1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次資料
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のエピタキシャルウェーハ市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場分析
6.1 ヘテロエピタキシー
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 ホモエピタキシー
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 ウェーハサイズ別の市場分析
7.1 2～4インチ
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 5～8インチ
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 9-12 インチ
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
7.4 その他
7.4.1 市場動向
7.4.2 市場予測
8 用途別市場分析
8.1 LED
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 パワー半導体
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 MEMSベースのデバイス
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 その他
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
9 業界別市場分析
9.1 民生用電子機器
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 自動車
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 ヘルスケア
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
9.4 産業
9.4.1 市場動向
9.4.2 市場予測
9.5 その他
9.5.1 市場動向
9.5.2 市場予測
10 地域別市場分析
10.1 北米
10.1.1 アメリカ合衆国
10.1.1.1 市場動向
10.1.1.2 市場予測
10.1.2 カナダ
10.1.2.1 市場動向
10.1.2.2 市場予測
10.2 アジア太平洋地域
10.2.1 中国
10.2.1.1 市場動向
10.2.1.2 市場予測
10.2.2 日本
10.2.2.1 市場動向
10.2.2.2 市場予測
10.2.3 インド
10.2.3.1 市場動向
10.2.3.2 市場予測
10.2.4 韓国
10.2.4.1 市場動向
10.2.4.2 市場予測
10.2.5 オーストラリア
10.2.5.1 市場動向
10.2.5.2 市場予測
10.2.6 インドネシア
10.2.6.1 市場動向
10.2.6.2 市場予測
10.2.7 その他
10.2.7.1 市場動向
10.2.7.2 市場予測
10.3 ヨーロッパ
10.3.1 ドイツ
10.3.1.1 市場動向
10.3.1.2 市場予測
10.3.2 フランス
10.3.2.1 市場動向
10.3.2.2 市場予測
10.3.3 イギリス
10.3.3.1 市場動向
10.3.3.2 市場予測
10.3.4 イタリア
10.3.4.1 市場動向
10.3.4.2 市場予測
10.3.5 スペイン
10.3.5.1 市場動向
10.3.5.2 市場予測
10.3.6 ロシア
10.3.6.1 市場動向
10.3.6.2 市場予測
10.3.7 その他
10.3.7.1 市場動向
10.3.7.2 市場予測
10.4 ラテンアメリカ
10.4.1 ブラジル
10.4.1.1 市場動向
10.4.1.2 市場予測
10.4.2 メキシコ
10.4.2.1 市場動向
10.4.2.2 市場予測
10.4.3 その他
10.4.3.1 市場動向
10.4.3.2 市場予測
10.5 中東およびアフリカ
10.5.1 市場動向
10.5.2 国別市場分析
10.5.3 市場予測
11 SWOT分析
11.1 概要
11.2 強み
11.3 弱み
11.4 機会
11.5 脅威
12 バリューチェーン分析
13 ポーターの5つの力分析
13.1 概要
13.2 購買者の交渉力
13.3 供給者の交渉力
13.4 競争の激しさ
13.5 新規参入の脅威
13.6 代替品の脅威
14 価格分析
15 競争環境
15.1 市場構造
15.2 主要プレイヤー
15.3 主要企業の概要
15.3.1 エレクトロニクス・アンド・マテリアルズ・コーポレーション・リミテッド
15.3.1.1 会社概要
15.3.1.2 製品ポートフォリオ
15.3.2 Epistar Corporation
15.3.2.1 会社概要
15.3.2.2 製品ポートフォリオ
15.3.3 グローバルウェーハーズ（中米シリコン）
15.3.3.1 会社概要
15.3.3.2 製品ポートフォリオ
15.3.3.3 財務情報
15.3.4 II-VI インコーポレイテッド
15.3.4.1 会社概要
15.3.4.2 製品ポートフォリオ
15.3.5 IntelliEPI
15.3.5.1 会社概要
15.3.5.2 製品ポートフォリオ
15.3.6 IQE PLC
15.3.6.1 会社概要
15.3.6.2 製品ポートフォリオ
15.3.6.3 財務情報
15.3.7 ジェノプティック AG
15.3.7.1 会社概要
15.3.7.2 製品ポートフォリオ
15.3.7.3 財務
15.3.8 日亜化学工業株式会社
15.3.8.1 会社概要
15.3.8.2 製品ポートフォリオ
15.3.9 昭和電工株式会社
15.3.9.1 会社概要
15.3.9.2 製品ポートフォリオ
15.3.10 シリコンバレーマイクロエレクトロニクス社
15.3.10.1 会社概要
15.3.10.2 製品ポートフォリオ
15.3.11 Siltronic AG (Wacker Chemie AG)
15.3.11.1 会社概要
15.3.11.2 製品ポートフォリオ
15.3.11.3 財務
15.3.12 SUMCO株式会社
15.3.12.1 会社概要
15.3.12.2 製品ポートフォリオ
15.3.12.3 財務情報
15.3.12.4 SWOT 分析

表1：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場：主要産業ハイライト、2024年および2033年
表2：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場予測：タイプ別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表3：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場予測：ウェーハサイズ別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表4：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場予測：用途別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表5：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場予測：産業分野別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表6：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場予測：地域別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表7：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場：競争構造
表8：グローバル：エピタキシャルウェーハ市場：主要プレイヤー

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Epitaxial Wafer Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 Heteroepitaxy
