ガリウムナイトライド（GaN）は、広いバンドギャップを有するため、デバイスをコンパクトに設計でき、より大きな電気場に対応可能です。GaNのバンドギャップ（約3.4 eV）はシリコン（1.2 eV）に比べてはるかに広く、これによりキャリア密度が向上し、極めて低い抵抗と容量を実現し、100倍の高速化に貢献しています。さらに、GaN技術は光電子工学、自動車、データセンターなど多様な分野への統合が進んでおり、市場の成長を牽引する重要な要因となっています。

自動車業界は現在、電気化への大きな変革期を迎えており、GaN半導体デバイスがこの変化を牽引する重要なコンポーネントとして浮上しています。GaNの卓越した効率と強力な電力処理能力を活用し、電気自動車（EV）内のオンボードチャージャー、DC-DCコンバーター、パワーインバーターなど、多様なアプリケーションの性能向上が進められています。電気自動車のグローバル需要が急増する中、GaN半導体デバイスの市場は大幅な拡大が見込まれており、電気移動手段の普及を加速する重要な役割を果たすでしょう。この進化は、自動車業界の持続可能性へのコミットメントを強調するだけでなく、世界規模でよりクリーンで効率的な移動手段へのパラダイムシフトを象徴しています。

医療分野など新たな応用分野が、GaN半導体デバイスの市場成長を促進すると期待されています。例えば、GaNコンポーネントを搭載したロボットは、繊細な手術の効率的な実行に活用されています。GaNの卓越した速度、効率、信頼性を活用したGaN技術搭載のロボットシステムは、複雑な手術に不可欠な前例のない精度と制御を実現します。これらの先進的なロボットは、GaN半導体デバイスにより、医療従事者が患者への負担を最小限に抑えた低侵襲手術を実行可能にし、回復時間を短縮します。医療業界が技術革新を継続的に取り入れる中、医療ロボットにおけるGaN半導体デバイスの活用は、患者と医療従事者双方に革新的な利益をもたらす魅力的な分野として注目されています。

無線通信デバイス、特に防衛通信分野における需要が、GaN半導体の需要を牽引すると予想されています。GaN技術は、防衛通信システムに特に適した複数の利点を提供します。高い電力密度、広帯域幅、優れた熱伝導性は、過酷な環境下でも動作可能な堅牢で信頼性の高い無線デバイスの開発を可能にします。これらの特性により、GaN半導体デバイスはレーダーシステム、電子戦、衛星通信など、性能、効率、耐性が重要なアプリケーションに最適です。

業界は、高い初期投資という重大な課題に直面しています。ガリウムナイトライドベースのデバイスの製造には、高度な製造プロセスと専門的な設備が必要であり、市場参入企業にとって初期コストが大幅に増加します。これらの費用には、研究開発、エピタキシャル成長、ウェハ加工、デバイスパッケージングなどが含まれます。その結果、ガリウム窒化物半導体の高い効率や電力密度といった潜在的なメリットは魅力的ですが、必要な大規模な初期投資は、市場参入企業や小規模事業者にとって大きな障壁となり、市場の成長とアクセス可能性を制限する可能性があります。

製品インサイト

2024年に売上高の36.3％を占め、業界を支配したのはオプト半導体セグメントです。これは、LED、太陽電池、フォトダイオード、レーザー、オプトエレクトロニクスなどのデバイスへのオプト半導体応用が主な要因です。自動車業界では、自動車照明、室内・屋外照明、パルス駆動レーザーなどにオプト半導体が increasingly 採用されており、これにより自動車と消費者電子機器業界におけるオプト半導体の採用が促進されています。さらに、光検出と測距（LiDAR）やパルスレーザーなどの応用分野で光半導体素子が広く採用されていることは、セグメントの成長に好影響を与える見込みです。

ガリウムナイトライド（GaN）無線周波数デバイスセグメントは、消費者電子機器や防衛産業など、市場における早期採用分野で多様な応用が拡大していることから、成長が見込まれています。これらのデバイスは、高性能かつコスト効率の良い特性から、即席爆発装置（IED）にも使用されており、セグメントの成長をさらに促進すると予想されます。さらに、高周波GaNデバイスは、電気自動車の車両間通信システムや車両からグリッドへの通信システムにも採用されています。

