カテゴリ： MarketsandMarkets, 世界

極端紫外線（EUV）リソグラフィのグローバル市場予測（～2028）：光源、マスク、光学系

■ 英語タイトル：Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography Market by Equipment (Light Sources, Masks and Optics), End User (Integrated Device Manufacturer (IDM) and Foundry) and Region (Americas, Europe and Asia Pacific) - Global Forecast to 2028
	■ 発行会社/調査会社：MarketsandMarkets ■ 商品コード：SE6398-23 ■ 発行日：2023年7月7日最新版(2025年又は2026年)はお問い合わせください。 ■ 調査対象地域：IT/電子 ■ 産業分野：半導体＆電子 ■ ページ数：144 ■ レポート言語：英語 ■ レポート形式：PDF ■ 納品方式：Eメール（受注後24時間以内）

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*** レポート概要（サマリー）***

"極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場は、2023年の94億米ドルから2028年には253億米ドルに達し、2023年～2028年の年平均成長率は21.8%となる見込み" 極端紫外線（EUV）リソグラフィは、解像度の点で物理的限界に達している従来の光リソグラフィの限界に対処するものです。EUV光の波長が短いため、シリコンウエハー上でより小さなフィーチャやより緻密なパターンを形成することができ、よりトランジスタ密度の高い先進的なマイクロチップの製造が可能になります。極端紫外線（EUV）リソグラフィの重要なコンポーネントはEUV光源で、13.5nmの高エネルギーの光を発生させ、操作します。EUV光源は、波長13.5nmの高エネルギー光を発生・操作するもので、レーザーを用いて錫液滴からプラズマを発生させ、EUV光を放出させます。その後、EUV光は、フォトレジストと呼ばれる感光性材料でコーティングされたシリコンウェハー上に所望のパターンを転写するために、精密に設計された一連のミラーを用いて反射・集光されます。
極端紫外線（EUV）リソグラフィは、従来のリソグラフィ技術に比べていくつかの利点があります。第一に、チップ密度の大幅な向上が可能になり、より高性能で複雑なICの製造が可能になります。第二に、パターン転写に必要な工程数を減らすことで製造工程を簡略化し、生産効率を高めることができます。最後に、極端紫外線（EUV）リソグラフィは、重要な寸法の制御を改善し、パターンのばらつきを低減することで、チップの性能と歩留まりを向上させます。極端紫外線（EUV）リソグラフィは、ハイパフォーマンス・コンピューティング、人工知能、モバイル機器など、さまざまなアプリケーション向けの最先端ICの製造において重要な役割を果たしています。

"予測期間中、最も高い年平均成長率が期待されるファウンドリ"
ビジネスの領域では、ファウンドリは半導体製造サービスを半導体企業や統合デバイスメーカー（IDM）に提供する専門製造施設です。ファウンドリは、主に半導体産業の製造プロセスに重点を置き、チップ設計には関与しません。ファウンドリは、自社で製造施設を持たない企業や、チップ製造を外注することを選択した企業に製造サービスを提供することで、半導体業界で重要な役割を果たしています。
ファブレス企業やIDはファウンドリと協力し、知的財産（IP）として知られるチップ設計をファウンドリに移管して製造を行います。極端紫外線（EUV）リソグラフィを含む半導体製造サービスを提供する著名なファウンドリには、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, GlobalFoundries, Samsung Foundryなどの企業が含まれます。ファウンドリ企業の成長は、EUVリソグラフィへの大規模な投資に起因しており、アジア太平洋諸国はEUVリソグラフィ市場の拡大と発展に大きく貢献しています。

"EUVマスクセグメントは予測期間中、極端紫外線（EUV）リソグラフィ装置市場の中で2番目に高いCAGRで成長する見込み"
EUVマスクは、EUVレチクルまたはEUVフォトマスクとも呼ばれ、極端紫外線リソグラフィ（EUVL）と呼ばれる高度なリソグラフィプロセスにおいて重要な役割を果たしています。極端紫外線（EUV）リソグラフィは、微細化と高性能化を特徴とする次世代半導体デバイスの製造に採用されている最先端技術です。EUVマスクは、リソグラフィ工程でウエハ上に投影される回路パターンを封じ込めることで、半導体ウエハ上に集積回路を形成する際に重要な役割を果たします。EUVマスクは、従来のリソグラフィ技術で使用されていた光学マスクとは異なり、波長約13．EUVマスクは、薄い基板に多層の反射材をコーティングしたもので、EUV光をウェハ上で反射・集光することにより、高精度で高解像度のパターニングを可能にします。EUVマスクの複雑な構造には、回路パターンの精度と信頼性を確保するための高度な製造技術と厳格な品質管理対策が必要です。EUVマスクおよび関連製品の製造には、Toppan Inc., KLA Corporation, ADVANTEST CORPORATION, AGC Incなどが携わっています。

"予測期間中、アジア太平洋地域の年平均成長率は最も高くなると予想"
アジア太平洋地域は、EUVリソグラフィにおいて重要な位置を占めています。この地域のEUVリソグラフィ市場を調査すると、中国、日本、台湾、韓国のような国々が前面に出てきます。アジア太平洋地域で最も高い市場シェアを持つのは台湾です。
台湾には、世界最大の半導体専業ファウンドリである台湾積体電路製造股份有限公司（TSMC）などの大手半導体企業があります。TSMCは、極端紫外線（EUV）リソグラフィ技術の導入と進歩の最前線にあり、より微細で高性能な先端チップの製造を可能にしています。同社は、EUVインフラストラクチャに多額の投資を行い、極端紫外線（EUV）リソグラフィシステムの開発と商業化の推進に貢献してきました。強力な半導体エコシステムと技術革新へのコミットメントを持つ台湾は、半導体業界における極端紫外線（EUV）リソグラフィの機能と普及を推進する上で極めて重要な役割を果たしています。EUVリソグラフィの新技術やシステムを革新する企業もありました。
例えば、2020 年 8 月、台湾積体電路製造股份有限公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited）は、従来の洗浄工程を置き換えることを目的に、EUV マスク用の世界初の環境に優しいドライ洗浄技術を開発しました。水と化学薬品の使用量を 735 トンと 36 トンから削減しました。

極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場の主要参入企業のプロファイルの内訳
-企業タイプ別：Tier 1：30%、Tier 2：50%、Tier 3：20%
-指定タイプ別 Cレベル：25％、ディレクターレベル：35％、その他：40％
-地域別：北米 35％、欧州 30％、アジア太平洋地域 25％、RoW 10％

極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場の主要プレイヤーは、ASML (Netherlands), Carl Zeiss AG(Germany), TOPPAN Inc.(Japan), NTT Advanced Technology Corporation(Japan), KLA Corporation(US), ADVANTEST CORPORATION(Japan), Ushio Inc.(Japan), SUSS MicroTec SE(Germany), AGC Inc.(Japan), Lasertec Corporation(Japan), NuFlare Technology(Japan), Energetiq Technology Inc.(US), Photronics, Inc.(US), HOYA Corporation(Japan), TRUMPF(Germany), Rigaku Corporation(Japan), Edmund Optics Ltd.(US), Park Systems(Korea), Zygo Corporation(US), Imagine Optic(US) and Applied Materials, Inc.(US).などがあります。

