600V GaNパワーデバイスは電気自動車(EV)、再生可能エネルギーシステム、産業用電源など幅広い用途をカバーする。EV車載充電器、DC/DCコンバータ、太陽光インバータに採用され、効率向上・小型化・熱制御を実現することで、GaNパワーデバイス市場の近年の発展を牽引している。
GaNパワーデバイス市場概況によれば、600V超のカテゴリーは産業用モーター、送電網インフラ、高電圧直流送電(HVDC)システムなどの高電力用途に広く活用されている。高電圧に耐えつつ損失を最小化し効率を向上させる能力が評価されている。さらに、GaNは高電圧下でも効果的に機能するため、産業機械やグリッド規模の電力変換など、強力な電力処理能力を必要とする用途に最適です。
用途別内訳:
• 動力駆動装置
• 電源システム
• 高周波ベースシステム
本レポートでは、用途に基づく市場の詳細な分類と分析を提供しています。これには、動力駆動装置、電源システム、および高周波ベースのシステムが含まれます。
このGaNパワーデバイス市場の展望に沿い、電力駆動セグメントは電動モーターおよび駆動装置の制御・管理に関わるアプリケーションを対象としています。これには電気自動車(EV)、産業用オートメーションシステム、高性能コンピューティング冷却システムが含まれます。GaNの卓越した効率性と高スイッチング周波数は、モーター駆動装置のコンパクト化・軽量化・省エネルギー設計を可能にし、GaNパワーデバイス市場の推進要因に好影響を与えています。
電源システム分野では、GaNパワーデバイスが民生用電子機器、通信、データセンター向け電源ユニット(PSU)、アダプター、コンバーターの設計と機能性を向上させています。低オン抵抗や高熱伝導性といった固有特性により、より小型・軽量で高効率な電源装置が実現され、発熱を抑えながら高周波数動作が可能となることで、GaNパワーデバイスの市場シェア拡大を推進しています。
高周波(RF)ベースのシステム分野は、携帯電話基地局、レーダーシステム、衛星通信、RF加熱など、高周波信号の生成と増幅を必要とするアプリケーションに焦点を当てています。マイクロ波およびミリ波周波数帯における高電力密度、効率性、信頼性が高く評価されており、よりコンパクトでエネルギー効率の高いRFシステムを実現しています。
最終用途産業別内訳:
• 電気通信
• 自動車
• 再生可能エネルギー発電
• 軍事
• 航空宇宙・防衛
• 民生用電子機器
• その他
本レポートでは、最終用途産業に基づく市場の詳細な内訳と分析も提供されています。これには、通信、自動車、再生可能エネルギー発電、軍事、航空宇宙・防衛、民生用電子機器、その他が含まれます。
通信業界では、GaNパワーデバイスがセルラーネットワークの基地局展開におけるネットワーク効率と容量を向上させ、第5世代(5G)技術の拡大に貢献しています。さらに、高電力密度への対応能力と高周波数での効率的な動作を実現し、通信機器が増加するデータトラフィックをサポートし、より高速で信頼性の高い無線通信を提供することを可能にします。
自動車分野では、特に電気自動車(EV)やハイブリッドシステムにおいてGaNパワーデバイスの採用が進み、大きな変革が起きている。EVのパワートレイン、車載充電器、DC/DCコンバータ、パワーインバータに利用され、従来のシリコンベースの部品に比べて高効率化、小型化、軽量化の利点をもたらす。さらに、厳しい環境規制への対応と車両性能向上のための電動化への移行が進んでいることが、GaNパワーデバイス市場の将来に好影響を与えています。