コンポーネント動向

トランジスタセグメントは、高周波・高出力アプリケーションにおける優れた性能特性により市場を支配しています。GaNトランジスタ、特に高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、シリコンベースの代替品に比べて定量的に優れた特性を示しており、スイッチング速度、 breakdown電圧、導通損失の改善が報告されています。これらの技術的特性により、GaNトランジスタは電気自動車のパワートレイン、急速充電インフラ、5Gネットワーク機器など、特定の性能要件を満たす必要があるアプリケーションに適したコンポーネントとして位置付けられています。GaNトランジスタは、高温環境下でも性能を維持しながら動作できるため、これらのアプリケーションにおける魅力がさらに高まっています。

整流器セグメントは、予測期間中に最も高い年平均成長率（CAGR）29.8％で成長すると予想されています。この成長は、自動車、消費者電子機器、通信など、さまざまな業界における高効率な電力変換ソリューションの需要増加に起因しています。GaN整流器は、導通損失とスイッチング損失が低いため、高いエネルギー効率と電力消費の削減を実現します。この効率は、特にエネルギー効率が重要な高出力・高周波数アプリケーションにおいて、運転コストの削減とシステム全体の性能向上に直結します。さらに、GaN整流器は高速スイッチング速度と高い breakdown 電圧を特徴とし、高周波数での動作や高電圧の処理において、より高い信頼性を発揮します。

ウェハサイズ動向

2024年には4インチセグメントが市場シェアの38.6%を占め、市場を支配しました。これは、4インチウェハが半導体デバイスの大規模生産を可能にするためです。2インチウェハの制限を克服し、半導体製品業界で広く採用されているため、4インチウェハの採用が急速に拡大しています。さらに、高出力アンプ、光電子デバイス、通信フロントエンド、高温デバイスにおける4インチウェハを使用したガリウムナイトライドデバイスの需要増加がセグメントの成長を後押ししています。また、4インチ基板の放射線耐性特性により、宇宙通信アプリケーションへの適性がセグメント成長の主要因となる見込みです。

6インチセグメントは、6インチウェハが提供する均一な電圧供給と精密な電流制御のメリットにより、拡大が見込まれています。6インチウェハは、電圧の均一性と電流の精密な制御を向上させるように設計されています。高 breakdown 電圧と低電流漏れといったメリットから、防衛機器や消費者電子機器において幅広い応用が期待されています。さらに、無線セルラー基地局用のモノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）パワーアンプや自動車の衝突回避システムなどの商業用途における6インチウェハの採用拡大は、セグメントの成長に好影響を与えると予想されます。

最終用途別動向

情報通信技術（ICT）セグメントは、2024年に売上高の23.5％を占め、市場を支配しています。この成長は、世界的なインターネット・オブ・シングス（IoT）技術の導入拡大に起因しています。IoTデバイスは、情報の継続的な交換を可能にする効率的でコスト効果の高いコンポーネントを必要としています。GaNベースの半導体素子は、IoT対応製品の適切な動作に必要な低消費電力と高効率の要件を満たすと期待されています。さらに、これらの半導体素子は、分散型アンテナシステム（DAS）、小型セル、リモートラジオヘッドネットワークの密度向上などに広く採用されています。また、データセンター、サーバー、基地局、伝送線路、衛星通信、基地局トランシーバーなどにも使用されています。

防衛・航空宇宙分野の成長は、通信、電子戦、レーダーにおける帯域幅と性能の信頼性を向上させるため、GaN技術が防衛・航空宇宙分野でますます採用されていることに起因します。レーダーボードに採用されるICにはGaNが組み込まれており、効率的なナビゲーション、衝突回避の支援、リアルタイムの航空交通管制を可能にします。GaN半導体が高周波数動作を可能にするため、レーダー通信、地上無線、軍事用ジャマーなどに適しています。さらに、ソフトウェア定義無線のアンプに広帯域GaNパワートランジスタの採用が増加していることが、セグメント成長の主要因となっています。

地域別動向

北米のガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場は2024年に世界市場を支配し、34.3％の最大の売上高シェアを占めました。防衛・航空宇宙業界の研究開発への投資増加が、地域の市場成長を後押ししています。さらに、政府機関から半導体企業への資金提供が、地域の市場成長を促進すると予想されています。この地域の企業は、シリコン上ガリウムナイトライド（GaN-on-Si）特許の商業化権の発売にも注力しています。例えば、2024年3月、半導体技術企業である5N Plus Inc.は、シリコン上ガリウムナイトライド（GaN-on-Si）特許の商用化権を発売しました。同社によると、これらの特許は、革新的な垂直型GaN-on-Siパワーデバイスのプロトタイプ開発の迅速化と早期市場投入を可能にするとのことです。