調査範囲
本レポートでは、極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場を装置、エンドユーザー、地域別に分類し、市場規模を予測しています。また、市場成長に影響を与える促進要因、阻害要因、機会、課題についても包括的にレビューしています。また、市場の量的側面に加えて質的側面もカバーしています。

レポートを購入する理由
本レポートは、極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場全体および関連セグメントの最も近い概算収益に関する情報を提供し、同市場の市場リーダー/新規参入者に役立ちます。本レポートは、利害関係者が競争状況を理解し、市場での地位を強化し、適切な市場参入戦略を計画するためのより多くの洞察を得るのに役立ちます。また、本レポートは、関係者が市場の鼓動を理解するのに役立ち、主要な市場促進要因、阻害要因、機会、および課題に関する情報を提供します。

本レポートは、以下のポイントに関する洞察を提供します：
-EUVリソグラフィ市場の成長に影響を与える主な促進要因（技術の進歩とノード移行が市場を牽引）、阻害要因（EUVリソグラフィシステム導入の高コスト）、機会（先端半導体製造におけるEUVリソグラフィの採用）、課題（EUVリソグラフィにおけるソースパワーと生産性が市場の課題として作用）の分析
-製品開発/イノベーション： EUVリソグラフィ市場における今後の技術、研究開発活動、新製品発表に関する詳細な洞察
-市場開発：有利な市場に関する包括的な情報 - 当レポートでは、さまざまな地域のEUVリソグラフィ市場を分析
-市場の多様化：EUVリソグラフィ市場における新製品、未開拓の地域、最近の開発、投資に関する詳細な情報を提供
-競合評価：ASML (Netherlands), Carl Zeiss AG(Germany), TOPPAN Inc. (Japan), HOYA Corporation(Japan), TRUMPF(Germany), and KLA Corporation (US).などの主要企業の市場シェア、成長戦略、製品提供に関する詳細な評価

1 はじめに
2 調査方法
3 エグゼクティブサマリー
4 プレミアムインサイト
5 市場の概要
6 極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場：コンポーネント別
7 極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場：エンドユーザー別
8 極端紫外線（EUV）リソグラフィ市場：地域別
9 競争環境
10 企業プロファイル
11 付録

