カテゴリ： IMARC, IT/電子, 世界

世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場レポート：タイプ別（トグルMRAM、スピン転移トルクMRAM（STT-MRAM））、提供形態別（スタンドアローン、組み込み）、用途別（民生用電子機器、ロボット工学、エンタープライズストレージ、自動車、航空宇宙・防衛、その他）、地域別 2025-2033

■ 英語タイトル：Global Magneto Resistive RAM (MRAM) Market Report : Type (Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)), Offering (Stand-alone, Embedded), Application (Consumer Electronics, Robotics, Enterprise Storage, Automotive, Aerospace and Defense, and Others), and Region 2025-2033

調査会社IMARC社が発行したリサーチレポート（データ管理コード：IMA25SM0210）■ 発行会社/調査会社：IMARC
■ 商品コード：IMA25SM0210
■ 発行日：2025年4月
■ 調査対象地域：グローバル
■ 産業分野：電子・半導体
■ ページ数：144
■ レポート言語：英語
■ レポート形式：PDF
■ 納品方式：Eメール
■ 販売価格オプション（消費税別）
Single UserUSD2,999 ⇒換算￥431,856見積依頼/購入/質問フォーム
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*** レポート概要（サマリー）***

世界の磁気抵抗メモリ（MRAM）市場規模は2024年に8億4600万米ドルに達した。今後、IMARC Groupは2033年までに市場規模が134億7400万米ドルに達し、2025年から2033年にかけて年平均成長率（CAGR）36％で成長すると予測している。高速性、エネルギー効率、不揮発性といった特長を背景に市場は急速に拡大しており、技術進歩、研究開発（R&D）投資の増加、モノのインターネット（IoT）や人工知能（AI）分野での応用拡大といった主要トレンドが牽引している。

磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）または磁気RAMは、磁気電荷を用いて情報を保存する不揮発性メモリである。スピントランスファートルクMRAMやトグルMRAMなどが一般的なバリエーションである。これらは誘電体または絶縁層で分離された2つの磁性層からなる磁気トンネル接合（MTJ）を利用する。高密度RAMであり、コンデンサとトランジスタを含む。従来使用されてきたダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）と比較して、MRAMは電源なしで記憶された情報を保持でき、より費用対効果が高く、大量のエネルギーを消費するパルスを必要としません。その結果、ロボット工学、自動車、民生用電子機器、企業向けストレージシステムなどで広く使用されています。

磁気抵抗メモリ（MRAM）市場の動向：
民生用電子機器産業の著しい成長は、市場に前向きな見通しをもたらす主要要因の一つである。MRAMはワークステーション、スマートウェアラブル、スマートフォン、デジタルカメラなど様々な電子機器に広く採用されている。さらに、航空宇宙・防衛産業における高温データストレージ製品の需要増加が市場成長を後押ししている。さらに、放射線耐性マイクロチップ向け低消費電力MRAMの開発など、様々な製品革新が市場成長を後押ししている。これらは電力効率に優れ、放射線に耐性があり、温度変動下でも動作可能である。これに伴い、モノのインターネット（IoT）対応デバイスの需要増加や、先進センサー・スマートロボットの普及が市場成長に好影響を与えています。その他の要因として、小型化・カスタマイズされた集積回路（IC）における製品利用の拡大、ならびに様々な疾患の非侵襲的診断検査向けMRAM内蔵医療センサーの普及が、市場の成長を牽引すると予測されます。

主要市場セグメンテーション：
IMARC Groupは、各市場セグメントの主要トレンド分析に加え、2025年から2033年までのグローバル・地域・国別レベルでの予測を提供します。本レポートでは、市場をタイプ別、提供形態別、用途別に分類しています。

タイプ別内訳：

• トグル型MRAM
• スピン転移トルクMRAM（STT-MRAM）

提供内容別分類：

• スタンドアローン
• 組み込み型

アプリケーション別分類:

• 民生用電子機器
• ロボティクス
• エンタープライズストレージ
• 自動車
• 航空宇宙・防衛
• その他

地域別内訳：

• 北米
• アメリカ合衆国
• カナダ
• アジア太平洋
• 中国
• 日本
• インド
• 韓国
• オーストラリア
• インドネシア
• その他
• ヨーロッパ
• ドイツ
• フランス
• イギリス
• イタリア
• スペイン
• ロシア
• その他
• ラテンアメリカ
• ブラジル
• メキシコ
• その他
• 中東・アフリカ

競争環境：
業界の競争環境についても調査が行われ、主要プレイヤーのプロファイルとして、アバランチ・テクノロジー社、クロカス・ナノ・エレクトロニクス社、エバースピン・テクノロジーズ社、ハネウェル・インターナショナル社、インフィニオン・テクノロジーズ社、インテル社、NVE社、クアルコム社、サムスン電子社、スピン・メモリー社、東芝社、タワー・セミコンダクター社が挙げられている。

本レポートで回答する主要な質問
1. 2024年の世界磁気抵抗RAM（MRAM）市場の規模は？
2. 2025年から2033年にかけて、世界の磁気抵抗メモリ（MRAM）市場の予想成長率はどの程度か？
3. 世界の磁気抵抗メモリ（MRAM）市場を牽引する主な要因は何か？
4. COVID-19は世界の磁気抵抗メモリ（MRAM）市場にどのような影響を与えたか？
5. タイプ別に見た世界磁気抵抗メモリ（MRAM）市場の内訳は？
6. 提供形態に基づくグローバル磁気抵抗メモリ（MRAM）市場の構成は？
7. 用途別のグローバル磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）市場の構成は？
8. 世界の磁気抵抗メモリ（MRAM）市場における主要地域はどこか？
9. 世界の磁気抵抗メモリ（MRAM）市場における主要プレイヤー／企業は？

