カテゴリ： YH Research, 世界

GaN-On-SiCデバイスの世界及び日本市場2026年：種類別（GaN HEMT、GaN MMIC）

■ 英語タイトル：GaN-On-SiC Devices - Global Top Players Market Share and Ranking 2026

調査会社YH Research社が発行したリサーチレポート（データ管理コード：YHR26MY2671）■ 発行会社/調査会社：YH Research
■ 商品コード：YHR26MY2671
■ 発行日：2026年5月
■ 調査対象地域：グローバル
■ 産業分野：電子・半導体
■ ページ数：126
■ レポート言語：英語
■ レポート形式：PDF
■ 納品方式：Eメール
■ 販売価格オプション（消費税別）
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*** レポート概要（サマリー）***

GaN-on-SiCデバイスの世界市場規模は、2025年の15億600万米ドルから2032年までに23億4500万米ドルへと拡大し、2026年から2032年までの期間における年平均成長率（CAGR）は6.4％になると見込まれています。
2025年の米国関税メカニズムの戦略的見直しは、世界経済ガバナンスの規範を再定義しつつあります。 本調査では、関税エスカレーションの伝播メカニズムと、企業の投資戦略、地域貿易ネットワーク、重要素材の供給体制に対する世界的な政策対応を分析する。
GaN-on-SiCデバイスは、一般的に、半絶縁性SiC基板上にGaN/AlGaNヘテロ構造を（主にMOCVD法により）成長させ、商用製品に加工したRF/マイクロ波/ミリ波デバイスおよびICを指す。 実用的な市場範囲においては、これにはディスクリートRF GaNパワートランジスタ（GaN HEMT、ダイまたはパッケージ品）、GaN MMIC（PA/ドライバ/LNA/スイッチ機能を統合したモノリシックマイクロ波IC）、およびPAやT/Rビルディングブロック内部で使用されるシステム向けチップが含まれる。 この技術の理論的根拠は、GaNの高い電力密度能力と、SiCの高い熱伝導率および低いRF損失を組み合わせることにあり、そのためGaN-on-SiCは、高電力密度RF性能を実現するための最適なスタックとして長い間位置づけられてきました。
技術的には、GaN-on-SiCはGaN HEMTの2DEGチャネルを活用して、より高い破壊電圧/動作電圧、より高い電流密度、および高周波性能を実現し、高出力時における高効率とダイサイズの小型化につながります。 同時に、SiC 基板の熱処理は、電力密度と寿命にとって第一級の制限要因であり、熱設計（Rth/ホットスポット）、トラップに関連する動的挙動、およびパッケージの寄生要素/熱経路が、デバイス、MMIC、モジュールの統合における中心的な差別化要因となっています。 製造における主要なトレンドは、プラットフォームとウェーハサイズのスケールアップです。多くのGaN-on-SiCプロセスは従来100mmウェーハで稼働していましたが、主要なエコシステムでは、スケールとコスト効率を向上させるため、150mm（6インチ）へと拡大しています。 業界調査では、QorvoやNXPにおける150mmへの移行や、フル稼働の100mmラインと稼働率の低い150mmライン間のコスト負担のトレードオフが明確に議論されており、技術文献では、ウェハのスケールアップ（100mm→150mm）がGaN MMICの単価を削減する直接的な手段として強調されている。
アプリケーション、バリューチェーン、市場動向を横断して見ると、GaN-on-SiCデバイスは主に無線インフラ、衛星通信、航空宇宙・防衛（レーダー、電子戦、AESA送受信モジュール）によって牽引されており、特殊産業用／マイクロ波システムへの浸透も進んでいる。公開資料では、GaN MMIC／HEMT PAおよびLNAがレーダーシステムのコア構成要素であることも示されている。 上流チェーンは、半絶縁性SiC基板、エピタキシー（MOCVD）、デバイス／MMIC製造（IDMおよび信頼性の高いフローを含む専門RFファウンドリ）、ならびにRFパッケージングおよびテスト・フィーディング・システムのOEMに及びます。 業界側では、ポートフォリオの集中化と統合によりサプライチェーンが再構築されています。例えば、Wolfspeedは2023年にRF事業をMACOMに売却し、SiC半導体専業メーカーとなったと発表しました。 主なトレンドと推進要因には、防衛および衛星通信の成長、より高い電力・直線性を要求する高帯域幅RFアーキテクチャ（5G/6G）、基板プラットフォームのセグメンテーション（コスト重視の大量生産型RANではGaN-on-Siが好まれる一方、超高電力密度・高信頼性のニッチ市場ではGaN-on-SiCが引き続き採用される）、 さらに、将来の規模拡大とコスト削減を支える新たなオープンR&Dラインに後押しされ、上流のSiCエコシステムが150mmから200mmへと移行している点などが挙げられる。
本レポートは、世界のGaN-on-SiCデバイスの現状と将来動向を調査・分析し、タイプ別、用途別、企業別、地域・国別のGaN-on-SiCデバイス市場規模および市場機会の総量を把握する上で、クライアントを支援するものである。 本レポートは、GaN-On-SiCデバイス世界市場に関する詳細かつ包括的な分析であり、2025年を基準年として、市場規模（千台単位および百万米ドル）および前年比成長率を提示しています。
市場をより深く理解するために、本レポートでは競争環境、主要競合他社、およびそれぞれの市場順位に関するプロファイルを提供しています。また、技術動向や新製品開発についても論じています。
サプライヤーの売上高、市場シェア、企業プロファイルを含む、市場内の競争環境を評価します。