*** レポート目次（コンテンツ）***

1 はじめに 19
1.1 調査の目的 19
1.2 市場定義 19
1.3 調査範囲 20
1.3.1 対象市場 20
図1 EUVリソグラフィ市場のセグメンテーション 20
1.3.2 調査対象と除外 20
1.3.3 地域範囲 21
1.3.4 対象年 21
1.4 対象通貨 22
1.5 対象単位 22
1.6 制約 22
1.7 ステークホルダー 22
1.8 変更点の概要 22
1.8.1 景気後退の影響 23
2調査方法 24
2.1 調査データ 24
図2 EUVリソグラフィ市場：調査設計 25
2.1.1 二次データ 25
2.1.1.1 二次情報源からの主要データ 26
2.1.1.2 主要な二次情報源 26
2.1.2 一次データ 27
2.1.2.1 一次情報源からの主要データ 27
2.1.2.2 一次インタビューの主要参加者 27
2.1.2.3 一次インタビューの内訳 28
2.1.2.4 主要な業界洞察 28
2.1.3 二次調査と一次調査 29
2.2 市場規模推計 29
図3 市場規模推計方法：アプローチ1（供給側）：EUVリソグラフィ市場における主要部品サプライヤーの収益 30
図4 市場規模推計手法：アプローチ2（供給側）：EUVリソグラフィ市場における主要部品メーカーの収益推計例 31
図5 市場規模推計手法：アプローチ3（需要側）—地域に基づくEUVリソグラフィ市場規模のボトムアップ推計 32
2.2.1 ボトムアップアプローチ 32
2.2.1.1 ボトムアップ分析を用いた市場規模の導出方法 32
図6市場規模推計手法：ボトムアップアプローチ 33
2.2.2 トップダウンアプローチ 33
2.2.2.1 トップダウン分析を用いた市場規模の導出方法 33
図7 市場規模推計手法：トップダウンアプローチ 33
2.3 市場シェア推計 34
2.4 データ三角測量 35
図8 データ三角測量 35
2.5 リスク評価 36
表1 リスク要因分析 36
2.5.1 景気後退の影響分析 36
2.6 研究の前提と限界 37
2.6.1 研究の前提 37
2.6.2 調査の限界 37
3 エグゼクティブサマリー 38
3.1 EUVリソグラフィ市場：景気後退の影響 38
図9 EUVリソグラフィ市場：景気後退の影響 39
図10 2023年にはファウンドリがEUVリソグラフィ市場を牽引する 39
図11 アジア太平洋地域のEUVリソグラフィ市場は予測期間中に最高CAGRで成長する 40
4 プレミアムインサイト 41
4.1 EUVリソグラフィ市場におけるプレーヤーにとっての魅力的な機会 41
図12 マイクロプロセッサ、集積回路、メモリデバイスとEUVリソグラフィシステムのプロバイダーにビジネスチャンスをもたらす 41
4.2 アジア太平洋地域のEUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別・国別） 42
図13 2023年にはファウンドリと台湾がアジア太平洋地域のEUVリソグラフィ市場で最大シェアを占める 42
4.3 エンドユーザー別EUVリソグラフィ市場 42
図14 2028年にはファウンドリがEUVリソグラフィ市場でより大きなシェアを占める 42
4.4 EUVリソグラフィ市場（コンポーネント別） 43
図15 2028年には光源が最大シェアを占める2028年 43
4.5 EUVリソグラフィ市場（国別） 43
図16 予測期間中、韓国がアジア太平洋地域のEUVリソグラフィ市場で最高CAGRを記録する見込み 43
5 市場概要 44
5.1 はじめに 44
5.2 市場の動向 44
図17 EUVリソグラフィ市場：推進要因、阻害要因、機会、課題 44
5.2.1 推進要因 45
5.2.1.1 先進技術およびノードへの急速な移行 45
5.2.1.2 高性能コンピューティング（HPC）の需要拡大 45
5.2.1.3 集積回路の複雑性増大45
図18 EUVリソグラフィ市場の推進要因：影響分析 46
5.2.2 制約要因 46
5.2.2.1 多額の先行資本投資の必要性 46
5.2.2.2 高度なインフラと高度なスキルを持つ労働力の必要性 47
図19 EUVリソグラフィ市場の制約要因：影響分析 47
5.2.3 機会 48
5.2.3.1 先進的なEUVリソグラフィ製品および半導体デバイスの開発への投資の増加 48
5.2.3.2 マイクロプロセッサ、IC、メモリモジュール／チップを含む新しいアプリケーションにおけるEUVL技術の導入の増加 48
5.2.3.3 次世代メモリデバイス向けの先進的なメモリモジュール／チップの開発 49
5.2.3.4 先進的な視覚体験を向上させるディスプレイ 49
5.2.3.5 フォトニクスおよび光学部品の製造における高度なパターニング技術の活用 50
図20 EUVリソグラフィ市場の機会：影響分析 50
5.2.4 課題 51
5.2.4.1 高出力とチップ製造速度の達成と維持 51
5.2.4.2 マスク欠陥の検出と修復、および歩留まり問題の解決 51
図21 EUVリソグラフィ市場の課題：影響分析 52
5.3 バリューチェーン分析 52
図22 EUVリソグラフィバリューチェーン分析 52
5.3.1 研究開発エンジニア 53
5.3.2 部品メーカー53
5.3.3 システムインテグレーター 53
5.3.4 マーケティング＆セールスサービスプロバイダー 53
5.3.5 エンドユーザー 53
5.4 EUVリソグラフィ市場におけるプレーヤーの収益シフトと新たな収益源 53
5.5 エコシステムマッピング 54
表2 EUVリソグラフィエコシステムにおける企業の役割 54
図23 EUVリソグラフィ市場の主要プレーヤー 55
5.6 価格分析 55
5.6.1 平均販売価格（ASP）の推移 55
図24 EUVリソグラフィシステムの平均販売価格（ASP）、2019年から2028年 55
5.7技術分析 55
5.7.1 極端紫外線反射率測定法（EUVR） 55
5.8 ポーターの五つの力分析 56
図25 ポーターの五つの力分析 56
表3 ポーターの五つの力分析とその影響 56
5.8.1 競争の激しさ 56
5.8.2 新規参入の脅威 57
5.8.3 代替品の脅威 57
5.8.4 買い手の交渉力 57
5.8.5 サプライヤーの交渉力 57
5.9 ケーススタディ 58
5.9.1 LAMリサーチEUVリソグラフィ技術における画期的な進歩を発表 58
表4 LAMリサーチ社、EUVリソグラフィの解像度、生産性、歩留まりを向上させる革新的なドライレジスト技術を発表 58
5.9.2 TSMC社、ASMLのEUVシステムを導入し、チップ生産能力を増強 59
表5 台湾半導体製造企業のEUV技術と市場成長への取り組み 59
5.10 貿易データ分析 59
図26 HSコード8442に分類される製品の国別輸出データ（2018～2022年） 59
表6 HSコード8442適合製品の輸出シナリオ、
国別、2018～2022年（千米ドル） 60
図27 HSコード8442に分類される製品の国別輸入データ、2018～2022年 60
表7 HSコード8442適合製品の輸入シナリオ、
国別、2018～2022年（千米ドル） 61
5.11 特許分析 61
5.11.1 文書の種類 61
表8 出願特許 61
図28 2013年から2022年までの出願特許62
5.11.2 出版動向 62
図29 No. 2013年から2022年までの各年における公開特許数 62
5.11.3 管轄区域分析 63
図30 管轄区域分析 63
5.11.4 上位特許保有者 63
図31 2013年から2022年までの公開特許出願数上位10社 63
表9 過去10年間の公開特許保有者上位20社 64
5.12 規制状況 65
5.12.1 規制機関、政府機関、その他の組織 65
表10 EUVリソグラフィー：規制の現状 65
5.12.2 地域規制機関、政府機関、その他の組織 66
表11 北米：規制機関、政府機関、その他の組織一覧 66
表12 欧州：規制機関、政府機関、その他の組織一覧 66
表13 アジア太平洋地域：規制機関、政府機関、その他の組織一覧 67
表14 行：規制機関、政府機関、その他の組織一覧 67
5.13 主要会議および2023～2024年のイベント 68
5.14 主要ステークホルダーと購買基準 68
5.14.1 購買プロセスにおける主要ステークホルダー 68
図32 エンドユーザーの購買プロセスにおけるステークホルダーの影響 68
表15 エンドユーザーの購買プロセスにおけるステークホルダーの影響度（％） 69
5.14.2 主要購買基準 69
表16 エンドユーザー別主要購買基準 69
6 EUVリソグラフィー市場（コンポーネント別） 70
6.1 はじめに 71
図33 EUVで最高CAGRを記録する光源予測期間中のリソグラフィ市場 71
表17 EUVリソグラフィ市場（コンポーネント別、2019～2022年）（百万米ドル） 71
表18 EUVリソグラフィ市場（コンポーネント別、2023～2028年）（百万米ドル） 72
6.2 光源 72
6.2.1 商用システムにおけるLPP EUV光源の広範な採用が市場を牽引 72
6.3 光学系 72
6.3.1 EUV光学系の高精度・高精度化がEUVリソグラフィシステムメーカーによる採用を促進 72
6.4 マスク 73
6.4.1 次世代半導体デバイス開発への注力強化がセグメント成長を促進 73
6.5 その他 73
7 EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別） 75
7.1 はじめに 76
図34 予測期間中、ファウンドリはEUVリソグラフィ市場で高いCAGRを記録する見込み 76
表19 EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、2019～2022年（百万米ドル） 76
表20 EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、2023～2028年（百万米ドル） 77
表21 EUVリソグラフィ市場、2019～2022年（百万台） 77
表22 EUVリソグラフィ市場、2023～2028年（百万台） 77
7.2 統合デバイスメーカー（IDMS） 77
7.2.1 セグメント成長を促進するため、IDMSは先進的で電力効率の高いマイクロチップとICの開発に注力している 77
表23 統合デバイスメーカー（IDMS）：EUVリソグラフィ市場、地域別、2019～2022年（百万米ドル） 78
表24 統合デバイスメーカー（IDMS）：EUVリソグラフィ市場、地域別地域別、2023～2028年（百万米ドル） 78
表25 統合デバイスメーカー（IDMS）：アジア太平洋地域におけるEUVリソグラフィ市場、国別、2019～2022年（百万米ドル） 78
表26 統合デバイスメーカー（IDMS）：アジア太平洋地域におけるEUVリソグラフィ市場、国別、2023～2028年（百万米ドル） 79
7.3 ファウンドリ 79
7.3.1 半導体ノードの継続的な進歩がファウンドリからのEUVリソグラフィ需要を牽引 79
表27 ファウンドリ：EUVリソグラフィ市場、国別地域別
2019～2022年 (百万米ドル) 79
表28 ファウンドリ：EUVリソグラフィ市場（地域別）
2023～2028年 (百万米ドル) 80
表29 ファウンドリ：アジア太平洋地域におけるEUVリソグラフィ市場（国別） 2019～2022年 (百万米ドル) 80
表30 ファウンドリ：アジア太平洋地域におけるEUVリソグラフィ市場（国別） 2023～2028年 (百万米ドル) 80
8 EUVリソグラフィ市場（地域別） 81
8.1 はじめに 82
図35 アジア太平洋地域がEUVで最も高いCAGRを記録する見込み予測期間中のリソグラフィ市場 82
表31 EUVリソグラフィ市場（地域別）、2019～2022年（百万米ドル） 82
表32 EUVリソグラフィ市場（地域別、2023～2028年）（百万米ドル） 82
8.2 南北アメリカ 83
8.2.1 確立された半導体産業が市場成長を支える 83
図36 南北アメリカ：市場スナップショット 84
表33 南北アメリカ：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、
2019～2022年（百万米ドル） 84
表34 南北アメリカ：EUVリソグラフィー市場（エンドユーザー別）、
2023～2028年（百万米ドル） 84
8.2.2 米州：景気後退の影響 85
8.3 欧州 85
8.3.1 ドイツ、オランダ、フランスによるEUVリソグラフィー製品の研究開発投資による市場成長の牽引 85
図37 欧州：市場スナップショット 86
表35 欧州：EUVリソグラフィー市場（エンドユーザー別）、
2023～2028年（百万米ドル） 86
8.3.2 欧州：景気後退の影響 86
8.4 アジア太平洋地域 87
図38 アジア太平洋地域：市場スナップショット 88
表36 アジア太平洋地域：EUVリソグラフィ市場（国別）、2019～2022年（百万米ドル） 88
表37 アジア太平洋地域：EUVリソグラフィ市場（国別）、2023～2028年（百万米ドル） 89
表38 アジア太平洋地域：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、2019～2022年（百万米ドル） 89
表39 アジア太平洋地域：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、2023～2028年（百万米ドル） 89