米国ガリウムナイトライド半導体デバイス市場動向

米国におけるガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場は、2025年から2030年にかけて年平均成長率（CAGR）27.5％で成長すると予測されています。GaN技術と製造プロセスの進展が米国の市場拡大を後押しし、米国はグローバルなGaN半導体市場において主要な国として位置付けられています。

アジア太平洋地域 ガリウムナイトライド半導体デバイス市場動向

アジア太平洋地域のガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場は、高性能で効率的な無線周波数（RF）コンポーネントの需要増加を背景に、予測期間中に最も急速に成長する市場として浮上すると予想されています。同地域では、中国や日本がLEDディスプレイデバイス、スマートフォン、ゲームコンソールなどの消費者電子機器の主要な製造国となっています。これが地域市場の成長を後押しする主要因です。中国、韓国、インドなどの国における防衛予算の拡大により、信頼性の高い通信機器の需要が拡大しており、この需要がガリウムナイトライドベースのRFデバイスの市場を牽引すると予想されます。アジア太平洋地域における通信インフラの整備と無線電子機器の普及の著しい増加も、市場の拡大をさらに促進しています。

中国のガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場は、2025年から2030年にかけて著しい年平均成長率（CAGR）で成長すると予測されています。国内半導体生産の強化を目的とした政府の取り組みと、GaN製造技術の進歩が市場拡大の主要な要因となり、中国はグローバルなGaN半導体市場における主要なプレイヤーとしての地位を確立しています。

ヨーロッパのガリウムナイトライド半導体デバイス市場動向

欧州のガリウムナイトライド半導体デバイス市場は、2025年から2030年にかけて26.4%のCAGRで成長すると予測されています。欧州がエネルギー消費と二酸化炭素排出量の削減に注力する中、GaN技術は再生可能エネルギー、自動車、通信などの分野で採用が進んでいます。欧州の堅固な半導体産業と支援的な規制枠組みが市場拡大を後押しし、同地域をGaNの研究、開発、製造の拠点として確立しています。

ドイツのガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場は、2025年から2030年にかけて著しいCAGRで成長すると予測されています。ドイツは、堅固な自動車産業と再生可能エネルギー源への注目が高まっていることから、GaNベースのデバイスの採用に適した環境を提供し、市場の成長に貢献しています。

主要なガリウムナイトライド半導体デバイス企業動向

ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場で活動する主要企業は、市場での存在感を強化し、製品・サービスの普及範囲を拡大するため、多様なイニシアチブを展開しています。拡大戦略やパートナーシップの構築が、市場成長を後押しする重要な要因となっています。

主要なガリウムナイトライド半導体デバイス企業:

以下の企業は、ガリウムナイトライド半導体デバイス市場における主要な企業です。これらの企業は、市場シェアの大部分を占め、業界の動向をリードしています。

• Fujitsu Ltd.
• Efficient Power Conversion Corporation
• Transphorm, Inc.
• Infineon Technologies AG
• NXP Semiconductors.
• Qorvo, Inc
• Texas Instruments Incorporated.
• Toshiba Corporation
• GaN Systems
• NTT Advanced Technology Corporation.

最近の動向

• 2024年4月、ガリウムナイトライドパワー半導体サプライヤーのTransphorm, Inc.とWeltrend Semiconductor Inc.は、2つの新しいガリウムナイトライドシステム・イン・パッケージ（SiP）の発売を発表しました。これらの最新製品であるWT7162RHUG24CとWT7162RHUG24Bは、Weltrendの高周波多モード（QR/Valley Switching）フライバックPWMコントローラーと、Transphormの480 mΩおよび150 mΩ SuperGaN FETをそれぞれ組み合わせたものです。この協業は、昨年発表されたWeltrendのフラッグシップGaN SiPを基盤に構築され、TransphormのSuperGaNプラットフォームをベースとした初のSiP製品ファミリーを確立します。
• 2024年3月、Efficient Power Conversion Corporationは、市場最低のオン抵抗100V、1mΩを実現した画期的なガリウムナイトライド（GaN）フィールド効果トランジスタ（FET）であるEPC2361を発売しました。この革新は、EPCの従来製品と比較して電力密度を2倍に高めることを約束しています。EPC2361は、熱効率に優れたQFNパッケージ（露出トップ）に封入され、3mm×5mmのコンパクトなフットプリントを実現しながら、典型的なRDS（on）値1mΩという優れた性能を発揮します。
• 2024年1月、Transphorm Inc.は、4ピンTO-247パッケージ（TO-247-4L）に封入された2つの新しい650V SuperGaNデバイスを発売しました。これらの新FETは、TP65H035G4YSとTP65H050G4YSと名付けられ、それぞれ35mΩと50mΩのオン抵抗を特徴とし、ケルビンソース端子を搭載することで、エネルギー損失を低減しつつ多様なスイッチング機能を実現可能です。