【ハイライト】
(1) 世界のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2025年の過去データ、および2026-2032年の予測データ（百万米ドル）および（千台）
(2) 世界のGaN-On-SiCデバイスの売上高、収益、企業別価格、市場シェア、業界ランキング（2021-2026年）、（百万米ドル）および（千台）
(3) 日本のGaN-On-SiCデバイスの売上高、収益、企業別価格、市場シェア、業界ランキング（2021-2026年）、（百万米ドル）および（千台）
(4) 世界のGaN-On-SiCデバイスの主要消費地域、消費数量、消費額、および需要構造
(5) 世界のGaN-On-SiCデバイスの主要生産地域、生産能力、生産量、および前年比成長率
(6) GaN-On-SiCデバイスの産業チェーン（上流、中流、下流）

主要企業別の市場セグメント：本レポートでは以下の企業を網羅
住友電気デバイス・イノベーションズ（SEDI）
MACOM
Qorvo
NXP
RFHIC Corporation
レイセオン
Dynax Semiconductor
三菱電機
CETC 55
ノースロップ・グラマン
Ampleon
UMS RF
CETC 13
ReliaSat (Arralis)
WAVICE Inc
Microchip Technology
Youjia Technology (Suzhou) Co., Ltd
Shenzhen Taigao Technology
Hebei Sinopack Electronic Technology
タイプ別の市場セグメントは、以下を網羅しています
GaN HEMT
GaN MMIC
ウェハーサイズ別の市場セグメントは、以下を網羅しています
6インチ GaN-on-SiCデバイス
4インチGaN-on-SiCデバイス
用途別市場セグメントは、以下に分類されます
通信インフラ
軍事・防衛
衛星通信
その他
地域別市場セグメント、地域分析の対象範囲
北米（米国、カナダ、メキシコ）
欧州（ドイツ、フランス、英国、ロシア、イタリア、およびその他の欧州諸国）
アジア太平洋（中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア、およびアジア太平洋その他）
南米（ブラジル、南米その他）
中東・アフリカ

レポートの内容：
第1章：GaN-on-SiCデバイスの製品範囲、世界販売数量、販売額、平均価格、日本における販売数量、販売額、平均価格、開発機会、課題、動向、および政策について記述
第2章：世界のGaN-On-SiCデバイスの市場シェアおよび主要メーカーのランキング、販売数量、売上高、平均価格（2021年～2026年）
第3章：日本のGaN-On-SiCデバイスの市場シェアおよび主要メーカーのランキング、販売数量、売上高、平均価格（2021年～2026年）
第4章：世界のGaN-On-SiCデバイスの主要生産地域、シェアおよびCAGR（2021-2032年）
第5章：GaN-On-SiCデバイスの産業チェーン（上流、中流、下流）
第6章：タイプ別セグメント、販売数量、平均価格、消費額、シェアおよびCAGR（2021-2032年）
第7章：用途別セグメント、販売数量、平均価格、消費額、シェアおよびCAGR（2021-2032年）
第8章：地域別セグメント、販売数量、平均価格、消費額、シェアおよびCAGR（2021-2032年）
第9章：国別セグメント、販売数量、平均価格、消費額、割合およびCAGR（2021-2032年）
第10章：企業プロファイル、市場における主要企業の基本状況を詳細に紹介（製品仕様、用途、最近の動向、販売数量、平均価格、売上高、粗利益率を含む）
第11章：結論

