1 序文
2 範囲と方法論
2.1 研究の目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次資料
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 グローバルGaNパワーデバイス市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 デバイスタイプ別市場分析
6.1 パワーデバイス
6.1.1 市場動向
6.1.2 主要タイプ
6.1.2.1 ディスクリートパワーデバイス
6.1.2.2 集積パワーデバイス
6.1.3 市場予測
6.2 高周波パワーデバイス
6.2.1 市場動向
6.2.2 主な種類
6.2.2.1 ディスクリートRFパワーデバイス
6.2.2.2 集積型高周波電力デバイス
6.2.3 市場予測
7 電圧範囲別の市場区分
7.1 200ボルト未満
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 200~600 ボルト
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 600 ボルト以上
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 用途別市場分析
8.1 動力駆動装置
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 電源システム
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 無線周波数ベースのシステム
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
9 用途産業別市場分析
9.1 電気通信
9.1.1 市場動向
9.1.2 市場予測
9.2 自動車
9.2.1 市場動向
9.2.2 市場予測
9.3 再生可能エネルギー発電
9.3.1 市場動向
9.3.2 市場予測
9.4 軍事
9.4.1 市場動向
9.4.2 市場予測
9.5 航空宇宙・防衛
9.5.1 市場動向
9.5.2 市場予測
9.6 民生用電子機器
9.6.1 市場動向
9.6.2 市場予測
9.7 その他
9.7.1 市場動向
9.7.2 市場予測
10 地域別市場分析
10.1 北米
10.1.1 アメリカ合衆国
10.1.1.1 市場動向
10.1.1.2 市場予測
10.1.2 カナダ
10.1.2.1 市場動向
10.1.2.2 市場予測
10.2 アジア太平洋地域
10.2.1 中国
10.2.1.1 市場動向
10.2.1.2 市場予測
10.2.2 日本
10.2.2.1 市場動向
10.2.2.2 市場予測
10.2.3 インド
10.2.3.1 市場動向
10.2.3.2 市場予測
10.2.4 韓国
10.2.4.1 市場動向
10.2.4.2 市場予測
10.2.5 オーストラリア
10.2.5.1 市場動向
10.2.5.2 市場予測
10.2.6 インドネシア
10.2.6.1 市場動向
10.2.6.2 市場予測
10.2.7 その他
10.2.7.1 市場動向
10.2.7.2 市場予測
10.3 ヨーロッパ
10.3.1 ドイツ
10.3.1.1 市場動向
10.3.1.2 市場予測
10.3.2 フランス
10.3.2.1 市場動向
10.3.2.2 市場予測
10.3.3 イギリス
10.3.3.1 市場動向
10.3.3.2 市場予測
10.3.4 イタリア
10.3.4.1 市場動向
10.3.4.2 市場予測
10.3.5 スペイン
10.3.5.1 市場動向
10.3.5.2 市場予測
10.3.6 ロシア
10.3.6.1 市場動向
10.3.6.2 市場予測
10.3.7 その他
10.3.7.1 市場動向
10.3.7.2 市場予測
10.4 ラテンアメリカ
10.4.1 ブラジル
10.4.1.1 市場動向
10.4.1.2 市場予測
10.4.2 メキシコ
10.4.2.1 市場動向
10.4.2.2 市場予測
10.4.3 その他
10.4.3.1 市場動向
10.4.3.2 市場予測
10.5 中東およびアフリカ
10.5.1 市場動向
10.5.2 国別市場分析
10.5.3 市場予測
11 SWOT分析
11.1 概要
11.2 強み
11.3 弱み
11.4 機会
11.5 脅威
12 バリューチェーン分析
13 ポーターの5つの力分析
13.1 概要
13.2 購買者の交渉力
13.3 供給者の交渉力
13.4 競争の激しさ
13.5 新規参入の脅威
13.6 代替品の脅威
14 価格指標
15 競争環境
15.1 市場構造
15.2 主要プレイヤー
15.3 主要プレイヤーのプロファイル
15.3.1 効率的な電力変換
15.3.1.1 会社概要
15.3.1.2 製品ポートフォリオ
15.3.2 GaN Systems Inc.
15.3.2.1 会社概要
15.3.2.2 製品ポートフォリオ
15.3.3 IQE
15.3.3.1 会社概要
15.3.3.2 製品ポートフォリオ
15.3.3.3 財務情報
15.3.4 Koninklijke Philips N.V.
15.3.4.1 会社概要
15.3.4.2 製品ポートフォリオ
15.3.4.3 財務
15.3.5 MACOM Technology Solutions
15.3.5.1 会社概要
15.3.5.2 製品ポートフォリオ
15.3.5.3 財務
15.3.6 マイクロセミ・コーポレーション(マイクロチップ・テクノロジー社)
15.3.6.1 会社概要