8.4.1 中国 89
8.4.1.1 堅調な半導体生産市場を牽引する能力 89
表40 中国：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）
2019～2022年（百万米ドル） 90
表41 中国：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）
2023～2028年（百万米ドル） 90
8.4.2 日本 90
8.4.2.1 高品質半導体チップを提供する有名企業の存在が市場成長を牽引 90
表42 日本：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）
2019～2022年（百万米ドル） 91
表43 日本：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）
2023～2028年（百万米ドル） 91
8.4.3 台湾 91
8.4.3.1 半導体製造企業による環境に優しいEUVシステム部品開発への多額の投資が市場を牽引 91
表44 台湾：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）
2019～2022年（百万米ドル） 91
表45 台湾：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）
2023～2028年（百万米ドル） 92
8.4.4 韓国 92
8.4.4.1 最先端半導体チップ製造におけるEUVリソグラフィの利用拡大が市場成長を加速 92
表46 韓国：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）
2019～2022年（百万米ドル） 92
表47 韓国：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、2023～2028年（百万米ドル） 92
8.4.5 その他アジア太平洋地域 93
表48 その他アジア太平洋地域：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、2019～2022年（百万米ドル） 93
表49 その他アジア太平洋地域：EUVリソグラフィ市場（エンドユーザー別）、2023～2028年（百万米ドル） 93
8.4.6 アジア太平洋地域：景気後退の影響 93
9 競争環境 94
9.1 概要 94
図39 主要戦略2021年から2023年にかけてのEUVリソグラフィ市場における主要企業の取り組み 94
9.2 市場シェアとランキング分析 94
表50 EUVリソグラフィ市場：競争の度合い 95
図40 EUVリソグラフィ部品を提供する上位5社の市場シェア 95
9.2.1 5年間の企業収益分析 97
図41 主要企業の5年間の収益分析 97
9.3 企業評価マトリックス、2022年 98
図42 EUVリソグラフィ市場（世界）：主要企業評価マトリックス、2022年98
9.3.1 スター企業 98
9.3.2 新興リーダー企業 99
9.3.3 普及企業 99
9.3.4 参加者 99
9.4 競合ベンチマーク 99
表51 企業フットプリント 99
表52 エンドユーザーフットプリント 100
表53 地域フットプリント 100
9.5 スタートアップ/中小企業向け評価マトリックス、2022年 101
図43 EUVリソグラフィ市場：評価
スタートアップ/中小企業向けマトリックス、2022年 101
9.5.1 進歩的な企業 102
9.5.2 対応力のある企業102
9.5.3 成長著しい企業 102
9.5.4 スターティングブロック 102
9.5.5 主要スタートアップ企業／中小企業一覧 103
表54 EUVリソグラフィ市場：主要スタートアップ企業／中小企業一覧 103
9.5.6 主要スタートアップ企業／中小企業の競合ベンチマーク 103
表55 EUVリソグラフィ市場：主要スタートアップ企業／中小企業の競合
ベンチマーク 103
9.6 競争シナリオ 104
9.6.1 取引 104
表56 EUVリソグラフィ市場：取引件数（2020年5月～2023年3月） 104
10企業プロフィール 105
（事業概要、提供製品／ソリューション／サービス、最近の開発状況、MnMの視点（主要な強み／勝利のチャンス、戦略的選択、弱みと競争上の脅威））*
10.1 はじめに 105
10.2 主要プレーヤー 105
10.2.1 ASML 105
表 57 ASML：企業概要 105
図 44 ASML：企業概要 106
10.3 主要装置メーカー 108
10.3.1 CARL ZEISS AG 108
表 58 CARL ZEISS AG：企業概要 108
図 45 CARL ZEISS AG：企業概要 109
10.3.2 トッパン株式会社 111
表 59 トッパン株式会社: 会社概要 111
図 46 トッパン株式会社: 会社概要 112
10.3.3 NTTアドバンステクノロジ株式会社 114
表 60 NTTアドバンステクノロジ株式会社: 会社概要 114
図 47 NTTアドバンステクノロジ株式会社: 会社概要 114
10.3.4 ケーエルエー株式会社 117
表 61 ケーエルエー株式会社: 会社概要 117
図 48 ケーエルエー株式会社: 会社概要 118
10.3.5 アドバンテスト株式会社 120
表62 アドバンテスト株式会社: 会社概要 120
図 49 アドバンテスト株式会社: 会社概要 121
10.3.6 ウシオ電機株式会社 123
表 63 ウシオ電機株式会社: 会社概要 123
図 50 ウシオ電機株式会社: 会社概要 124
10.3.7 SUSS MICROTEC SE 125
表 64 SUSS MICROTEC SE: 会社概要 125
図 51 SUSS MICROTEC SE: 会社概要 126
10.3.8 AGC株式会社 127
表 65 AGC株式会社: 会社概要 127
図 52 AGC株式会社: 会社概要128
10.3.9 レーザーテック株式会社 130
表66 レーザーテック株式会社：会社概要 130
図53 レーザーテック株式会社：会社概要 130
10.4 その他の主要企業 132
10.4.1 エナジーテックテクノロジー株式会社 132
10.4.2 ニューフレアテクノロジー株式会社 133
10.4.3 フォトロニクス株式会社 134
10.4.4 HOYA株式会社 135
10.4.5 トルンプ 136
10.4.6 リガク株式会社 136
10.4.7 エドモンド・オプティクス株式会社137
10.4.8 パークシステムズ 138
10.4.9 ザイゴコーポレーション 138
10.4.10 イマジンオプティック 139
10.4.11 アプライドマテリアルズ 140
*非上場企業の場合、事業概要、提供製品／ソリューション／サービス、最近の動向、MnMビュー（主要な強み／勝利の権利、戦略的選択、弱みと競争上の脅威）に関する詳細は記載されていない可能性があります。
11 付録 141
11.1 業界専門家からの洞察 141
11.2 ディスカッションガイド 141
11.3 ナレッジストア：MARKETSANDMARKETSのサブスクリプションポータル 144
11.4 カスタマイズオプション 146
11.5 関連レポート 146
11.6 著者情報 147