GaNパワーデバイスの市場動向によれば、太陽光発電(PV)インバーターや風力発電コンバーターなど、再生可能エネルギー発電分野において極めて重要な役割を担っている。その優れた効率性と高周波動作能力により、よりコンパクトでコスト効率の高い再生可能エネルギーシステムを実現する。さらに、持続可能なエネルギー源への急激な移行が、再生可能エネルギーシステムの変換効率を最大化するためのGaN技術の活用を促進しており、GaNパワーデバイスの市場需要を拡大させている。
軍事・航空宇宙・防衛産業では、レーダーシステム、衛星通信、電子戦など過酷な環境下での高出力・高信頼性が求められる用途においてGaNパワーデバイスが不可欠である。さらに、極限環境下でのGaNの堅牢性と高性能は、運用効果と信頼性を確保する様々な重要用途において大きな優位性を提供する。
民生用電子機器分野では、小型化・高効率化・高性能化が進む電子機器の需要増に対応するためGaNパワーデバイスが活用されている。スマートフォン、ノートPC、ウェアラブル機器、スマートホームデバイス向けに、コンパクトな電源アダプター、急速充電技術、効率的な電力管理ソリューションを実現する。さらに、継続的な小型化の推進と高性能電子機器への需要が、GaNパワーデバイス市場の成長を後押ししている。
地域別内訳:
• 北米
o アメリカ合衆国
o カナダ
• アジア太平洋
・中国
o 日本
o インド
o 韓国
o オーストラリア
o インドネシア
o その他
• ヨーロッパ
o ドイツ
o フランス
o イギリス
o イタリア
o スペイン
o ロシア
o その他
• ラテンアメリカ
o ブラジル
o メキシコ
o その他
• 中東・アフリカ
本レポートでは、主要地域市場(北米(米国・カナダ)、アジア太平洋(中国・日本・インド・韓国・オーストラリア・インドネシアなど)、欧州(ドイツ・フランス・英国・イタリア・スペイン・ロシアなど)、ラテンアメリカ(ブラジル・メキシコなど)、中東・アフリカ)の包括的な分析も提供しています。
アジア太平洋地域は、堅調な製造基盤、技術・インフラへの多額の投資、自動車、民生用電子機器、再生可能エネルギーなどの最終用途産業の急速な成長により、急速に成長しています。中国、日本、韓国などの国々は、電気自動車(EV)生産と通信インフラの最先端に位置し、5Gネットワークの展開も進んでいる。例えば、中国は世界の電気自動車(EV)販売の58%、総EV生産の70%という巨大な割合を占めている。
欧州のGaNパワーデバイス市場は、エネルギー効率、再生可能エネルギー、そして電気自動車への移行が進む自動車セクターへの強い注力によって牽引されている。さらに、欧州連合(EU)の厳しい炭素排出量規制とエネルギー消費規制が、GaNのような先進技術の採用を促進している。例えば欧州議会は「欧州気候法」を採択し、2030年までに温室効果ガス排出量を少なくとも55%削減するEU目標を引き上げ、2050年までの気候中立を法的拘束力のある目標とした。
北米はGaNパワーデバイスの主要市場であり、高い技術導入率、先進的な研究開発(R&D)能力、確立された通信・自動車産業が特徴である。米国は主要半導体企業や研究機関の存在に支えられ、GaN技術開発において極めて重要な役割を担っている。
ラテンアメリカにおけるGaNパワーデバイス市場は、通信、再生可能エネルギー、自動車分野への投資増加を背景に成長段階にある。さらに、持続可能な開発とエネルギー効率への関心の高まりがGaNパワーデバイス応用拡大の機会を生み、市場成長に寄与している。
中東・アフリカ(MEA)地域では、再生可能エネルギー、通信、インフラ開発に関連する用途においてGaNパワーデバイスへの関心が高まっている。さらに、MEA地域の各国は太陽光発電プロジェクトやインフラ近代化への投資を拡大しており、効率的な電力変換技術への需要を牽引している。