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*** レポート目次（コンテンツ）***

1 序文
2 範囲と方法論
2.1 研究の目的
2.2 関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次資料
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 グローバル磁気抵抗メモリ（MRAM）市場
5.1 市場概要
5.2 市場動向
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場分析
6.1 トグルMRAM
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 スピン転送トルク MRAM (STT-MRAM)
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 提供内容別の市場区分
7.1 スタンドアローン
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 組み込み型
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
8 アプリケーション別市場分析
8.1 民生用電子機器
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 ロボティクス
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 エンタープライズストレージ
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 自動車
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 航空宇宙・防衛
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 その他
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
9 地域別市場分析
9.1 北米
9.1.1 米国
9.1.1.1 市場動向
9.1.1.2 市場予測
9.1.2 カナダ
9.1.2.1 市場動向
9.1.2.2 市場予測
9.2 アジア太平洋地域
9.2.1 中国
9.2.1.1 市場動向
9.2.1.2 市場予測
9.2.2 日本
9.2.2.1 市場動向
9.2.2.2 市場予測
9.2.3 インド
9.2.3.1 市場動向
9.2.3.2 市場予測
9.2.4 韓国
9.2.4.1 市場動向
9.2.4.2 市場予測
9.2.5 オーストラリア
9.2.5.1 市場動向
9.2.5.2 市場予測
9.2.6 インドネシア
9.2.6.1 市場動向
9.2.6.2 市場予測
9.2.7 その他
9.2.7.1 市場動向
9.2.7.2 市場予測
9.3 ヨーロッパ
9.3.1 ドイツ
9.3.1.1 市場動向
9.3.1.2 市場予測
9.3.2 フランス
9.3.2.1 市場動向
9.3.2.2 市場予測
9.3.3 イギリス
9.3.3.1 市場動向
9.3.3.2 市場予測
9.3.4 イタリア
9.3.4.1 市場動向
9.3.4.2 市場予測
9.3.5 スペイン
9.3.5.1 市場動向
9.3.5.2 市場予測
9.3.6 ロシア
9.3.6.1 市場動向
9.3.6.2 市場予測
9.3.7 その他
9.3.7.1 市場動向
9.3.7.2 市場予測
9.4 ラテンアメリカ
9.4.1 ブラジル
9.4.1.1 市場動向
9.4.1.2 市場予測
9.4.2 メキシコ
9.4.2.1 市場動向
9.4.2.2 市場予測
9.4.3 その他
9.4.3.1 市場動向
9.4.3.2 市場予測
9.5 中東およびアフリカ
9.5.1 市場動向
9.5.2 国別市場分析
9.5.3 市場予測
10 SWOT分析
10.1 概要
10.2 強み
10.3 弱み
10.4 機会
10.5 脅威
11 バリューチェーン分析
12 ポーターの5つの力分析
12.1 概要
12.2 購買者の交渉力
12.3 供給者の交渉力
12.4 競争の激しさ
12.5 新規参入の脅威
12.6 代替品の脅威
13 価格分析
14 競争環境
14.1 市場構造
14.2 主要プレイヤー
14.3 主要プレイヤーのプロファイル
14.3.1 アバランチ・テクノロジー社
14.3.1.1 会社概要
14.3.1.2 製品ポートフォリオ
14.3.2 クロッカス・ナノ・エレクトロニクス社
14.3.2.1 会社概要
14.3.2.2 製品ポートフォリオ
14.3.3 エバースピン・テクノロジーズ社
14.3.3.1 会社概要
14.3.3.2 製品ポートフォリオ
14.3.3.3 財務情報
14.3.4 ハネウェル・インターナショナル社
14.3.4.1 会社概要
14.3.4.2 製品ポートフォリオ
14.3.4.3 財務
14.3.4.4 SWOT 分析
14.3.5 インフィニオン・テクノロジーズ AG
14.3.5.1 会社概要
14.3.5.2 製品ポートフォリオ
14.3.5.3 財務
14.3.5.4 SWOT分析
14.3.6 インテル・コーポレーション
14.3.6.1 会社概要
14.3.6.2 製品ポートフォリオ
14.3.6.3 財務
14.3.6.4 SWOT 分析
14.3.7 NVE Corporation
14.3.7.1 会社概要
14.3.7.2 製品ポートフォリオ
14.3.7.3 財務
14.3.8 クアルコム社
14.3.8.1 会社概要
14.3.8.2 製品ポートフォリオ
14.3.8.3 財務
14.3.8.4 SWOT分析
14.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.9.1 会社概要
14.3.9.2 製品ポートフォリオ
14.3.9.3 財務
14.3.9.4 SWOT分析
14.3.10 Spin Memory Inc.
14.3.10.1 会社概要
14.3.10.2 製品ポートフォリオ
14.3.11 東芝株式会社
14.3.11.1 会社概要
14.3.11.2 製品ポートフォリオ
14.3.11.3 財務情報
14.3.11.4 SWOT 分析
14.3.12 タワーセミコンダクター株式会社
14.3.12.1 会社概要
14.3.12.2 製品ポートフォリオ
14.3.12.3 財務
14.3.12.3 財務状況

表1：グローバル：磁気抵抗RAM市場：主要産業ハイライト、2024年および2033年
表2：グローバル：磁気抵抗RAM市場予測：タイプ別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表3：グローバル：磁気抵抗RAM市場予測：提供形態別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表4：グローバル：磁気抵抗RAM市場予測：用途別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表5：グローバル：磁気抵抗RAM市場予測：地域別内訳（百万米ドル）、2025-2033年
表6：グローバル：磁気抵抗RAM市場：競争構造
表7：グローバル：磁気抵抗RAM市場：主要プレイヤー