グローバル・ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場レポート セグメンテーション

このレポートは、2018年から2030年までの期間において、グローバル、地域、国別レベルでの売上高の成長を予測し、各サブセグメントにおける最新の業界動向を分析しています。この調査では、グランドビューリサーチは、グローバルガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場レポートを、製品、コンポーネント、ウェハサイズ、最終用途、地域に基づいてセグメント化しています：

• 製品別見通し（売上高、米ドル百万、2018年～2030年）
  • GaN無線周波数デバイス
  • 光半導体
  • パワー半導体
• コンポーネント別見通し（売上高、米ドル百万、2018年～2030年）
  • トランジスタ
  • ダイオード
  • 整流器
  • パワーIC
  • その他
• ウェハサイズ別見通し（売上高、百万ドル、2018年～2030年）
  • 2インチ
  • 4インチ
  • 6インチ
  • 8インチ
• 最終用途別見通し（売上高、百万ドル、2018年～2030年）
  • 自動車
  • 消費者向け電子機器
  • 防衛・航空宇宙
  • 医療
  • 産業・電力
  • 情報通信技術
  • その他
• 地域別見通し（売上高、百万米ドル、2018年～2030年）
  • 北米
    • 米国
    • カナダ
    • メキシコ
  • ヨーロッパ
    • イギリス
    • ドイツ
    • フランス
  • アジア太平洋
    • インド
    • 中国
    • 日本
    • 韓国
    • オーストラリア
  • ラテンアメリカ
    • ブラジル
  • 中東・アフリカ
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • 南アフリカ

第1章 方法論と範囲

1.1. 市場セグメンテーションと範囲

1.2. 研究方法論

1.2.1. 情報収集

1.3. 情報またはデータ分析

1.4. 方法論

1.5. 研究範囲と仮定

1.6. 市場形成と検証

1.7. 国別セグメントシェアの計算

1.8. データソース一覧

第2章. 執行要約

2.1. 市場見通し

2.2. セグメント見通し

2.3. 競合分析

第3章. ガリウムナイトライド (GaN) 半導体デバイス市場変数、動向、および範囲

3.1. 市場系譜展望

3.2. 市場動向

3.2.1. 市場ドライバー分析

3.2.2. 市場制約分析

3.2.3. 業界の課題

3.3. ガリウムナイトライド (GaN) 半導体デバイス市場分析ツール

3.3.1. 業界分析 – ポーターの

3.3.1.1. 供給者の交渉力

3.3.1.2. 購入者の交渉力

3.3.1.3. 代替品の脅威

3.3.1.4. 新規参入者の脅威

3.3.1.5. 競争の激化

3.3.2. PESTEL分析

3.3.2.1. 政治的環境

3.3.2.2. 経済的環境

3.3.2.3. 社会的環境

3.3.2.4. 技術的環境

3.3.2.5. 環境的環境

3.3.2.6. 法的環境

第4章 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：製品推定とトレンド分析

4.1. セグメントダッシュボード

4.2. ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：製品動向分析、2024年と2030年（百万ドル）

4.3. GaN無線周波数デバイス

4.3.1. GaN無線周波数デバイス市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

4.4. 光半導体

4.4.1. 光半導体市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

4.5. パワー半導体

4.5.1. パワー半導体市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

第5章. ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：コンポーネント推計とトレンド分析

5.1. セグメントダッシュボード

5.2. ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：コンポーネント動向分析、2024年と2030年 （百万ドル）

5.3. トランジスタ

5.3.1. トランジスタ市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

5.4. ダイオード

5.4.1. ダイオード市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

5.5. 整流器

5.5.1. 整流器市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

5.6. パワーIC

5.6.1. パワーIC市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

5.7. その他

5.7.1. ダイオード市場売上高予測と推計、2018年～2030年（百万ドル）

第6章 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：市場規模推計とトレンド分析

6.1. セグメントダッシュボード

6.2. ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：市場規模動向分析、2024年と2030年（百万ドル）