世界の市場調査レポート販売サイト（H&Iグローバルリサーチ株式会社運営）
*** レポート目次（コンテンツ）***

1 市場の概要
1.1 GaN-on-SiCデバイスの定義
1.2 世界のGaN-on-SiCデバイス市場規模と予測
1.2.1 消費額別、世界のGaN-on-SiCデバイス市場規模（2021年～2032年）
1.2.2 販売数量別、世界のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2032年
1.2.3 世界のGaN-On-SiCデバイス平均販売価格（ASP）、2021-2032年
1.3 日本のGaN-On-SiCデバイス市場規模と予測
1.3.1 消費額別、日本のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2032年
1.3.2 販売数量別、日本のGaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2032年
1.3.3 日本のGaN-on-SiCデバイス平均販売価格（ASP）、2021-2032年
1.4 世界の市場における日本のGaN-on-SiCデバイス市場のシェア
1.4.1 消費額別、世界の市場における日本のGaN-on-SiCデバイス市場シェア、2021-2032年
1.4.2 販売数量別、世界のGaN-On-SiCデバイス市場における日本のシェア、2021-2032年
1.4.3 GaN-On-SiCデバイス市場規模：日本対世界、2021-2032年
1.5 GaN-On-SiCデバイス市場の動向
1.5.1 GaN-On-SiCデバイス市場の推進要因
1.5.2 GaN-On-SiCデバイス市場の制約要因
1.5.3 GaN-On-SiCデバイス業界の動向
1.5.4 GaN-On-SiCデバイス業界の政策
2 世界の主要メーカーと市場シェア
2.1 GaN-On-SiCデバイスの売上高別、企業別世界市場シェア（2021-2026年）
2.2 GaN-On-SiCデバイスの販売数量別、企業別世界市場シェア（2021年～2026年）
2.3 GaN-On-SiCデバイスの企業別平均販売価格（ASP）（2021年～2026年）
2.4 世界のGaN-On-SiCデバイス参入企業、市場ポジション（Tier 1、Tier 2、Tier 3）
2.5 世界のGaN-On-SiCデバイスの集中度
2.6 世界のGaN-On-SiCデバイスのM&A、拡張計画
2.7 世界のGaN-On-SiCデバイスメーカーの製品タイプ
2.8 主要メーカーの本社およびGaN-on-SiCデバイス生産拠点
2.9 主要メーカーのGaN-on-SiCデバイス生産能力と将来計画
3 日本の主要メーカーと市場シェア
3.1 GaN-on-SiCデバイスの売上高別、企業別日本市場シェア（2021年～2026年）
3.2 GaN-On-SiCデバイスの販売数量別、企業別日本市場シェア（2021年～2026年）
3.3 日本のGaN-On-SiCデバイス参入企業および市場ポジション（Tier 1、Tier 2、Tier 3）
4 世界の生産地域
4.1 世界のGaN-On-SiCデバイスの生産能力、生産量および稼働率（2021年～2032年）
4.2 地域別世界のGaN-On-SiCデバイスの生産能力
4.3 地域別世界のGaN-On-SiCデバイスの生産量および予測（2021年対2025年対2032年）
4.4 地域別世界GaN-On-SiCデバイス生産量（2021年～2032年）
4.5 地域別世界GaN-On-SiCデバイス生産市場シェアおよび予測（2021年～2032年）
5 産業チェーン分析
5.1 GaN-On-SiCデバイスの産業チェーン
5.2 GaN-On-SiCデバイスの上流分析
5.2.1 GaN-On-SiCデバイスの主要原材料
5.2.2 GaN-On-SiCデバイス主要原材料の主要メーカー
5.3 中流分析
5.4 下流分析
5.5 GaN-On-SiCデバイスの生産形態
5.6 GaN-On-SiCデバイスの調達モデル
5.7 GaN-On-SiCデバイスの販売モデルと販売チャネル
5.7.1 GaN-On-SiCデバイスの販売モデル
5.7.2 GaN-On-SiCデバイスの主要販売代理店
6 タイプ別動向
6.1 タイプ別GaN-On-SiCデバイス分類
6.1.1 光電タイプ
6.1.2 無線周波数（RF）タイプ
6.1.3 パワータイプ
6.2 タイプ別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額およびCAGR（2021年対2025年対2032年）
6.3 タイプ別、世界のGaN-on-SiCデバイスの消費額（2021年～2032年）
6.4 タイプ別、世界のGaN-on-SiCデバイスの販売数量（2021年～2032年）
6.5 タイプ別、世界のGaN-on-SiCデバイスの平均販売価格（ASP）（2021年～2032年）
7 用途別分析
7.1 用途別GaN-On-SiCデバイス市場セグメント
7.1.1 5G通信
7.1.2 自動車
7.1.3 産業用
7.1.4 その他
7.2 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額およびCAGR、2021年対2025年対2032年
7.3 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額（2021年～2032年）
7.4 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量（2021年～2032年）
7.5 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイス価格（2021年～2032年）
8 地域別販売動向
8.1 地域別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額、2021年対2025年対2032年
8.2 地域別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額、2021年～2032年
8.3 地域別、世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量、2021年～2032年
8.4 北米