1 INTRODUCTION 19
1.1 STUDY OBJECTIVES 19
1.2 MARKET DEFINITION 19
1.3 STUDY SCOPE 20
1.3.1 MARKETS COVERED 20
FIGURE 1 EUV LITHOGRAPHY MARKET SEGMENTATION 20
1.3.2 INCLUSIONS AND EXCLUSIONS 20
1.3.3 REGIONAL SCOPE 21
1.3.4 YEARS CONSIDERED 21
1.4 CURRENCY CONSIDERED 22
1.5 UNITS CONSIDERED 22
1.6 LIMITATIONS 22
1.7 STAKEHOLDERS 22
1.8 SUMMARY OF CHANGES 22
1.8.1 RECESSION IMPACT 23
2 RESEARCH METHODOLOGY 24
2.1 RESEARCH DATA 24
FIGURE 2 EUV LITHOGRAPHY MARKET: RESEARCH DESIGN 25
2.1.1 SECONDARY DATA 25
2.1.1.1 Key data from secondary sources 26
2.1.1.2 Key secondary sources 26
2.1.2 PRIMARY DATA 27
2.1.2.1 Key data from primary sources 27
2.1.2.2 Key participants in primary interviews 27
2.1.2.3 Breakdown of primary interviews 28
2.1.2.4 Key industry insights 28
2.1.3 SECONDARY AND PRIMARY RESEARCH 29
2.2 MARKET SIZE ESTIMATION 29
FIGURE 3 MARKET SIZE ESTIMATION METHODOLOGY: APPROACH 1 (SUPPLY SIDE): REVENUE GENERATED BY KEY COMPONENT SUPPLIERS IN EUV LITHOGRAPHY MARKET 30
FIGURE 4 MARKET SIZE ESTIMATION METHODOLOGY: APPROACH 2 (SUPPLY SIDE): ILLUSTRATION OF REVENUE ESTIMATED FOR KEY COMPONENT MANUFACTURERS IN EUV LITHOGRAPHY MARKET 31
FIGURE 5 MARKET SIZE ESTIMATION METHODOLOGY: APPROACH 3 (DEMAND SIDE) —BOTTOM-UP ESTIMATION OF EUV LITHOGRAPHY MARKET SIZE BASED ON REGION 32
2.2.1 BOTTOM-UP APPROACH 32
2.2.1.1 Approach to derive market size using bottom-up analysis 32
FIGURE 6 MARKET SIZE ESTIMATION METHODOLOGY: BOTTOM-UP APPROACH 33
2.2.2 TOP-DOWN APPROACH 33
2.2.2.1 Approach to derive market size using top-down analysis 33
FIGURE 7 MARKET SIZE ESTIMATION METHODOLOGY: TOP-DOWN APPROACH 33
2.3 MARKET SHARE ESTIMATION 34
2.4 DATA TRIANGULATION 35
FIGURE 8 DATA TRIANGULATION 35
2.5 RISK ASSESSMENT 36
TABLE 1 RISK FACTOR ANALYSIS 36
2.5.1 RECESSION IMPACT ANALYSIS 36
2.6 RESEARCH ASSUMPTIONS AND LIMITATIONS 37
2.6.1 RESEARCH ASSUMPTIONS 37
2.6.2 RESEARCH LIMITATIONS 37
3 EXECUTIVE SUMMARY 38
3.1 EUV LITHOGRAPHY MARKET: RECESSION IMPACT 38
FIGURE 9 EUV LITHOGRAPHY MARKET: IMPACT OF RECESSION 39
FIGURE 10 FOUNDRIES TO COMMAND EUV LITHOGRAPHY MARKET IN 2023 39
FIGURE 11 EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC TO GROW AT HIGHEST CAGR DURING FORECAST PERIOD 40
4 PREMIUM INSIGHTS 41
4.1 ATTRACTIVE OPPORTUNITIES FOR PLAYERS IN EUV LITHOGRAPHY MARKET 41
FIGURE 12 USE OF TECHNOLOGY IN MICROPROCESSORS, INTEGRATED CIRCUITS, AND MEMORY DEVICES TO CREATE OPPORTUNITIES FOR PROVIDERS OF EUV LITHOGRAPHY SYSTEMS 41
4.2 EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC, BY END USER AND COUNTRY 42
FIGURE 13 FOUNDRIES AND TAIWAN TO HOLD LARGEST SHARE OF EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC IN 2023 42
4.3 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER 42
FIGURE 14 FOUNDRIES TO HOLD LARGER SHARE OF EUV LITHOGRAPHY
MARKET IN 2028 42
4.4 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY COMPONENT 43
FIGURE 15 LIGHT SOURCES TO ACCOUNT FOR LARGEST MARKET SHARE IN 2028 43
4.5 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY COUNTRY 43
FIGURE 16 SOUTH KOREA TO RECORD HIGHEST CAGR IN EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC DURING FORECAST PERIOD 43
5 MARKET OVERVIEW 44
5.1 INTRODUCTION 44
5.2 MARKET DYNAMICS 44
FIGURE 17 EUV LITHOGRAPHY MARKET: DRIVERS, RESTRAINTS, OPPORTUNITIES, AND CHALLENGES 44
5.2.1 DRIVERS 45
5.2.1.1 Rapid migration toward advanced technologies and nodes 45
5.2.1.2 Growing demand for high-performance computing (HPC) 45
5.2.1.3 Increasing complexity of integrated circuits 45
FIGURE 18 EUV LITHOGRAPHY MARKET DRIVERS: IMPACT ANALYSIS 46
5.2.2 RESTRAINTS 46
5.2.2.1 Need for significant upfront capital investment 46
5.2.2.2 Requirement for advanced infrastructure and highly skilled workforce 47
FIGURE 19 EUV LITHOGRAPHY MARKET RESTRAINTS: IMPACT ANALYSIS 47
5.2.3 OPPORTUNITIES 48
5.2.3.1 Increasing investments in developing advanced EUV lithography products and semiconductor devices 48
5.2.3.2 Rising deployment of EUVL technology in new applications, including microprocessors, ICs, and memory modules/chips 48
5.2.3.3 Development of advanced memory modules/chips for next-generation memory devices 49
5.2.3.4 Commercialization of advanced displays to offer enhanced visual experience 49
5.2.3.5 Use of advanced patterning technologies in production of photonics and optics 50
FIGURE 20 EUV LITHOGRAPHY MARKET OPPORTUNITIES: IMPACT ANALYSIS 50
5.2.4 CHALLENGES 51
5.2.4.1 Achieving and maintaining high power and faster production of chips 51
5.2.4.2 Detecting and repairing mask defects and fixing yield issues 51
FIGURE 21 EUV LITHOGRAPHY MARKET CHALLENGES: IMPACT ANALYSIS 52
5.3 VALUE CHAIN ANALYSIS 52
FIGURE 22 EUV LITHOGRAPHY VALUE CHAIN ANALYSIS 52
5.3.1 R&D ENGINEERS 53
5.3.2 COMPONENT MANUFACTURERS 53
5.3.3 SYSTEM INTEGRATORS 53
5.3.4 MARKETING & SALES SERVICE PROVIDERS 53
5.3.5 END USERS 53
5.4 REVENUE SHIFT AND NEW REVENUE POCKETS FOR PLAYERS IN EUV LITHOGRAPHY MARKET 53
5.5 ECOSYSTEM MAPPING 54
TABLE 2 ROLES OF COMPANIES IN EUV LITHOGRAPHY ECOSYSTEM 54
FIGURE 23 KEY PLAYERS IN EUV LITHOGRAPHY MARKET 55
5.6 PRICING ANALYSIS 55
5.6.1 AVERAGE SELLING PRICE (ASP) TREND 55
FIGURE 24 ASP OF EUV LITHOGRAPHY SYSTEM, 2019 TO 2028 55
5.7 TECHNOLOGY ANALYSIS 55
5.7.1 EXTREME ULTRAVIOLET REFLECTOMETRY (EUVR) 55
5.8 PORTER’S FIVE FORCES ANALYSIS 56
FIGURE 25 PORTER’S FIVE FORCES ANALYSIS 56
TABLE 3 PORTER’S FIVE FORCES ANALYSIS WITH THEIR IMPACT 56
5.8.1 INTENSITY OF COMPETITIVE RIVALRY 56
5.8.2 THREAT OF NEW ENTRANTS 57
5.8.3 THREAT OF SUBSTITUTES 57
5.8.4 BARGAINING POWER OF BUYERS 57
5.8.5 BARGAINING POWER OF SUPPLIERS 57
5.9 CASE STUDIES 58
5.9.1 LAM RESEARCH ANNOUNCES SIGNIFICANT BREAKTHROUGH IN EUV LITHOGRAPHY TECHNOLOGY 58
TABLE 4 LAM RESEARCH INTRODUCES INNOVATIVE DRY RESIST TECHNOLOGY TO IMPROVE RESOLUTION, PRODUCTIVITY, AND YIELD FOR EUV LITHOGRAPHY 58
5.9.2 TSMC LIMITED BOOSTS CHIP PRODUCTION CAPACITY WITH ASML'S EUV SYSTEMS 59