6.3. 2インチ

6.3.1. 2インチ市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

6.4. 4インチ

6.4.1. 4インチ市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

6.5. 6インチ

6.5.1. 6インチ市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

6.6. 8インチ

6.6.1. 8インチ市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

第7章 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：最終用途別推計とトレンド分析

7.1. セグメントダッシュボード

7.2. ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：最終用途動向分析、2024年と2030年（百万ドル）

7.3. 自動車

7.3.1. 自動車市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

7.4. 消費者電子機器

7.4.1. 消費者電子機器市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

7.5. 防衛・航空宇宙

7.5.1. 防衛・航空宇宙市場売上高推計と予測、2018年～2030年 （百万ドル）

7.6. 医療

7.6.1. 医療市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

7.7. 産業・電力

7.7.1. 産業・電力市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

7.8. 情報通信技術

7.8.1. 情報通信技術市場売上高推計と予測（2018年～2030年）（百万米ドル）

7.9. その他

7.9.1. その他市場売上高推計と予測（2018年～2030年）（百万米ドル）

第8章 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：地域別推定値とトレンド分析

8.1. ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場シェア、地域別、2024年と2030年（百万ドル）

8.2. 北米

8.2.1. 北米ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場推定値と予測（2018年～2030年、百万ドル）

8.2.2. アメリカ

8.2.2.1. アメリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.2.3. カナダ

8.2.3.1. カナダ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.2.4. メキシコ

8.2.4.1. メキシコ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.3. ヨーロッパ

8.3.1. ヨーロッパ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.3.2. イギリス

8.3.2.1. イギリス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.3.3. ドイツ

8.3.3.1. ドイツ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.3.4. フランス

8.3.4.1. フランス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.4. アジア太平洋

8.4.1. アジア太平洋 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.4.2. 中国

8.4.2.1. 中国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.4.3. 日本

8.4.3.1. 日本 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年） (USD百万)

8.4.4. インド

8.4.4.1. インド ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年（USD百万）

8.4.5. 韓国

8.4.5.1. 韓国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年） (USD百万)

8.4.6. オーストラリア

8.4.6.1. オーストラリア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.5. ラテンアメリカ

8.5.1. ラテンアメリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.5.2. ブラジル

8.5.2.1. ブラジル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.6. 中東・アフリカ

8.6.1. 中東・アフリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年） (百万ドル)

8.6.2. アラブ首長国連邦

8.6.2.1. アラブ首長国連邦 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測、2018年～2030年（百万ドル）

8.6.3. サウジアラビア

8.6.3.1. サウジアラビア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

8.6.4. 南アフリカ

8.6.4.1. 南アフリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年）（百万米ドル）

第9章 競争環境

9.1. 企業分類

9.2. 企業の市場ポジション

9.3. 企業ヒートマップ分析

9.4. 企業プロファイル/一覧

9.4.1. 富士通株式会社

9.4.1.1. 参加企業の概要

9.4.1.2. 財務実績

9.4.1.3. 製品ベンチマーク

9.4.1.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.2. エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーション

9.4.2.1. 参加企業の概要

9.4.2.2. 財務実績

9.4.2.3. 製品ベンチマーク

9.4.2.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.3. トランスフォーム株式会社

9.4.3.1. 参加企業の概要

9.4.3.2. 財務実績

9.4.3.3. 製品ベンチマーク

9.4.3.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.4. インフィニオン・テクノロジーズAG

9.4.4.1. 参加企業の概要

9.4.4.2. 財務実績

9.4.4.3. 製品ベンチマーク

9.4.4.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.5. NXPセミコンダクターズ.

9.4.5.1. 参加企業の概要

9.4.5.2. 財務実績

9.4.5.3. 製品ベンチマーク

9.4.5.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.6. Qorvo, Inc.

9.4.6.1. 参加企業の概要

9.4.6.2. 財務実績

9.4.6.3. 製品ベンチマーク

9.4.6.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.7. Texas Instruments Incorporated.