8.4.1 北米GaN-On-SiCデバイス市場規模および予測、2021年～2032年
8.4.2 国別、北米GaN-On-SiCデバイス市場規模・市場シェア
8.5 欧州
8.5.1 欧州GaN-On-SiCデバイス市場規模および予測、2021-2032年
8.5.2 国別、欧州GaN-On-SiCデバイス市場規模・市場シェア
8.6 アジア太平洋
8.6.1 アジア太平洋地域のGaN-On-SiCデバイス市場規模および予測（2021-2032年）
8.6.2 国・地域別、アジア太平洋地域のGaN-On-SiCデバイス市場規模および市場シェア
8.7 南米
8.7.1 南米のGaN-On-SiCデバイス市場規模および予測（2021-2032年）
8.7.2 国別、南米GaN-On-SiCデバイス市場規模・市場シェア
8.8 中東・アフリカ
9 国別販売動向
9.1 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス市場規模およびCAGR（2021年対2025年対2032年）
9.2 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額、2021-2032年
9.3 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量、2021-2032年
9.4 米国
9.4.1 米国GaN-On-SiCデバイス市場規模、2021年～2032年
9.4.2 タイプ別、米国GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.4.3 用途別、米国GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.5 欧州
9.5.1 欧州GaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2032年
9.5.2 タイプ別、欧州GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.5.3 用途別、欧州GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.6 中国
9.6.1 中国のGaN-On-SiCデバイス市場規模（2021年～2032年）
9.6.2 タイプ別、中国GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.6.3 用途別、中国GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.7 日本
9.7.1 日本のGaN-On-SiCデバイス市場規模（2021年～2032年）
9.7.2 タイプ別、日本のGaN-On-SiCデバイス販売数量の市場シェア（2025年対2032年）
9.7.3 用途別、日本 GaN-On-SiC デバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.8 韓国
9.8.1 韓国 GaN-On-SiC デバイス市場規模、2021-2032年
9.8.2 タイプ別、韓国GaN-on-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.8.3 用途別、韓国GaN-on-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.9 東南アジア
9.9.1 東南アジアのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2032年
9.9.2 タイプ別、東南アジアのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.9.3 用途別、東南アジアのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.10 インド
9.10.1 インドのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2032年
9.10.2 タイプ別、インドのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.10.3 用途別、インドのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
9.11 中東・アフリカ
9.11.1 中東・アフリカのGaN-On-SiCデバイス市場規模、2021-2032年
9.11.2 タイプ別、中東・アフリカのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア（2025年対2032年）
9.11.3 用途別、中東・アフリカのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア（2025年対2032年）
10 メーカー概要
10.1 SEDI
10.1.1 SEDIの企業情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.1.2 SEDIのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.1.3 SEDIのGaN-On-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、および粗利益率（2021-2026年）
10.1.4 SEDIの企業概要および主要事業
10.1.5 SEDIの最近の動向
10.2 MACOM
10.2.1 MACOMの企業情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
10.2.2 MACOMのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.2.3 MACOMのGaN-On-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格および粗利益率（2021年～2026年）
10.2.4 MACOMの会社概要および主要事業
10.2.5 MACOMの最近の動向
10.3 Qorvro
10.3.1 Qorvroの企業情報、本社、事業地域、および業界における位置付け