TABLE 5 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY’S COMMITMENT TO EUV TECHNOLOGY AND MARKET GROWTH 59
5.10 TRADE DATA ANALYSIS 59
FIGURE 26 COUNTRY-WISE EXPORT DATA FOR PRODUCTS CLASSIFIED UNDER HS CODE 8442, 2018–2022 59
TABLE 6 EXPORT SCENARIO FOR HS CODE 8442-COMPLIANT PRODUCTS,
BY COUNTRY, 2018–2022 (USD THOUSAND) 60
FIGURE 27 COUNTRY-WISE IMPORT DATA FOR PRODUCTS CLASSIFIED UNDER HS CODE 8442, 2018–2022 60
TABLE 7 IMPORT SCENARIO FOR HS CODE 8442-COMPLIANT PRODUCTS,
BY COUNTRY, 2018–2022 (USD THOUSAND) 61
5.11 PATENT ANALYSIS 61
5.11.1 DOCUMENT TYPE 61
TABLE 8 PATENTS FILED 61
FIGURE 28 PATENTS FILED FROM 2013 TO 2022 62
5.11.2 PUBLICATION TREND 62
FIGURE 29 NO. OF PATENTS PUBLISHED EACH YEAR FROM 2013 TO 2022 62
5.11.3 JURISDICTION ANALYSIS 63
FIGURE 30 JURISDICTION ANALYSIS 63
5.11.4 TOP PATENT OWNERS 63
FIGURE 31 TOP 10 COMPANIES IN TERMS OF PUBLISHED PATENT APPLICATIONS FROM 2013 TO 2022 63
TABLE 9 TOP 20 OWNERS OF PUBLISHED PATENTS IN LAST 10 YEARS 64
5.12 REGULATORY LANDSCAPE 65
5.12.1 REGULATORY BODIES, GOVERNMENT AGENCIES, AND OTHER ORGANIZATIONS 65
TABLE 10 EUV LITHOGRAPHY: REGULATORY LANDSCAPE 65
5.12.2 REGIONAL REGULATORY BODIES, GOVERNMENT AGENCIES, AND OTHER ORGANIZATIONS 66
TABLE 11 NORTH AMERICA: LIST OF REGULATORY BODIES, GOVERNMENT AGENCIES, AND OTHER ORGANIZATIONS 66
TABLE 12 EUROPE: LIST OF REGULATORY BODIES, GOVERNMENT AGENCIES, AND OTHER ORGANIZATIONS 66
TABLE 13 ASIA PACIFIC: LIST OF REGULATORY BODIES, GOVERNMENT AGENCIES, AND OTHER ORGANIZATIONS 67
TABLE 14 ROW: LIST OF REGULATORY BODIES, GOVERNMENT AGENCIES, AND OTHER ORGANIZATIONS 67
5.13 KEY CONFERENCES AND EVENTS, 2023–2024 68
5.14 KEY STAKEHOLDERS AND BUYING CRITERIA 68
5.14.1 KEY STAKEHOLDERS IN BUYING PROCESS 68
FIGURE 32 INFLUENCE OF STAKEHOLDERS ON BUYING PROCESS FOR END USERS 68
TABLE 15 INFLUENCE OF STAKEHOLDERS IN BUYING PROCESS FOR END USERS (%) 69
5.14.2 KEY BUYING CRITERIA 69
TABLE 16 KEY BUYING CRITERIA, BY END USER 69
6 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY COMPONENT 70
6.1 INTRODUCTION 71
FIGURE 33 LIGHT SOURCES TO RECORD HIGHEST CAGR IN EUV LITHOGRAPHY MARKET DURING FORECAST PERIOD 71
TABLE 17 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY COMPONENT, 2019–2022 (USD MILLION) 71
TABLE 18 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY COMPONENT, 2023–2028 (USD MILLION) 72
6.2 LIGHT SOURCES 72
6.2.1 WIDE USE OF LPP EUV LIGHT SOURCES IN COMMERCIAL SYSTEMS TO DRIVE MARKET 72
6.3 OPTICS 72
6.3.1 HIGH PRECISION AND ACCURACY OF EUV OPTICS TO BOOST ADOPTION BY EUV LITHOGRAPHY SYSTEM MANUFACTURERS 72
6.4 MASKS 73
6.4.1 INCREASING FOCUS ON DEVELOPING NEXT-GENERATION SEMICONDUCTOR DEVICES TO FUEL SEGMENTAL GROWTH 73
6.5 OTHERS 73
7 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER 75
7.1 INTRODUCTION 76
FIGURE 34 FOUNDRIES TO RECORD HIGHER CAGR IN EUV LITHOGRAPHY MARKET DURING FORECAST PERIOD 76
TABLE 19 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER, 2019–2022 (USD MILLION) 76
TABLE 20 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER, 2023–2028 (USD MILLION) 77
TABLE 21 EUV LITHOGRAPHY MARKET, 2019–2022 (MILLION UNITS) 77
TABLE 22 EUV LITHOGRAPHY MARKET, 2023–2028 (MILLION UNITS) 77
7.2 INTEGRATED DEVICE MANUFACTURERS (IDMS) 77
7.2.1 RISING FOCUS OF IDMS ON DEVELOPING ADVANCED AND POWER-EFFICIENT MICROCHIPS AND ICS TO BOOST SEGMENTAL GROWTH 77
TABLE 23 INTEGRATED DEVICE MANUFACTURERS (IDMS): EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY REGION, 2019–2022 (USD MILLION) 78
TABLE 24 INTEGRATED DEVICE MANUFACTURERS (IDMS): EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY REGION, 2023–2028 (USD MILLION) 78
TABLE 25 INTEGRATED DEVICE MANUFACTURERS (IDMS): EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC, BY COUNTRY, 2019–2022 (USD MILLION) 78
TABLE 26 INTEGRATED DEVICE MANUFACTURERS (IDMS): EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC, BY COUNTRY, 2023–2028 (USD MILLION) 79
7.3 FOUNDRIES 79
7.3.1 CONSTANT ADVANCES IN SEMICONDUCTOR NODES TO DRIVE DEMAND FOR EUV LITHOGRAPHY FROM FOUNDRIES 79
TABLE 27 FOUNDRIES: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY REGION,
2019–2022 (USD MILLION) 79
TABLE 28 FOUNDRIES: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY REGION,
2023–2028 (USD MILLION) 80
TABLE 29 FOUNDRIES: EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC, BY COUNTRY, 2019–2022 (USD MILLION) 80
TABLE 30 FOUNDRIES: EUV LITHOGRAPHY MARKET IN ASIA PACIFIC, BY COUNTRY, 2023–2028 (USD MILLION) 80
8 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY REGION 81
8.1 INTRODUCTION 82
FIGURE 35 ASIA PACIFIC TO REGISTER HIGHEST CAGR IN EUV LITHOGRAPHY MARKET DURING FORECAST PERIOD 82
TABLE 31 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY REGION, 2019–2022 (USD MILLION) 82
TABLE 32 EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY REGION, 2023–2028 (USD MILLION) 82
8.2 AMERICAS 83
8.2.1 WELL-ESTABLISHED SEMICONDUCTOR INDUSTRY TO SUPPORT MARKET GROWTH 83
FIGURE 36 AMERICAS: MARKET SNAPSHOT 84
TABLE 33 AMERICAS: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2019–2022 (USD MILLION) 84
TABLE 34 AMERICAS: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 84
8.2.2 AMERICAS: RECESSION IMPACT 85
8.3 EUROPE 85
8.3.1 INVESTMENTS BY GERMANY, NETHERLANDS, AND FRANCE IN R&D OF EUV LITHOGRAPHY PRODUCTS TO DRIVE MARKET 85
FIGURE 37 EUROPE: MARKET SNAPSHOT 86
TABLE 35 EUROPE: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 86
8.3.2 EUROPE: RECESSION IMPACT 86
8.4 ASIA PACIFIC 87
FIGURE 38 ASIA PACIFIC: MARKET SNAPSHOT 88
TABLE 36 ASIA PACIFIC: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY COUNTRY,
2019–2022 (USD MILLION) 88
TABLE 37 ASIA PACIFIC: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY COUNTRY,
2023–2028 (USD MILLION) 89
TABLE 38 ASIA PACIFIC: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2019–2022 (USD MILLION) 89
TABLE 39 ASIA PACIFIC: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 89