競争環境:
• 本市場調査レポートでは、市場の競争環境に関する包括的な分析も提供しています。主要企業の詳細なプロファイルも掲載されています。GaNパワーデバイス業界の主要な市場プレイヤーには、Efficient Power Conversion、GaN Systems Inc.、IQE、Koninklijke Philips N.V.、MACOM Technology Solutions、Microsemi Corporation(Microchip Technology Inc.)、三菱電機株式会社、Navitas Semiconductor Inc.、Qorvo Inc.、住友電気工業株式会社、Texas Instruments Incorporated、東芝株式会社、Wolfspeed Inc.(Cree Inc.)などが挙げられる。

(これは主要プレイヤーの一部リストであり、完全なリストはレポート内に記載されています。)

• GaNパワーデバイス市場の主要企業は、効率向上、コスト削減、新たな応用分野の開拓を目的として、研究開発(R&D)を積極的に推進している。さらに、GaNデバイスの性能と信頼性を向上させるため、製造プロセスとデバイス設計の革新に注力している。例えば、住友電気工業株式会社は、5Gを含む高周波増幅器用途向けに、N極性GaNを用いた窒化ガリウムトランジスタ(GaN-HEMT)を開発した。これに加え、主要企業はGaNソリューションの開発と商業化を加速させるため、互いの強みを活用する戦略的提携や協業を形成している。

本レポートで回答する主要な質問
1. 2024年の世界のGaNパワーデバイス市場の規模は?
2. 2025年から2033年にかけて、世界のGaNパワーデバイス市場はどの程度の成長率が見込まれるか?
3. COVID-19は世界のGaNパワーデバイス市場にどのような影響を与えたか?
4. 世界のGaNパワーデバイス市場を牽引する主な要因は何か?
5. 用途産業別に見た世界のGaNパワーデバイス市場の内訳は?
6. 世界のGaNパワーデバイス市場における主要地域はどこですか?
7. 世界のGaNパワーデバイス市場における主要プレイヤー/企業は?

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*** レポート目次(コンテンツ)***

1 序文
2 範囲と方法論
2.1 研究の目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次資料
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 グローバルGaNパワーデバイス市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 デバイスタイプ別市場分析
6.1 パワーデバイス
6.1.1 市場動向
6.1.2 主要タイプ
6.1.2.1 ディスクリートパワーデバイス
6.1.2.2 集積パワーデバイス
6.1.3 市場予測
6.2 高周波パワーデバイス
6.2.1 市場動向
6.2.2 主な種類
6.2.2.1 ディスクリートRFパワーデバイス
6.2.2.2 集積型高周波電力デバイス
6.2.3 市場予測
7 電圧範囲別の市場区分
7.1 200ボルト未満
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 200~600 ボルト
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 600 ボルト以上
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 用途別市場分析
8.1 動力駆動装置
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 電源システム
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 無線周波数ベースのシステム
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
9 用途産業別市場分析
9.1 電気通信
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 自動車
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 再生可能エネルギー発電
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
9.4 軍事
9.4.1 市場動向
9.4.2 市場予測
9.5 航空宇宙・防衛
9.5.1 市場動向
9.5.2 市場予測