15.3.6.2 製品ポートフォリオ
15.3.6.3 SWOT分析
15.3.7 三菱電機株式会社
15.3.7.1 会社概要
15.3.7.2 製品ポートフォリオ
15.3.7.3 財務
15.3.7.4 SWOT 分析
15.3.8 Navitas Semiconductor Inc.
15.3.8.1 会社概要
15.3.8.2 製品ポートフォリオ
15.3.9 Qorvo Inc.
15.3.9.1 会社概要
15.3.9.2 製品ポートフォリオ
15.3.9.3 財務状況
15.3.9.4 SWOT 分析
15.3.10 住友電気工業株式会社
15.3.10.1 会社概要
15.3.10.2 製品ポートフォリオ
15.3.10.3 財務
15.3.10.4 SWOT 分析
15.3.11 テキサス・インスツルメンツ社
15.3.11.1 会社概要
15.3.11.2 製品ポートフォリオ
15.3.11.3 財務
15.3.12 東芝株式会社
15.3.12.1 会社概要
15.3.12.2 製品ポートフォリオ
15.3.12.3 財務
15.3.12.4 SWOT 分析
15.3.13 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
15.3.13.1 会社概要
15.3.13.2 製品ポートフォリオ
表2:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:デバイスタイプ別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表3:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:電圧範囲別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表4:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:用途別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表5:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:最終用途産業別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表6:グローバル:GaNパワーデバイス市場予測:地域別内訳(百万米ドル)、2025-2033年
表7:グローバル:GaNパワーデバイス市場:競争構造
表8:グローバル:GaNパワーデバイス市場:主要企業
1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global GaN Power Device Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Device Type
6.1 Power Device
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Major Types
6.1.2.1 Discrete Power Device
6.1.2.2 Integrated Power Device
6.1.3 Market Forecast
6.2 RF Power Device
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Major Types
6.2.2.1 Discrete RF Power Device
6.2.2.2 Integrated RF Power Device
6.2.3 Market Forecast
7 Market Breakup by Voltage Range
7.1 <200 Volt
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 200–600 Volt
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
7.3 >600 Volt
7.3.1 Market Trends
7.3.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Application
8.1 Power Drives
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Power Supply Systems
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 Radio Frequency Based Systems
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
9 Market Breakup by End-Use Industry
9.1 Telecommunications
9.1.1 Market Trends
9.1.2 Market Forecast
9.2 Automotive
9.2.1 Market Trends
9.2.2 Market Forecast
9.3 Renewable Power Generation
9.3.1 Market Trends
9.3.2 Market Forecast
9.4 Military
9.4.1 Market Trends
9.4.2 Market Forecast
9.5 Aerospace and Defense
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Forecast