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 Homoepitaxy
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Wafer Size
7.1 2-4 Inch
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 5-8 Inch
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 9-12 Inch
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
7.4 Others
7.4.1 Market Trends
7.4.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Application
8.1 LED
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Power Semiconductor
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 MEMS-Based Devices
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
8.4 Others
8.4.1 Market Trends
8.4.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Industry Vertical
9.1 Consumer Electronics
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 Automotive
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Healthcare
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
9.4 Industrial
9.4.1 Market Trends
9.4.2 Market Forecast
9.5 Others
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Region
10.1 North America
10.1.1 United States
10.1.1.1 Market Trends
10.1.1.2 Market Forecast
10.1.2 Canada
10.1.2.1 Market Trends
10.1.2.2 Market Forecast
10.2 Asia-Pacific
10.2.1 China
10.2.1.1 Market Trends
10.2.1.2 Market Forecast
10.2.2 Japan
10.2.2.1 Market Trends
10.2.2.2 Market Forecast
10.2.3 India
10.2.3.1 Market Trends
10.2.3.2 Market Forecast
10.2.4 South Korea
10.2.4.1 Market Trends
10.2.4.2 Market Forecast
10.2.5 Australia
10.2.5.1 Market Trends
10.2.5.2 Market Forecast
10.2.6 Indonesia
10.2.6.1 Market Trends
10.2.6.2 Market Forecast
10.2.7 Others
10.2.7.1 Market Trends
10.2.7.2 Market Forecast
10.3 Europe
10.3.1 Germany
10.3.1.1 Market Trends
10.3.1.2 Market Forecast
10.3.2 France
10.3.2.1 Market Trends
10.3.2.2 Market Forecast
10.3.3 United Kingdom
10.3.3.1 Market Trends
10.3.3.2 Market Forecast
10.3.4 Italy
10.3.4.1 Market Trends
10.3.4.2 Market Forecast
10.3.5 Spain
10.3.5.1 Market Trends
10.3.5.2 Market Forecast
10.3.6 Russia
10.3.6.1 Market Trends
10.3.6.2 Market Forecast
10.3.7 Others
10.3.7.1 Market Trends
10.3.7.2 Market Forecast
10.4 Latin America
10.4.1 Brazil
10.4.1.1 Market Trends
10.4.1.2 Market Forecast
10.4.2 Mexico
10.4.2.1 Market Trends
10.4.2.2 Market Forecast
10.4.3 Others
10.4.3.1 Market Trends
10.4.3.2 Market Forecast
10.5 Middle East and Africa
10.5.1 Market Trends
10.5.2 Market Breakup by Country
10.5.3 Market Forecast
11 SWOT Analysis
11.1 Overview
11.2 Strengths
11.3 Weaknesses
11.4 Opportunities
11.5 Threats
12 Value Chain Analysis
13 Porters Five Forces Analysis
13.1 Overview
13.2 Bargaining Power of Buyers
13.3 Bargaining Power of Suppliers
13.4 Degree of Competition
13.5 Threat of New Entrants