9.6 民生用電子機器
9.6.1 市場動向
9.6.2 市場予測
9.7 その他
9.7.1 市場動向
9.7.2 市場予測
10 地域別市場分析
10.1 北米
10.1.1 アメリカ合衆国
10.1.1.1 市場動向
10.1.1.2 市場予測
10.1.2 カナダ
10.1.2.1 市場動向
10.1.2.2 市場予測
10.2 アジア太平洋地域
10.2.1 中国
10.2.1.1 市場動向
10.2.1.2 市場予測
10.2.2 日本
10.2.2.1 市場動向
10.2.2.2 市場予測
10.2.3 インド
10.2.3.1 市場動向
10.2.3.2 市場予測
10.2.4 韓国
10.2.4.1 市場動向
10.2.4.2 市場予測
10.2.5 オーストラリア
10.2.5.1 市場動向
10.2.5.2 市場予測
10.2.6 インドネシア
10.2.6.1 市場動向
10.2.6.2 市場予測
10.2.7 その他
10.2.7.1 市場動向
10.2.7.2 市場予測
10.3 ヨーロッパ
10.3.1 ドイツ
10.3.1.1 市場動向
10.3.1.2 市場予測
10.3.2 フランス
10.3.2.1 市場動向
10.3.2.2 市場予測
10.3.3 イギリス
10.3.3.1 市場動向
10.3.3.2 市場予測
10.3.4 イタリア
10.3.4.1 市場動向
10.3.4.2 市場予測
10.3.5 スペイン
10.3.5.1 市場動向
10.3.5.2 市場予測
10.3.6 ロシア
10.3.6.1 市場動向
10.3.6.2 市場予測
10.3.7 その他
10.3.7.1 市場動向
10.3.7.2 市場予測
10.4 ラテンアメリカ
10.4.1 ブラジル
10.4.1.1 市場動向
10.4.1.2 市場予測
10.4.2 メキシコ
10.4.2.1 市場動向
10.4.2.2 市場予測
10.4.3 その他
10.4.3.1 市場動向
10.4.3.2 市場予測
10.5 中東およびアフリカ
10.5.1 市場動向
10.5.2 国別市場分析
10.5.3 市場予測
11 SWOT分析
11.1 概要
11.2 強み
11.3 弱み
11.4 機会
11.5 脅威
12 バリューチェーン分析
13 ポーターの5つの力分析
13.1 概要
13.2 購買者の交渉力
13.3 供給者の交渉力
13.4 競争の激しさ
13.5 新規参入の脅威
13.6 代替品の脅威
14 価格指標
15 競争環境
15.1 市場構造
15.2 主要プレイヤー
15.3 主要プレイヤーのプロファイル
15.3.1 効率的な電力変換
15.3.1.1 会社概要
15.3.1.2 製品ポートフォリオ
15.3.2 GaN Systems Inc.
15.3.2.1 会社概要
15.3.2.2 製品ポートフォリオ
15.3.3 IQE
15.3.3.1 会社概要
15.3.3.2 製品ポートフォリオ
15.3.3.3 財務情報
15.3.4 Koninklijke Philips N.V.
15.3.4.1 会社概要
15.3.4.2 製品ポートフォリオ
15.3.4.3 財務
15.3.5 MACOM Technology Solutions
15.3.5.1 会社概要
15.3.5.2 製品ポートフォリオ
15.3.5.3 財務
15.3.6 マイクロセミ・コーポレーション(マイクロチップ・テクノロジー社)
15.3.6.1 会社概要
15.3.6.2 製品ポートフォリオ
15.3.6.3 SWOT分析
15.3.7 三菱電機株式会社
15.3.7.1 会社概要
15.3.7.2 製品ポートフォリオ
15.3.7.3 財務
15.3.7.4 SWOT 分析
15.3.8 Navitas Semiconductor Inc.
15.3.8.1 会社概要
15.3.8.2 製品ポートフォリオ
15.3.9 Qorvo Inc.
15.3.9.1 会社概要
15.3.9.2 製品ポートフォリオ
15.3.9.3 財務状況
15.3.9.4 SWOT 分析
15.3.10 住友電気工業株式会社
15.3.10.1 会社概要
15.3.10.2 製品ポートフォリオ
15.3.10.3 財務
15.3.10.4 SWOT 分析
15.3.11 テキサス・インスツルメンツ社
15.3.11.1 会社概要
15.3.11.2 製品ポートフォリオ
15.3.11.3 財務
15.3.12 東芝株式会社
15.3.12.1 会社概要
15.3.12.2 製品ポートフォリオ
15.3.12.3 財務
15.3.12.4 SWOT 分析
15.3.13 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
15.3.13.1 会社概要
15.3.13.2 製品ポートフォリオ