1 Preface
2 Scope and Methodology
2.1 Objectives of the Study
2.2 Stakeholders
2.3 Data Sources
2.3.1 Primary Sources
2.3.2 Secondary Sources
2.4 Market Estimation
2.4.1 Bottom-Up Approach
2.4.2 Top-Down Approach
2.5 Forecasting Methodology
3 Executive Summary
4 Introduction
4.1 Overview
4.2 Key Industry Trends
5 Global Magneto Resistive RAM (MRAM) Market
5.1 Market Overview
5.2 Market Performance
5.3 Impact of COVID-19
5.4 Market Forecast
6 Market Breakup by Type
6.1 Toggle MRAM
6.1.1 Market Trends
6.1.2 Market Forecast
6.2 Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM)
6.2.1 Market Trends
6.2.2 Market Forecast
7 Market Breakup by Offering
7.1 Stand-alone
7.1.1 Market Trends
7.1.2 Market Forecast
7.2 Embedded
7.2.1 Market Trends
7.2.2 Market Forecast
8 Market Breakup by Application
8.1 Consumer Electronics
8.1.1 Market Trends
8.1.2 Market Forecast
8.2 Robotics
8.2.1 Market Trends
8.2.2 Market Forecast
8.3 Enterprise Storage
8.3.1 Market Trends
8.3.2 Market Forecast
8.4 Automotive
8.4.1 Market Trends
8.4.2 Market Forecast
8.5 Aerospace and Defense
8.5.1 Market Trends
8.5.2 Market Forecast
8.6 Others
8.6.1 Market Trends
8.6.2 Market Forecast
9 Market Breakup by Region
9.1 North America
9.1.1 United States
9.1.1.1 Market Trends
9.1.1.2 Market Forecast
9.1.2 Canada
9.1.2.1 Market Trends
9.1.2.2 Market Forecast
9.2 Asia-Pacific
9.2.1 China
9.2.1.1 Market Trends
9.2.1.2 Market Forecast
9.2.2 Japan
9.2.2.1 Market Trends
9.2.2.2 Market Forecast
9.2.3 India
9.2.3.1 Market Trends
9.2.3.2 Market Forecast
9.2.4 South Korea
9.2.4.1 Market Trends
9.2.4.2 Market Forecast
9.2.5 Australia
9.2.5.1 Market Trends
9.2.5.2 Market Forecast
9.2.6 Indonesia
9.2.6.1 Market Trends
9.2.6.2 Market Forecast
9.2.7 Others
9.2.7.1 Market Trends
9.2.7.2 Market Forecast
9.3 Europe
9.3.1 Germany
9.3.1.1 Market Trends
9.3.1.2 Market Forecast
9.3.2 France
9.3.2.1 Market Trends
9.3.2.2 Market Forecast
9.3.3 United Kingdom
9.3.3.1 Market Trends
9.3.3.2 Market Forecast
9.3.4 Italy
9.3.4.1 Market Trends
9.3.4.2 Market Forecast
9.3.5 Spain
9.3.5.1 Market Trends
9.3.5.2 Market Forecast
9.3.6 Russia
9.3.6.1 Market Trends
9.3.6.2 Market Forecast
9.3.7 Others
9.3.7.1 Market Trends
9.3.7.2 Market Forecast
9.4 Latin America
9.4.1 Brazil
9.4.1.1 Market Trends
9.4.1.2 Market Forecast
9.4.2 Mexico
9.4.2.1 Market Trends
9.4.2.2 Market Forecast
9.4.3 Others
9.4.3.1 Market Trends
9.4.3.2 Market Forecast
9.5 Middle East and Africa
9.5.1 Market Trends
9.5.2 Market Breakup by Country
9.5.3 Market Forecast
10 SWOT Analysis
10.1 Overview
10.2 Strengths
10.3 Weaknesses
10.4 Opportunities
10.5 Threats
11 Value Chain Analysis
12 Porters Five Forces Analysis
12.1 Overview
12.2 Bargaining Power of Buyers
12.3 Bargaining Power of Suppliers
12.4 Degree of Competition
12.5 Threat of New Entrants
12.6 Threat of Substitutes
13 Price Analysis
14 Competitive Landscape
14.1 Market Structure
14.2 Key Players
14.3 Profiles of Key Players
14.3.1 Avalanche Technology Inc.
14.3.1.1 Company Overview
14.3.1.2 Product Portfolio
14.3.2 Crocus Nano Electronics LLC
14.3.2.1 Company Overview
14.3.2.2 Product Portfolio
14.3.3 Everspin Technologies Inc.
14.3.3.1 Company Overview
14.3.3.2 Product Portfolio
14.3.3.3 Financials
14.3.4 Honeywell International Inc.
14.3.4.1 Company Overview
14.3.4.2 Product Portfolio
14.3.4.3 Financials
14.3.4.4 SWOT Analysis
14.3.5 Infineon Technologies AG
14.3.5.1 Company Overview
14.3.5.2 Product Portfolio
14.3.5.3 Financials
14.3.5.4 SWOT Analysis
14.3.6 Intel Corporation
14.3.6.1 Company Overview
14.3.6.2 Product Portfolio
14.3.6.3 Financials
14.3.6.4 SWOT Analysis
14.3.7 NVE Corporation
14.3.7.1 Company Overview
14.3.7.2 Product Portfolio
14.3.7.3 Financials
14.3.8 Qualcomm Incorporated
14.3.8.1 Company Overview
14.3.8.2 Product Portfolio
14.3.8.3 Financials
14.3.8.4 SWOT Analysis
14.3.9 Samsung Electronics Co. Ltd.
14.3.9.1 Company Overview
14.3.9.2 Product Portfolio
14.3.9.3 Financials
14.3.9.4 SWOT Analysis
14.3.10 Spin Memory Inc.
14.3.10.1 Company Overview
14.3.10.2 Product Portfolio
14.3.11 Toshiba Corporation
14.3.11.1 Company Overview
14.3.11.2 Product Portfolio
14.3.11.3 Financials
14.3.11.4 SWOT Analysis
14.3.12 Tower Semiconductor Ltd.
14.3.12.1 Company Overview
14.3.12.2 Product Portfolio
14.3.12.3 Financials