8.4.1 CHINA 89
8.4.1.1 Strong semiconductor production capabilities to drive market 89
TABLE 40 CHINA: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2019–2022 (USD MILLION) 90
TABLE 41 CHINA: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 90
8.4.2 JAPAN 90
8.4.2.1 Presence of well-known providers of high-quality semiconductor chips to fuel market growth 90
TABLE 42 JAPAN: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2019–2022 (USD MILLION) 91
TABLE 43 JAPAN: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 91
8.4.3 TAIWAN 91
8.4.3.1 Substantial investments by semiconductor manufacturing firms to develop eco-friendly EUV system components to drive market 91
TABLE 44 TAIWAN: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2019–2022 (USD MILLION) 91
TABLE 45 TAIWAN: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 92
8.4.4 SOUTH KOREA 92
8.4.4.1 Increasing use of EUV lithography to produce cutting-edge semiconductor chips to accelerate market growth 92
TABLE 46 SOUTH KOREA: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2019–2022 (USD MILLION) 92
TABLE 47 SOUTH KOREA: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 92
8.4.5 REST OF ASIA PACIFIC 93
TABLE 48 REST OF ASIA PACIFIC: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2019–2022 (USD MILLION) 93
TABLE 49 REST OF ASIA PACIFIC: EUV LITHOGRAPHY MARKET, BY END USER,
2023–2028 (USD MILLION) 93
8.4.6 ASIA PACIFIC: RECESSION IMPACT 93
9 COMPETITIVE LANDSCAPE 94
9.1 OVERVIEW 94
FIGURE 39 KEY STRATEGIES UNDERTAKEN BY LEADING PLAYERS IN EUV LITHOGRAPHY MARKET FROM 2021 TO 2023 94
9.2 MARKET SHARE AND RANKING ANALYSIS 94
TABLE 50 EUV LITHOGRAPHY MARKET: DEGREE OF COMPETITION 95
FIGURE 40 MARKET SHARE OF TOP 5 PLAYERS OFFERING EUV LITHOGRAPHY COMPONENTS 95
9.2.1 FIVE-YEAR COMPANY REVENUE ANALYSIS 97
FIGURE 41 FIVE-YEAR REVENUE ANALYSIS OF KEY COMPANIES 97
9.3 COMPANY EVALUATION MATRIX, 2022 98
FIGURE 42 EUV LITHOGRAPHY MARKET (GLOBAL): EVALUATION MATRIX FOR KEY COMPANIES, 2022 98
9.3.1 STARS 98
9.3.2 EMERGING LEADERS 99
9.3.3 PERVASIVE PLAYERS 99
9.3.4 PARTICIPANTS 99
9.4 COMPETITIVE BENCHMARKING 99
TABLE 51 COMPANY FOOTPRINT 99
TABLE 52 END USER FOOTPRINT 100
TABLE 53 REGION FOOTPRINT 100
9.5 EVALUATION MATRIX FOR STARTUPS/SMES, 2022 101
FIGURE 43 EUV LITHOGRAPHY MARKET: EVALUATION
MATRIX FOR STARTUPS/SMES, 2022 101
9.5.1 PROGRESSIVE COMPANIES 102
9.5.2 RESPONSIVE COMPANIES 102
9.5.3 DYNAMIC COMPANIES 102
9.5.4 STARTING BLOCKS 102
9.5.5 LIST OF KEY STARTUPS/SMES 103
TABLE 54 EUV LITHOGRAPHY MARKET: LIST OF MAJOR STARTUPS/SMES 103
9.5.6 COMPETITIVE BENCHMARKING OF KEY STARTUPS/SMES 103
TABLE 55 EUV LITHOGRAPHY MARKET: COMPETITIVE
BENCHMARKING OF KEY STARTUPS/SMES 103
9.6 COMPETITIVE SCENARIO 104
9.6.1 DEALS 104
TABLE 56 EUV LITHOGRAPHY MARKET: DEALS, MAY 2020–MARCH 2023 104
10 COMPANY PROFILES 105
(Business Overview, Products/Solutions/Services Offered, Recent Developments, and MnM View (Key strengths/Right to Win, Strategic Choices Made, and Weaknesses and Competitive Threats))*
10.1 INTRODUCTION 105
10.2 KEY PLAYERS 105
10.2.1 ASML 105
TABLE 57 ASML: COMPANY OVERVIEW 105
FIGURE 44 ASML: COMPANY SNAPSHOT 106
10.3 KEY EQUIPMENT MANUFACTURERS 108
10.3.1 CARL ZEISS AG 108
TABLE 58 CARL ZEISS AG: COMPANY OVERVIEW 108
FIGURE 45 CARL ZEISS AG: COMPANY SNAPSHOT 109
10.3.2 TOPPAN INC. 111
TABLE 59 TOPPAN INC: COMPANY OVERVIEW 111
FIGURE 46 TOPPAN INC.: COMPANY SNAPSHOT 112
10.3.3 NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION 114
TABLE 60 NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION: COMPANY OVERVIEW 114
FIGURE 47 NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION: COMPANY SNAPSHOT 114
10.3.4 KLA CORPORATION 117
TABLE 61 KLA CORPORATION: COMPANY OVERVIEW 117
FIGURE 48 KLA CORPORATION: COMPANY SNAPSHOT 118
10.3.5 ADVANTEST CORPORATION 120
TABLE 62 ADVANTEST CORPORATION: COMPANY OVERVIEW 120
FIGURE 49 ADVANTEST CORPORATION: COMPANY SNAPSHOT 121
10.3.6 USHIO INC. 123
TABLE 63 USHIO INC.: COMPANY OVERVIEW 123
FIGURE 50 USHIO INC.: COMPANY SNAPSHOT 124
10.3.7 SUSS MICROTEC SE 125
TABLE 64 SUSS MICROTEC SE: COMPANY OVERVIEW 125
FIGURE 51 SUSS MICROTEC SE: COMPANY SNAPSHOT 126
10.3.8 AGC INC. 127
TABLE 65 AGC INC.: COMPANY OVERVIEW 127
FIGURE 52 AGC INC.: COMPANY SNAPSHOT 128
10.3.9 LASERTEC CORPORATION 130
TABLE 66 LASERTEC CORPORATION: COMPANY OVERVIEW 130
FIGURE 53 LASERTEC CORPORATION: COMPANY SNAPSHOT 130
10.4 OTHER KEY PLAYERS 132
10.4.1 ENERGETIQ TECHNOLOGY INC. 132
10.4.2 NUFLARE TECHNOLOGY INC. 133
10.4.3 PHOTRONICS, INC. 134
10.4.4 HOYA CORPORATION 135
10.4.5 TRUMPF 136
10.4.6 RIGAKU CORPORATION 136
10.4.7 EDMUND OPTICS LTD. 137
10.4.8 PARK SYSTEMS 138
10.4.9 ZYGO CORPORATION 138
10.4.10 IMAGINE OPTIC 139
10.4.11 APPLIED MATERIALS, INC. 140
*Details on Business Overview, Products/Solutions/Services Offered, Recent Developments, and MnM View (Key strengths/Right to Win, Strategic Choices Made, and Weaknesses and Competitive Threats) might not be captured in case of unlisted companies.
11 APPENDIX 141
11.1 INSIGHTS FROM INDUSTRY EXPERTS 141
11.2 DISCUSSION GUIDE 141
11.3 KNOWLEDGESTORE: MARKETSANDMARKETS’ SUBSCRIPTION PORTAL 144
11.4 CUSTOMIZATION OPTIONS 146
11.5 RELATED REPORTS 146
11.6 AUTHOR DETAILS 147