表1:グローバル:GaNパワーデバイス市場:主要産業ハイライト、2024年および2033年
表2:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:デバイスタイプ別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表3:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:電圧範囲別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表4:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:用途別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表5:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:最終用途産業別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表6:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:地域別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表7:グローバル:GaNパワーデバイス市場:競争構造
表8:グローバル:GaNパワーデバイス市場:主要企業

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global GaN Power Device Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Device Type
6.1 Power Device
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Major Types
6.1.2.1 Discrete Power Device
6.1.2.2 Integrated Power Device
6.1.3 Market Forecast
6.2 RF Power Device
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Major Types
6.2.2.1 Discrete RF Power Device
6.2.2.2 Integrated RF Power Device
6.2.3 Market Forecast
7 Market Breakup by Voltage Range
7.1 <200 Volt
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 200–600 Volt
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 >600 Volt
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Application
8.1 Power Drives
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Power Supply Systems
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 Radio Frequency Based Systems
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
9 Market Breakup by End-Use Industry
9.1 Telecommunications
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 Automotive
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Renewable Power Generation
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
9.4 Military
9.4.1 Market Trends
9.4.2 Market Forecast
9.5 Aerospace and Defense
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Forecast
9.6 Consumer Electronics
9.6.1 Market Trends
9.6.2 Market Forecast
9.7 Others
9.7.1 Market Trends
9.7.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Region
10.1 North America
10.1.1 United States
10.1.1.1 Market Trends
10.1.1.2 Market Forecast
10.1.2 Canada
10.1.2.1 Market Trends
10.1.2.2 Market Forecast
10.2 Asia Pacific
10.2.1 China
10.2.1.1 Market Trends
10.2.1.2 Market Forecast
10.2.2 Japan
10.2.2.1 Market Trends
10.2.2.2 Market Forecast
10.2.3 India
10.2.3.1 Market Trends
10.2.3.2 Market Forecast
10.2.4 South Korea
10.2.4.1 Market Trends
10.2.4.2 Market Forecast
10.2.5 Australia
10.2.5.1 Market Trends
10.2.5.2 Market Forecast
10.2.6 Indonesia
10.2.6.1 Market Trends
10.2.6.2 Market Forecast
10.2.7 Others
10.2.7.1 Market Trends
10.2.7.2 Market Forecast
10.3 Europe
10.3.1 Germany
10.3.1.1 Market Trends
10.3.1.2 Market Forecast
10.3.2 France
10.3.2.1 Market Trends
10.3.2.2 Market Forecast
10.3.3 United Kingdom
10.3.3.1 Market Trends
10.3.3.2 Market Forecast
10.3.4 Italy
10.3.4.1 Market Trends
10.3.4.2 Market Forecast
10.3.5 Spain
10.3.5.1 Market Trends
10.3.5.2 Market Forecast
10.3.6 Russia
10.3.6.1 Market Trends
10.3.6.2 Market Forecast
10.3.7 Others
10.3.7.1 Market Trends
10.3.7.2 Market Forecast
10.4 Latin America
10.4.1 Brazil
10.4.1.1 Market Trends
10.4.1.2 Market Forecast
10.4.2 Mexico
10.4.2.1 Market Trends
10.4.2.2 Market Forecast
10.4.3 Others
10.4.3.1 Market Trends
10.4.3.2 Market Forecast
10.5 Middle East and Africa
10.5.1 Market Trends
10.5.2 Market Breakup by Country
10.5.3 Market Forecast
11 SWOT Analysis
11.1 Overview
11.2 Strengths
11.3 Weaknesses
11.4 Opportunities
11.5 Threats
12 Value Chain Analysis
13 Porters Five Forces Analysis
13.1 Overview
13.2 Bargaining Power of Buyers
13.3 Bargaining Power of Suppliers
13.4 Degree of Competition
13.5 Threat of New Entrants
13.6 Threat of Substitutes
14 Price Indicators
15 Competitive Landscape
15.1 Market Structure
15.2 Key Players
15.3 Profiles of Key Players
15.3.1 Efficient Power Conversion
15.3.1.1 Company Overview
15.3.1.2 Product Portfolio
15.3.2 GaN Systems Inc.
15.3.2.1 Company Overview
15.3.2.2 Product Portfolio
15.3.3 IQE
15.3.3.1 Company Overview
15.3.3.2 Product Portfolio
15.3.3.3 Financials
15.3.4 Koninklijke Philips N.V.
15.3.4.1 Company Overview
15.3.4.2 Product Portfolio
15.3.4.3 Financials
15.3.5 MACOM Technology Solutions
15.3.5.1 Company Overview
15.3.5.2 Product Portfolio
15.3.5.3 Financials
15.3.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Inc.)
15.3.6.1 Company Overview
15.3.6.2 Product Portfolio
15.3.6.3 SWOT Analysis
15.3.7 Mitsubishi Electric Corporation
15.3.7.1 Company Overview
15.3.7.2 Product Portfolio
15.3.7.3 Financials
15.3.7.4 SWOT Analysis
15.3.8 Navitas Semiconductor Inc.
15.3.8.1 Company Overview
15.3.8.2 Product Portfolio
15.3.9 Qorvo Inc.
15.3.9.1 Company Overview
15.3.9.2 Product Portfolio
15.3.9.3 Financials
15.3.9.4 SWOT Analysis
15.3.10 Sumitomo Electric Industries Ltd.
15.3.10.1 Company Overview
15.3.10.2 Product Portfolio
15.3.10.3 Financials
15.3.10.4 SWOT Analysis
15.3.11 Texas Instruments Incorporated
15.3.11.1 Company Overview
15.3.11.2 Product Portfolio
15.3.11.3 Financials
15.3.12 Toshiba Corporation
15.3.12.1 Company Overview
15.3.12.2 Product Portfolio
15.3.12.3 Financials
15.3.12.4 SWOT Analysis
15.3.13 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
15.3.13.1 Company Overview
15.3.13.2 Product Portfolio