10.3.2 QorvroのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.3.3 QorvroのGaN-On-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、および粗利益率（2021年～2026年）
10.3.4 Qorvroの会社概要および主な事業
10.3.5 Qorvroの最近の動向
10.4 Skyworks
10.4.1 Skyworksの会社情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.4.2 SkyworksのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.4.3 スカイワークスのGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格および粗利益率（2021年～2026年）
10.4.4 スカイワークスの会社概要および主要事業
10.4.5 スカイワークスの最近の動向
10.5 NXP
10.5.1 NXPの企業情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.5.2 NXPのGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.5.3 NXPのGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、および粗利益率（2021年～2026年）
10.5.4 NXPの会社概要および主要事業
10.5.5 NXPの最近の動向
10.6 富士通
10.6.1 富士通の会社情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.6.2 富士通のGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.6.3 富士通のGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格および粗利益率（2021年～2026年）
10.6.4 富士通の会社概要および主要事業
10.6.5 富士通の最近の動向
10.7 東芝
10.7.1 東芝の会社情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.7.2 東芝のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.7.3 東芝のGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、および粗利益率（2021年～2026年）
10.7.4 東芝の会社概要および主要事業
10.7.5 東芝の最近の動向
10.8 三菱電機
10.8.1 三菱電機の企業情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.8.2 三菱電機のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.8.3 三菱電機のGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、および粗利益率（2021年～2026年）
10.8.4 三菱電機の会社概要および主要事業
10.8.5 三菱電機の最近の動向
10.9 イノサイエンス
10.9.1 イノサイエンスの会社情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.9.2 イノサイエンスのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.9.3 イノサイエンスのGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、粗利益率（2021年～2026年）
10.9.4 イノサイエンスの会社概要および主要事業
10.9.5 イノサイエンスの最近の動向
10.10 河北通光半導体
10.10.1 河北通光半導体の企業情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.10.2 河北通光半導体のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.10.3 河北通光半導体のGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、粗利益率（2021年～2026年）
10.10.4 河北通光半導体の会社概要および主な事業
10.10.5 河北通光半導体の最近の動向
10.11 天科和達
10.11.1 天科和達（Tianke Heda）の企業情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.11.2 天科和達（Tianke Heda）のGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.11.3 天科和達（Tianke Heda）のGaN-On-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、および粗利益率（2021年～2026年）
10.11.4 天科和達（Tianke Heda）の会社概要および主要事業
10.11.5 天科和達（Tianke Heda）の最近の動向
10.12 山東天悦（Shandong Tianyue）
10.12.1 山東天悦（Shandong Tianyue）の会社情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
10.12.2 山東天悦のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
10.12.3 山東天悦のGaN-on-SiCデバイスの販売数量、売上高、価格、および粗利益率（2021-2026年）
10.12.4 山東天悦の会社概要および主な事業
10.12.5 山東天悦の最近の動向
11 結論
12 付録
12.1 調査方法
12.2 データソース
12.2.1 二次情報源
12.2.2 一次情報源
12.3 市場推定モデル
12.4 免責事項