13.6 Threat of Substitutes
14 Price Analysis
15 Competitive Landscape
15.1 Market Structure
15.2 Key Players
15.3 Profiles of Key Players
15.3.1 Electronics And Materials Corporation Limited
15.3.1.1 Company Overview
15.3.1.2 Product Portfolio
15.3.2 Epistar Corporation
15.3.2.1 Company Overview
15.3.2.2 Product Portfolio
15.3.3 GlobalWafers (Sino-American Silicon)
15.3.3.1 Company Overview
15.3.3.2 Product Portfolio
15.3.3.3 Financials
15.3.4 II-VI Incorporated
15.3.4.1 Company Overview
15.3.4.2 Product Portfolio
15.3.5 IntelliEPI
15.3.5.1 Company Overview
15.3.5.2 Product Portfolio
15.3.6 IQE PLC
15.3.6.1 Company Overview
15.3.6.2 Product Portfolio
15.3.6.3 Financials
15.3.7 Jenoptic AG
15.3.7.1 Company Overview
15.3.7.2 Product Portfolio
15.3.7.3 Financials
15.3.8 Nichia Corporation
15.3.8.1 Company Overview
15.3.8.2 Product Portfolio
15.3.9 Showa Denko K. K.
15.3.9.1 Company Overview
15.3.9.2 Product Portfolio
15.3.10 Silicon Valley Microelectronics Inc.
15.3.10.1 Company Overview
15.3.10.2 Product Portfolio
15.3.11 Siltronic AG (Wacker Chemie AG)
15.3.11.1 Company Overview
15.3.11.2 Product Portfolio
15.3.11.3 Financials
15.3.12 Sumco Corporation
15.3.12.1 Company Overview
15.3.12.2 Product Portfolio
15.3.12.3 Financials
15.3.12.4 SWOT Analysis

※参考情報 エピタキシャルウェーハは、主に半導体デバイスの製造に用いられる重要な材料です。エピタキシャル成長技術を用いて、基板上に成長させた薄い層を持つウェーハで、特に高品質な半導体薄膜を得るために広く利用されています。この技術は、以下のような特性を持つ薄膜を形成することを可能にします。 エピタキシャル成長とは、結晶構造が整った基板上に同じ結晶構造を持つ材料を積み重ねる過程を指します。このプロセスでは、基板と新たに成長する層は同一の結晶格子を持ち、ミスマッチが最小限に抑えられることが特徴です。これにより、エピタキシャルウェーハは、優れた電子移動度や光学特性を持つ半導体材料として利用されることが一般的です。 エピタキシャルウェーハの用途は多岐にわたります。特に、トランジスタ、ダイオード、レーザーダイオード、太陽電池などの半導体デバイスの製造において、その高い品質と特性の均一性が求められます。このため、集積回路(IC)やパワーエレクトロニクス、光電子デバイスの市場で需要が高まっています。 エピタキシャルウェーハは、一般にシリコン、ガリウムヒ素(GaAs)、ガリウム窒化物(GaN)などが基材として使用されます。シリコンは最も普及している材料であり、エピタキシャル成長が可能な技術と装置が確立されています。一方、GaAsやGaNなどは、特定の機能や性能を持つデバイスにおいて優れた特性を示し、特に高周波や高出力のアプリケーションに用いられます。 エピタキシャルウェーハの製造プロセスには、いくつかの技術が存在します。代表的な方法には、気相成長法、液相成長法、物理蒸着法(EPD)などがあります。特に気相成長法は、原料を気相として基板上に堆積させる方法であり、分子線エピタキシー(MBE)や金属有機化学気相成長(MOCVD)が広く利用されています。これらの技術は、高度な制御が可能で、厚さや組成の均一性を極めて高い精度で保つことができます。 エピタキシャルウェーハの特性には、結晶の地質構造の完全性、低内部ひずみ、高い電子移動度、低い不純物濃度などが含まれます。これにより、デバイスの性能が大幅に向上し、より高い効率を追求することが可能になります。アプリケーションに応じて特定の材料特性を持つエピタキシャルウェーハを選ぶことで、機能性を最大化することができます。 また、近年ではエピタキシャルウェーハの技術が進化し、ウエハの厚みや合理化、コスト削減が求められるようになっています。特に、スケールの大きな製造プロセスでは、コスト効率を維持しつつ、品質を保つことが重要です。これに伴い、新しい材料やプロセス、さらには高度な装置の開発が進められています。 エピタキシャルウェーハは、持続可能な技術にも寄与しています。特に太陽電池分野において、高効率なエネルギー変換を実現するために、エピタキシャル成長技術が利用されています。今後、再生可能エネルギーの普及が進む中で、エピタキシャルウェーハの需要と応用範囲はますます拡大していくことが期待されます。 まとめると、エピタキシャルウェーハは、優れた特性と性能を持つ半導体材料であり、電子デバイスの性能向上に寄与する重要な要素です。エピタキシャル成長技術の進化により、今後の半導体産業の発展が促進されることが期待されます。

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