※参考情報

ガリウムナイトライド(GaN)パワーデバイスは、高効率で高出力な電子デバイスとして、近年多くの注目を集めています。従来のシリコン(Si)ベースのパワーデバイスと比べて、優れた性能を持っていることで知られています。GaNは、半導体材料の一種で、特に高温や高電圧環境での使用に適しています。ガリウム(Ga)と窒素(N)から構成されるこの材料は、非常に広いバンドギャップを持ち、これにより高い耐圧特性と高速スイッチング能力を実現しています。
GaNパワーデバイスは、その優れた電気的特性から、さまざまな用途で利用されています。例えば、電源供給装置、充電器、電動車両、再生可能エネルギーシステムなどです。このようなデバイスは、従来のシリコンデバイスに比べて、スイッチング損失が少なく、エネルギー効率が高いため、電力変換時の熱損失が抑えられます。これにより、冷却システムのコストやサイズを縮小することが可能になり、全体としてシステムの省スペース化が達成できます。

GaNパワーデバイスの技術的な利点として、スイッチング速度が非常に速いことがあります。この速さは、スイッチング周波数の向上を可能にし、よりコンパクトな回路設計を実現します。特に、高周波数での動作が求められるアプリケーションでは、GaNデバイスが非常に有利です。また、GaNデバイスは高温環境に強いため、冷却装置の必要が減少し、より高効率な運用が可能となります。

GaNパワーデバイスには、主にハイパワーFET(Field Effect Transistor)やポンプ型ダイオードが含まれます。これらは、通常、エピタキシャル成長法や分子線エピタキシー(MBE)などの先進的な技術を用いて製造されます。これにより、高い結晶品質が維持され、デバイスの性能が向上します。また、GaN材料は、非常に高い電界強度に耐えることができるため、高い電圧での運用も可能です。

ただし、GaNパワーデバイスにはいくつかの課題も存在します。例えば、製造コストがシリコンデバイスよりも高く、普及においては経済的な障壁となることがあります。また、シリコンとの互換性が低いため、既存のシリコンベースのインフラに容易に統合できない場合があります。さらに、GaNデバイスは、静電気放電(ESD)に対する感受性が高く、扱いには注意が必要です。

最近では、GaN技術は進化を続け、コスト削減や製造プロセスの改善が進行中です。これにより、GaNパワーデバイスの市場は拡大しています。自動運転技術や、電動車両、IoT(Internet of Things)デバイスなど、さまざまな分野での需要が高まっています。さらに、再生可能エネルギー分野でも、効率的な電力変換が求められており、GaNパワーデバイスが果たす役割はますます重要になっています。

将来的には、GaN技術の進歩により、より低コストで高性能なデバイスが登場することが期待されています。そして、これに伴い、さまざまな産業での応用が拡大することでしょう。GaNパワーデバイスは、今後の電力エレクトロニクスの重要な要素となると考えられています。

このように、GaNパワーデバイスは、次世代の電力変換技術として、様々な利点を提供します。高出力、高効率、コンパクトな設計が求められる現代の電子機器において、GaNの役割はますます重要性を増しています。今後さらに、技術の進化とともに、GaNパワーデバイスが様々な業界での標準となる日が来るかもしれません。これにより、持続可能な社会の実現にも大きく寄与することでしょう。


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※注目の調査資料
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※当市場調査資料(IMA25SM0926 )"世界のGaNパワーデバイス市場レポート:デバイスタイプ別(パワーデバイス、RFパワーデバイス)、電圧範囲別(&lt;200ボルト、200–600ボルト、&gt;600ボルト)、用途(パワー駆動、電源システム、高周波ベースシステム)、最終用途産業(通信、自動車、再生可能エネルギー発電、軍事、航空宇宙・防衛、民生用電子機器、その他)、地域別 2025-2033" (英文:Global GaN Power Device Market Report : Device Type (Power Device, RF Power Device), Voltage Range (<200 Volt, 200–600 Volt, >600 Volt), Application (Power Drives, Power Supply Systems, Radio Frequency Based Systems), End-Use Industry (Telecommunications, Automotive, Renewable Power Generation, Military, Aerospace and Defense, Consumer Electronics, and Others), and Region 2025-2033)はIMARC社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。


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