表一覧
表1. GaN-on-SiCデバイスの消費額およびCAGR：日本対世界、2021年～2032年、百万米ドル
表2. GaN-on-SiCデバイス市場の阻害要因
表3. GaN-on-SiCデバイス市場の動向
表4. GaN-on-SiCデバイス産業の政策
表5. 世界のGaN-On-SiCデバイス売上高（企業別、2021-2026年、百万米ドル、2025年の売上高に基づく順位）
表6. 世界のGaN-On-SiCデバイス売上高シェア（企業別、2021-2026年、2025年のデータに基づく順位）
表7. 世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量（企業別、2021-2026年、千台）、2025年の販売数量に基づく順位
表8. 世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量の市場シェア（企業別、2021-2026年）、2025年のデータに基づく順位
表9. 世界のGaN-On-SiCデバイス平均販売価格（ASP）：企業別（2021-2026年）、（米ドル/台）
表10. 世界のGaN-On-SiCデバイスメーカーの市場集中度 （CR3およびHHI）
表11. 世界のGaN-On-SiCデバイスのM&Aおよび拡張計画
表12. 世界のGaN-On-SiCデバイスメーカーの製品タイプ
表13. 主要メーカーの本社およびGaN-On-SiCデバイス生産拠点
表14. 主要メーカーのGaN-On-SiCデバイス生産能力および将来計画
表15. 日本のGaN-On-SiCデバイス売上高（企業別、2021-2026年、百万米ドル、2025年の売上高に基づく順位）
表16. 日本のGaN-on-SiCデバイス売上高シェア（企業別、2021-2026年、2025年のデータに基づく順位付け）
表17. 日本のGaN-on-SiCデバイス販売数量（企業別、2021-2026年、千台単位、2025年の販売実績に基づく順位付け）
表18. 日本のGaN-On-SiCデバイス販売数量の企業別市場シェア（2021-2026年）、2025年のデータに基づく順位
表19. 世界のGaN-On-SiCデバイスの地域別生産量および予測（2021年対2025年対2032年、千台）
表20. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス生産量、2021-2026年、（千台）
表21. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス生産予測、2027-2032年、（千台）
表22. GaN-On-SiCデバイス上流部門の世界主要企業 （原材料）
表23. 世界のGaN-On-SiCデバイスの主要顧客
表24. GaN-On-SiCデバイスの主要販売代理店
表25. タイプ別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額およびCAGR、2021年対2025年対2032年、百万米ドル
表26. 用途別、世界のGaN-on-SiCデバイスの消費額およびCAGR（2021年対2025年対2032年、百万米ドル）
表27. 地域別、世界のGaN-on-SiCデバイスの消費額（2021年対2025年対2032年、百万米ドル）
表28. 地域別、世界のGaN-on-SiCデバイス消費額、2021年～2032年、百万米ドル
表29. 地域別、世界のGaN-on-SiCデバイス販売数量、2021年～2032年、（千台）
表30. 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額およびCAGR、2021年対2025年対2032年、百万米ドル
表31. 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額、2021-2032年、百万米ドル
表32. 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額市場シェア、2021-2032年
表33. 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量、2021-2032年、（千台）
表34. 国別、世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2021-2032年
表35. SEDIの企業情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表36. SEDIのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表37. SEDIのGaN-On-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率、2021-2026年
表38. SEDIの企業概要および主な事業
表39. SEDIの最近の動向
表40. MACOMの企業情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表41. MACOMのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表42. MACOMのGaN-On-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021-2026年）
表43. MACOMの会社概要および主要事業
表44. MACOMの最近の動向
表45. Qorvroの企業情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
表46. QorvroのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表47. QorvroのGaN-On-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021-2026年）
表48. Qorvroの会社概要および主な事業
表49. Qorvroの最近の動向
表50. Skyworksの会社情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表51. SkyworksのGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表52. SkyworksのGaN-On-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021年～2026年）
表53. Skyworksの会社概要および主要事業
表54. Skyworksの最近の動向
表55. NXPの企業情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表56. NXPのGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表57. NXPのGaN-on-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021年～2026年）
表58. NXPの会社概要および主要事業
表59. NXPの最近の動向
表60. 富士通の会社情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表61. 富士通のGaN-On-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表62. 富士通のGaN-On-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021年～2026年）
表63. 富士通の会社概要および主要事業
表64. 富士通の最近の動向
表65. 東芝の企業情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表66. 東芝のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表67. 東芝のGaN-on-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021年～2026年）
表68. 東芝の会社概要および主要事業
表69. 東芝の最近の動向
表70. 三菱電機の会社情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表71. 三菱電機のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表72. 三菱電機のGaN-on-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021-2026年）
表73. 三菱電機の会社概要および主要事業
表74. 三菱電機の最近の動向
表75. インノサイエンスの企業情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
表76. インノサイエンスのGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表77. インノサイエンスのGaN-on-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021-2026年）
表78. インノサイエンスの会社概要および主な事業
表79. インノサイエンスの最近の動向
表80. 河北通光半導体の会社情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表81. 河北通光半導体のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表82. 河北通光半導体のGaN-on-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）、および粗利益率（2021-2026年）
表83. 河北通光半導体の会社概要および主な事業
表84. 河北通光半導体の最近の動向
表85. 天科和達（Tianke Heda）の会社情報、本社所在地、市場エリア、および業界における位置付け
表86. 天科和達（Tianke Heda）のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表87. 天科和達（Tianke Heda）のGaN-on-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、価格（米ドル/台）および粗利益率（2021-2026年）
表88. 天科和達（Tianke Heda）の会社概要および主な事業
表89. 天科和達（Tianke Heda）の最近の動向
表90. 山東天悦（Shandong Tianyue）の会社情報、本社、市場エリア、および業界における位置付け
表91. 山東天悦（Shandong Tianyue）のGaN-on-SiCデバイスのモデル、仕様、および用途
表92. 山東天悦のGaN-on-SiCデバイスの販売数量（千台）、売上高（百万米ドル）、単価（米ドル/台）および粗利益率（2021-2026年）
表93. 山東天悦の会社概要および主要事業
表94. 山東天悦の最近の動向