※参考情報

極端紫外線（EUV）リソグラフィは、半導体製造において非常に重要な技術です。この技術は、主にナノスケールのパターンをシリコン基板上に転写するために使用されます。EUVリソグラフィは、波長が約13.5ナノメートルという非常に短い紫外線を使用するため、従来のリソグラフィ技術に比べて高い解像度を達成することができます。
EUVリソグラフィの基本的な概念は、特定の波長の光を使用してレジストと呼ばれる感光材料にパターンを描くことです。このレジストは、光に当たることによって化学的に変化し、エッチング工程で使用されるマスクを形成します。EUVの短い波長によって、より小さい回路パターンを形成できるため、より高い集積度と性能を持つ半導体デバイスを製造することが可能になります。

EUVリソグラフィにはいくつかの種類があります。主に、シングルエクスポージャ規則に基づくシングルEUVリソグラフィおよび複数の露光を組み合わせたダブルパターンニング技術が存在します。シングルEUVは、1回の露光で微細な構造を形成できるため、工程が単純化され、製造コストの低減につながる利点があります。一方、ダブルパターンニングでは、複数の露光を用いて、より複雑なパターンを形成することが可能であり、解像度の限界を超えることができます。

EUVリソグラフィの主な用途は、最新の半導体デバイスの製造です。特に、5nm以下のプロセス技術を使用する際に不可欠な技術となっています。スマートフォンやコンピュータ、人工知能（AI）などの分野で用いられています。また、高性能なコンピュータプロセッサやグラフィックスプロセッサにおいてもEUVリソグラフィが広く利用されています。そのため、EUVリソグラフィは、モバイルデバイスやデータセンター向けの新しい技術開発やイノベーションを支える基盤技術となっています。

EUVリソグラフィの関連技術には、光源、光学系、レジスト材料、マスク技術、エッチング技術などがあります。特に、EUV光源は、非常に高エネルギーの光を生成するために、レーザーを使用したプラズマ生成技術を採用しています。この光源の開発は、EUVリソグラフィ全体の性能に大きな影響を与えるため、最先端の研究が行われています。

また、EUVリソグラフィでは、光のミラーを使用してEUV光を導く光学系が必要です。EUV光は、通常の光学素子では吸収されやすいため、特殊な素材やコーティングが施されたミラーが必要です。こうした光学技術の進展も、EUVリソグラフィの発展に寄与しています。

さらに、レジスト材料はEUVリソグラフィの成功において重要な要素です。EUV専用のレジストは、高い感度と解像度を要求されます。新しい材料の開発やプロセスの最適化は、EUVリソグラフィの性能を向上させるために重要です。

エッチング技術もまた、EUVリソグラフィにおいて欠かせない工程です。露光されたレジストから形成されたパターンを基板上に転写するためには、高精度で制御されたエッチングプロセスが必要です。これにより、意図した形状がシリコン基板に形成されることになります。

総じて、極端紫外線リソグラフィは、次世代半導体技術を実現するために欠かせない進化した製造プロセスであり、今後ますますその重要性が増すと考えられます。持続的な技術革新や新材質の開発により、EUVリソグラフィの可能性はさらに広がるでしょう。これにより、私たちがこれから体験する新しい世代の電子機器や技術が実現することが期待されます。

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極端紫外線（EUV）リソグラフィのグローバル市場予測（～2028）：光源、マスク、光学系

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