9.6 Consumer Electronics
9.6.1 Market Trends
9.6.2 Market Forecast
9.7 Others
9.7.1 Market Trends
9.7.2 Market Forecast
10 Market Breakup by Region
10.1 North America
10.1.1 United States
10.1.1.1 Market Trends
10.1.1.2 Market Forecast
10.1.2 Canada
10.1.2.1 Market Trends
10.1.2.2 Market Forecast
10.2 Asia Pacific
10.2.1 China
10.2.1.1 Market Trends
10.2.1.2 Market Forecast
10.2.2 Japan
10.2.2.1 Market Trends
10.2.2.2 Market Forecast
10.2.3 India
10.2.3.1 Market Trends
10.2.3.2 Market Forecast
10.2.4 South Korea
10.2.4.1 Market Trends
10.2.4.2 Market Forecast
10.2.5 Australia
10.2.5.1 Market Trends
10.2.5.2 Market Forecast
10.2.6 Indonesia
10.2.6.1 Market Trends
10.2.6.2 Market Forecast
10.2.7 Others
10.2.7.1 Market Trends
10.2.7.2 Market Forecast
10.3 Europe
10.3.1 Germany
10.3.1.1 Market Trends
10.3.1.2 Market Forecast
10.3.2 France
10.3.2.1 Market Trends
10.3.2.2 Market Forecast
10.3.3 United Kingdom
10.3.3.1 Market Trends
10.3.3.2 Market Forecast
10.3.4 Italy
10.3.4.1 Market Trends
10.3.4.2 Market Forecast
10.3.5 Spain
10.3.5.1 Market Trends
10.3.5.2 Market Forecast
10.3.6 Russia
10.3.6.1 Market Trends
10.3.6.2 Market Forecast
10.3.7 Others
10.3.7.1 Market Trends
10.3.7.2 Market Forecast
10.4 Latin America
10.4.1 Brazil
10.4.1.1 Market Trends
10.4.1.2 Market Forecast
10.4.2 Mexico
10.4.2.1 Market Trends
10.4.2.2 Market Forecast
10.4.3 Others
10.4.3.1 Market Trends
10.4.3.2 Market Forecast
10.5 Middle East and Africa
10.5.1 Market Trends
10.5.2 Market Breakup by Country
10.5.3 Market Forecast
11 SWOT Analysis
11.1 Overview
11.2 Strengths
11.3 Weaknesses
11.4 Opportunities
11.5 Threats
12 Value Chain Analysis
13 Porters Five Forces Analysis
13.1 Overview
13.2 Bargaining Power of Buyers
13.3 Bargaining Power of Suppliers
13.4 Degree of Competition
13.5 Threat of New Entrants
13.6 Threat of Substitutes
14 Price Indicators
15 Competitive Landscape
15.1 Market Structure
15.2 Key Players
15.3 Profiles of Key Players
15.3.1 Efficient Power Conversion
15.3.1.1 Company Overview
15.3.1.2 Product Portfolio
15.3.2 GaN Systems Inc.
15.3.2.1 Company Overview
15.3.2.2 Product Portfolio
15.3.3 IQE
15.3.3.1 Company Overview
15.3.3.2 Product Portfolio
15.3.3.3 Financials
15.3.4 Koninklijke Philips N.V.
15.3.4.1 Company Overview
15.3.4.2 Product Portfolio
15.3.4.3 Financials
15.3.5 MACOM Technology Solutions
15.3.5.1 Company Overview
15.3.5.2 Product Portfolio
15.3.5.3 Financials
15.3.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Inc.)