図表一覧
図1. GaN-on-SiCデバイスの写真
図2. 世界のGaN-on-SiCデバイス消費額（百万米ドル）（2021-2032年）
図3. 世界のGaN-on-SiCデバイス販売数量（千台）（2021-2032年）
図4. 世界のGaN-on-SiCデバイスの平均販売価格（ASP）（2021-2032年）（米ドル/台）
図5. 日本のGaN-on-SiCデバイスの消費額（百万米ドル）（2021-2032年）
図6. 日本のGaN-On-SiCデバイスの販売数量（千台）および（2021-2032年）
図7. 日本のGaN-On-SiCデバイスの平均販売価格（ASP）（米ドル/台）および（2021-2032年）
図8. 消費額別、日本のGaN-on-SiCデバイス世界市場シェア（2021-2032年）
図9. 販売数量別、日本のGaN-on-SiCデバイス世界市場シェア（2021-2032年）
図10. 企業別（Tier 1、Tier 2、Tier 3）の世界GaN-On-SiCデバイス市場シェア、2025年
図11. 日本のGaN-On-SiCデバイス主要参入企業および市場シェア、2025年
図12. 世界のGaN-On-SiCデバイス生産能力、生産量および稼働率、2021-2032年
図13. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス生産能力市場シェア（2025年対2032年）
図14. 地域別世界GaN-On-SiCデバイス生産市場シェアおよび予測（2021-2032年）
図15. GaN-On-SiCデバイスの産業チェーン
図16. GaN-On-SiCデバイスの調達モデル
図17. GaN-On-SiCデバイスの販売モデル
図18. GaN-On-SiCデバイスの販売チャネル、直接販売、および流通
図19. 光電タイプ
図20. 無線周波数（RF）タイプ
図21. パワータイプ
図22. タイプ別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額、2021-2032年、百万米ドル
図23. タイプ別、世界のGaN-On-SiCデバイス消費額市場シェア、2021-2032年
図24. タイプ別、世界のGaN-on-SiCデバイスの販売数量、2021-2032年、（千台）
図25. タイプ別、世界のGaN-on-SiCデバイスの販売数量市場シェア、2021-2032年
図26. タイプ別、世界のGaN-on-SiCデバイスの平均販売価格（ASP）、2021-2032年、（米ドル/台）
図27. 5G通信
図28. 自動車
図29. 産業用
図30. その他
図31. 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイスの消費額、2021-2032年、百万米ドル
図32. 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイスの売上高市場シェア、2021-2032年
図33. 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量、2021-2032年、（千台）
図34. 用途別、世界のGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2021-2032年
図35. 用途別、世界のGaN-on-SiCデバイスの価格、2021-2032年、（米ドル/台）
図36. 地域別、世界のGaN-on-SiCデバイスの消費額市場シェア、2021-2032年
図37. 地域別、世界のGaN-On-SiCデバイスの販売数量シェア、2021-2032年
図38. 北米のGaN-On-SiCデバイスの消費額および予測、2021-2032年、百万米ドル
図39. 国別、北米のGaN-On-SiCデバイスの消費額シェア、2025年
図40. 欧州のGaN-On-SiCデバイスの消費額および予測（2021-2032年、百万米ドル）
図41. 国別、欧州のGaN-On-SiCデバイスの消費額市場シェア（2025年）
図42. アジア太平洋地域のGaN-On-SiCデバイスの消費額および予測（2021-2032年、百万米ドル）
図43. 国・地域別、アジア太平洋地域のGaN-On-SiCデバイスの消費額市場シェア（2025年）
図44. 南米におけるGaN-On-SiCデバイスの消費額および予測（2021-2032年、百万米ドル）
図45. 国別、南米におけるGaN-On-SiCデバイスの消費額市場シェア（2025年）
図46. 中東・アフリカのGaN-On-SiCデバイスの消費額および予測（2021-2032年、百万米ドル）
図47. 米国におけるGaN-On-SiCデバイスの販売数量、2021-2032年、（千台）
図48. タイプ別、米国におけるGaN-On-SiCデバイスの販売数量市場シェア、2025年対2032年
図49. 用途別、米国GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図50. 欧州GaN-On-SiCデバイス販売数量、2021-2032年、（千台）
図51. タイプ別、欧州GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図52. 用途別、欧州GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図53. 中国GaN-On-SiCデバイス販売数量、2021-2032年、 （千台）
図54. タイプ別、中国GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図55. 用途別、中国GaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図56. 日本のGaN-on-SiCデバイス販売数量、2021年～2032年、（千台）
図57. タイプ別、日本のGaN-on-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図58. 用途別、日本におけるGaN-on-SiCデバイスの販売数量シェア（2025年対2032年）
図59. 韓国におけるGaN-on-SiCデバイスの販売数量（2021年～2032年、千台）
図60. タイプ別、韓国GaN-on-SiCデバイスの販売数量シェア、2025年対2032年
図61. 用途別、韓国GaN-on-SiCデバイスの販売数量シェア、2025年対2032年
図62. 東南アジアのGaN-On-SiCデバイスの販売数量、2021年～2032年（千台）
図63. タイプ別、東南アジアのGaN-On-SiCデバイスの販売数量市場シェア、2025年対2032年
図64. 用途別、東南アジアのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図65. インドのGaN-On-SiCデバイス販売数量、2021-2032年、（千台）
図66. タイプ別、インドのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図67. 用途別、インドのGaN-On-SiCデバイス販売数量市場シェア、2025年対2032年
図68. 中東・アフリカのGaN-on-SiCデバイス販売数量、2021年～2032年（千台）
図69. タイプ別、中東・アフリカのGaN-on-SiCデバイス販売数量の市場シェア、2025年対2032年
図70. 用途別、中東・アフリカ地域のGaN-on-SiCデバイス販売数量の市場シェア（2025年対2032年）
図71. 調査方法論
図72. 一次インタビューの内訳
図73. ボトムアップアプローチ
図74. トップダウンアプローチ