9.4.7.1. 参加企業の概要

9.4.7.2. 財務実績

9.4.7.3. 製品ベンチマーク

9.4.7.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.8. Toshiba Corporation

9.4.8.1. 参加企業の概要

9.4.8.2. 財務実績

9.4.8.3. 製品ベンチマーク

9.4.8.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.9. GaN Systems

9.4.9.1. 参加者の概要

9.4.9.2. 財務実績

9.4.9.3. 製品ベンチマーク

9.4.9.4. 戦略的イニシアチブ

9.4.10. NTTアドバンストテクノロジー株式会社.

9.4.10.1. 参加企業の概要

9.4.10.2. 財務実績

9.4.10.3. 製品ベンチマーク

9.4.10.4. 戦略的イニシアチブ

表一覧

表1 グローバル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年 (USD百万)

表2 グローバルガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、地域別、2018年～2030年（USD百万）

表3 グローバルガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表4 グローバルガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表5 グローバル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表6 グローバル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表7 GaN無線周波数デバイス市場、地域別、2018年～2030年（百万ドル）

表8 オプト半導体市場、地域別、2018年～2030年（百万ドル）

表9 パワー半導体市場、地域別、2018年～2030年（百万ドル）

表10 トランジスタ市場、地域別、2018年～2030年 (USD百万)

表11 ダイオード市場、地域別、2018年～2030年（USD百万）

表12 整流器市場、地域別、2018年～2030年（USD百万）

表13 パワーIC市場、地域別、2018年～2030年（USD百万）

表14 その他の市場、地域別、2018年～2030年（百万ドル）

表15 2インチ市場、地域別、2018年～2030年（百万ドル）

表16 4インチ市場、地域別、2018年 – 2030（米ドル百万）

表17 6インチ市場、地域別、2018年～2030年（米ドル百万）

表18 8インチ市場、地域別、2018年～2030年（米ドル百万）

表19 自動車市場、地域別、2018年～2030年（米ドル百万）

表20 消費者電子機器市場、地域別、2018年～2030年（百万ドル）

表21 防衛・航空宇宙市場、地域別、2018年～2030年（百万ドル）

表22 医療市場、地域別、2018年～2030年 (USD百万)

表23 情報通信技術市場、地域別、2018年～2030年（USD百万）

表24 産業・電力市場、地域別、2018年～2030年（USD百万）

表25 その他市場、地域別、2018年～2030年（USD百万）

表26 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、地域別、 2018 – 2030（百万ドル）

表27 北米ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018 – 2030（百万ドル）

表28 北米ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018 – 2030（百万ドル）

表29 北米 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表30 北米ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表31 米国ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表32 米国ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表33 米国ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表34 米国ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表35 カナダガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表36 カナダガリウムナイトライド（GaN） 半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表37 カナダ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表38 カナダ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年 （百万ドル）

表39 メキシコ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表40 メキシコ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表41 メキシコ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表42 メキシコ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、最終用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表43 ヨーロッパ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年 (USD百万)

表44 ヨーロッパ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（USD百万）

表45 ヨーロッパ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 (USD百万)

表46 欧州 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年 (USD百万)

表47 イギリス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年 (USD百万)

表48 イギリス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年 (USD百万)

表49 イギリス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 (USD百万)

表50 イギリス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表51 ドイツ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表52 ドイツ ガリウムナイトライド (GaN)半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表53 ドイツ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 (USD百万)

表54 ドイツ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（USD百万）

表55 フランス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年 (USD百万)

表56 フランス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年 (USD百万)

表57 フランス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表58 フランス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年 （百万ドル）

表59 アジア太平洋地域 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表60 アジア太平洋地域 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表61 アジア太平洋地域 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万米ドル）

表62 アジア太平洋地域 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、最終用途別、2018年～2030年（百万米ドル）

表63 中国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表64 中国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表65 中国ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表66 中国ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、最終用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表67 インド ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表68 インド ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表69 インド ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 （百万ドル）

表70 インド ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表71 日本 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表72 日本 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表73 日本 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表74 日本 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表75 オーストラリア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表76 オーストラリア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表77 オーストラリア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表78 オーストラリア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表79 韓国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年 (USD百万)

表80 韓国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（USD百万）

表81 韓国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 (USD百万)

表82 韓国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年 (USD百万)

表83 ラテンアメリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年 (USD百万)

表84 ラテンアメリカ ガリウムナイトライド (GaN)半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（米ドル百万）

表85 ラテンアメリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表86 ラテンアメリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表87 ブラジル ガリウムナイトライド（GaN） 半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（米ドル百万）