15.3.6.1 Company Overview
15.3.6.2 Product Portfolio
15.3.6.3 SWOT Analysis
15.3.7 Mitsubishi Electric Corporation
15.3.7.1 Company Overview
15.3.7.2 Product Portfolio
15.3.7.3 Financials
15.3.7.4 SWOT Analysis
15.3.8 Navitas Semiconductor Inc.
15.3.8.1 Company Overview
15.3.8.2 Product Portfolio
15.3.9 Qorvo Inc.
15.3.9.1 Company Overview
15.3.9.2 Product Portfolio
15.3.9.3 Financials
15.3.9.4 SWOT Analysis
15.3.10 Sumitomo Electric Industries Ltd.
15.3.10.1 Company Overview
15.3.10.2 Product Portfolio
15.3.10.3 Financials
15.3.10.4 SWOT Analysis
15.3.11 Texas Instruments Incorporated
15.3.11.1 Company Overview
15.3.11.2 Product Portfolio
15.3.11.3 Financials
15.3.12 Toshiba Corporation
15.3.12.1 Company Overview
15.3.12.2 Product Portfolio
15.3.12.3 Financials
15.3.12.4 SWOT Analysis
15.3.13 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
15.3.13.1 Company Overview
15.3.13.2 Product Portfolio
※参考情報 ガリウムナイトライド(GaN)パワーデバイスは、高効率で高出力な電子デバイスとして、近年多くの注目を集めています。従来のシリコン(Si)ベースのパワーデバイスと比べて、優れた性能を持っていることで知られています。GaNは、半導体材料の一種で、特に高温や高電圧環境での使用に適しています。ガリウム(Ga)と窒素(N)から構成されるこの材料は、非常に広いバンドギャップを持ち、これにより高い耐圧特性と高速スイッチング能力を実現しています。 GaNパワーデバイスは、その優れた電気的特性から、さまざまな用途で利用されています。例えば、電源供給装置、充電器、電動車両、再生可能エネルギーシステムなどです。このようなデバイスは、従来のシリコンデバイスに比べて、スイッチング損失が少なく、エネルギー効率が高いため、電力変換時の熱損失が抑えられます。これにより、冷却システムのコストやサイズを縮小することが可能になり、全体としてシステムの省スペース化が達成できます。 GaNパワーデバイスの技術的な利点として、スイッチング速度が非常に速いことがあります。この速さは、スイッチング周波数の向上を可能にし、よりコンパクトな回路設計を実現します。特に、高周波数での動作が求められるアプリケーションでは、GaNデバイスが非常に有利です。また、GaNデバイスは高温環境に強いため、冷却装置の必要が減少し、より高効率な運用が可能となります。 GaNパワーデバイスには、主にハイパワーFET(Field Effect Transistor)やポンプ型ダイオードが含まれます。これらは、通常、エピタキシャル成長法や分子線エピタキシー(MBE)などの先進的な技術を用いて製造されます。これにより、高い結晶品質が維持され、デバイスの性能が向上します。また、GaN材料は、非常に高い電界強度に耐えることができるため、高い電圧での運用も可能です。 ただし、GaNパワーデバイスにはいくつかの課題も存在します。例えば、製造コストがシリコンデバイスよりも高く、普及においては経済的な障壁となることがあります。また、シリコンとの互換性が低いため、既存のシリコンベースのインフラに容易に統合できない場合があります。さらに、GaNデバイスは、静電気放電(ESD)に対する感受性が高く、扱いには注意が必要です。 最近では、GaN技術は進化を続け、コスト削減や製造プロセスの改善が進行中です。これにより、GaNパワーデバイスの市場は拡大しています。自動運転技術や、電動車両、IoT(Internet of Things)デバイスなど、さまざまな分野での需要が高まっています。さらに、再生可能エネルギー分野でも、効率的な電力変換が求められており、GaNパワーデバイスが果たす役割はますます重要になっています。 将来的には、GaN技術の進歩により、より低コストで高性能なデバイスが登場することが期待されています。そして、これに伴い、さまざまな産業での応用が拡大することでしょう。GaNパワーデバイスは、今後の電力エレクトロニクスの重要な要素となると考えられています。 このように、GaNパワーデバイスは、次世代の電力変換技術として、様々な利点を提供します。高出力、高効率、コンパクトな設計が求められる現代の電子機器において、GaNの役割はますます重要性を増しています。今後さらに、技術の進化とともに、GaNパワーデバイスが様々な業界での標準となる日が来るかもしれません。これにより、持続可能な社会の実現にも大きく寄与することでしょう。 |
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