※参考情報

GaN-On-SiCデバイスは、ガリウムナイトライド（GaN）をシリコンカーバイド（SiC）基板上に形成した半導体デバイスです。この構造は、高い動作温度、高出力密度、高頻度特性を持つため、パワーエレクトロニクスや高周波デバイスの分野で広く利用されています。
GaN-On-SiCデバイスは、主にトランジスタとダイオードの2種類に分類されます。トランジスタは、電力制御や高周波信号の増幅に使用されるもので、特にHEMT（High Electron Mobility Transistor）が広く用いられています。HEMTは、その優れた電子移動度によって、高速動作が可能であり、通信機器やレーダーシステムでの需要が高まっています。

一方、GaN-On-SiCダイオードは、主に高電圧や高周波の整流用途に使用されます。これらのデバイスは、従来のシリコンダイオードよりも高効率で動作し、熱管理が容易であるため、電力変換器やインバータなどにおいて幅広く利用されています。

GaN-On-SiC技術の主な用途は、携帯電話基地局、衛星通信、レーダーシステム、電気自動車の充電インフラ、高効率な電力変換装置など、多岐にわたります。特に電気自動車の分野では、急速充電やバッテリー管理システムにニーズが高まっており、GaN-On-SiCデバイスの導入が進んでいます。

このデバイスの利点は、その優れた熱導電性と高い電界耐性にあります。SiC基板自体が優れた熱伝導性を持つため、高温環境下でも信号品質や効率を維持でき、デバイスの耐久性が向上します。また、GaN材料は、高い電界強度を持ち、デバイスの小型化と高集積化を可能にします。

さらに、GaN-On-SiCデバイスは、RF（無線周波数）アプリケーションにおいても特に優れた特性を発揮します。通信業界においては、基地局のパワーアンプとしての使用が一般的で、高出力・高効率での信号増幅が実現できます。これにより、通信範囲が広がり、データ伝送速度も向上します。GaN-On-SiCデバイスは、特にミリ波帯域での動作が可能であり、次世代の通信技術において不可欠な存在となっています。

また、GaN-On-SiC技術は、近年の環境問題への対応においても重要な役割を果たしています。エネルギー効率の向上に貢献し、持続可能な社会の構築に向けた技術として注目されています。高効率な電力変換を実現することで、エネルギー消費を削減し、CO2排出量の低減にも寄与することが期待されています。

今後の展開として、GaN-On-SiCデバイスのさらなる高性能化やコスト削減が求められています。製造プロセスや材料技術の革新により、より多くのアプリケーションに適用できる可能性があります。特に、製造における歩留まりの向上や、市場ニーズへの迅速な対応が重要な課題です。

これらの要素を考慮すると、GaN-On-SiCデバイスは、今後の電子機器や電力システムの進化にとって欠かせない技術となるでしょう。また、関連技術としては、材料科学の進展、半導体製造技術の革新、さらには新しいデバイスアーキテクチャの開発が挙げられます。これにより、より高性能かつ高効率なデバイスの実現が期待されています。GaN-On-SiCデバイスは、今後の技術革新を支える重要な要素であり、ますます多くの分野での応用が進むことが予想されます。


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※関連調査資料
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  • MMIC RFアンプ市場：グローバル予測2024年-2030年
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  • モノリシックマイクロ波IC（MMIC）の世界市場：産業分析・成長予測（～2030）
  • 高出力半導体バーチップの世界市場2023-2029：IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT
    • ※注目の調査資料
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    ※当市場調査資料(YHR26MY2671 )"GaN-On-SiCデバイスの世界及び日本市場2026年：種類別（GaN HEMT、GaN MMIC）" (英文：GaN-On-SiC Devices - Global Top Players Market Share and Ranking 2026)はYH Research社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。

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