表88 ブラジル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（米ドル百万）

表89 ブラジル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 （百万ドル）

表90 ブラジル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表91 MEA ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年 (USD百万)

表92 MEA ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年 (USD百万)

表93 MEA ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 (USD百万)

表94 MEA ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年 (USD百万)

表95 UAE ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年 (USD百万)

表96 UAEガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表97 UAEガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表98 アラブ首長国連邦（UAE）ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万米ドル）

表99 サウジアラビア（KSA）ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万米ドル）

表100 サウジアラビア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万ドル）

表101 サウジアラビア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年（百万ドル）

表102 KSAガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万ドル）

表103 南アフリカガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品別、2018年～2030年（百万ドル）

表104 南アフリカガリウムナイトライド（GaN） 半導体デバイス市場、コンポーネント別、2018年～2030年（百万米ドル）

表105 南アフリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、水サイズ別、2018年～2030年 （百万米ドル）

表106 南アフリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、用途別、2018年～2030年（百万米ドル）

図表一覧

図1 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場セグメンテーション

図2 市場調査サービス

図3 情報収集

図4 主要な調査手法

図5 市場調査アプローチ

図6 バリューチェーンに基づく市場規模推計と予測

図7 親市場分析

図8 市場形成と検証

図9 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場の概要

図10 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場セグメントの概要

図11 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場競争環境の概要

図12 市場ドライバーの関連性分析（現在の影響と将来の影響）

図13 市場制約の関連性分析（現在の影響と将来の影響）

図14 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場、製品見通しにおける主要なポイント（USD百万）

図15 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場 製品動向分析 （百万ドル） 2024年と2030年

図16 GaN無線周波数デバイス市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図17 オプト半導体市場 売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図18 パワー半導体市場 売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図19 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場 部品動向の主要ポイント（百万ドル）

図20 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：コンポーネント動向分析（2024年と2030年）（百万ドル）

図21 トランジスタ市場売上高の推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図22 ダイオード市場売上高の推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図23 整流器市場売上高の推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図24 パワーIC市場売上高の推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図25 その他の市場売上高の見積もりおよび予測、2018年～2030年（百万ドル）

図26 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：市場規模の見通しと主要なポイント（百万ドル）

図27 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：市場規模の動向分析（百万ドル）2024年および2030年

図28 2インチ市場売上高の推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図29 4インチ市場売上高の推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図30 6インチ市場売上高の推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図31 8インチ市場売上高の推計と予測（2018年～2030年、百万ドル）

図32 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場売上高の推計と予測（2018年～2030年、百万ドル）

図33 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：最終用途別見通し（百万ドル）

図34 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：最終用途別動向分析（百万ドル）2024年と2030年

図35 自動車市場売上高の見積もりおよび予測、2018年～2030年（百万ドル）

図36 消費者電子機器市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図37 防衛・航空宇宙市場売上高推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図38 医療市場売上高推計と予測、2018年～2030年 (USD百万)

図39 情報通信技術市場の販売額推計と予測、2018年～2030年（USD百万）

図40 産業・電力市場の販売額推計と予測、2018年～2030年（USD百万）

図41 その他市場の販売額推計と予測、2018年～2030年 (USD百万)

図42 地域別市場：主要なポイント

図43 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場：地域別見通し、2024年と2030年（USD百万）

図44 北米ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場推定値と予測、2018年 – 2030（百万ドル）

図45 米国ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場推定値と予測、2018 – 2030（百万ドル）

図46 カナダガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場推定値と予測、2018 – 2030 （百万ドル）

図47 メキシコ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図48 ヨーロッパ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図49 イギリス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

図50 ドイツ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年）（百万ドル）

図51 フランス ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図52 アジア太平洋地域 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図53 日本 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、 2018 – 2030（米ドル百万）

図54 中国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018 – 2030（米ドル百万）

図55 インド ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018 – 2030 （百万ドル）

図56 オーストラリア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図57 韓国 ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測、2018年～2030年（百万ドル）

図58 ラテンアメリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年）（百万米ドル）

図59 ブラジル ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年）（百万米ドル）

図60 MEA ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模予測（2018年～2030年、百万ドル）

図61 サウジアラビア ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模予測（2018年～2030年、百万ドル）

図62 UAE ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年、百万ドル）

図63 南アフリカ ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模推計と予測（2018年～2030年、百万ドル）

図64 戦略フレームワーク

図65 企業分類

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