※参考情報

磁気抵抗RAM（MRAM）は、データ記憶における新しい技術の一つで、特にデータの永続性と低消費電力を実現するために開発されました。MRAMは、磁気特性を利用して情報を記録し、従来の半導体メモリと比較して多くの利点があります。MRAMは、データを保持するために電力を必要とせず、非常に高速でリードおよび書き込み動作を行うことができます。
MRAMは、情報を記録するために二つの磁性層を使用します。これらの層の間に絶縁層が挿入されており、情報は各磁性層のスピンの向きによって表されます。具体的には、スピンが同じ向きに揃っている場合は「0」、逆向きに揃っている場合は「1」として情報が記録されます。このようなスピンの状態に基づく動作は、磁気トンネル接合（MTJ）と呼ばれる技術によって実現されています。

MRAMの最大の利点は、データの非揮発性です。これにより、電源を切った場合でもデータが失われることはありません。これは、フラッシュメモリなどの他の非揮発性メモリと比較しても優れています。また、MRAMは書き換え耐性が高く、数百万回の書き換えサイクルに対応できるため、長期間にわたって安定した性能を提供します。さらに、低消費電力の特性も大きな利点であり、特にバッテリー駆動のデバイスやIoT（Internet of Things）機器において重要な要素となります。

MRAMの動作速度も特筆すべき点です。データの読み取りや書き込みが非常に迅速で、動作速度はSRAMやDRAMのような従来のメモリ技術と同等、またはそれ以上の性能を持っています。これにより、MRAMは高性能なコンピュータやサーバー、さらにはモバイルデバイスにおいても利用されることが期待されています。

MRAMの製造技術は、現在進行中の研究と開発により、日々進化しています。新しい材料や構造の開発が行われており、これにより性能向上が図られています。特に、より小型化されたデバイスや、高温環境での動作が可能なMRAMが開発されることで、さまざまな産業へと応用が広がることが期待されています。

現在、MRAMは特定の用途においては商業的に利用されていますが、まだ全体的に普及しているわけではありません。しかし、今後の技術革新や市場の需要に応じて、MRAMはさらなる発展を遂げると考えられます。データセンター、組み込みシステム、通信機器など、多岐にわたる分野での採用が進むことで、MRAMは次世代のメモリ技術としての地位を確立することになるでしょう。

最後に、MRAMはその特性からして既存のメモリ技術と共存し、補完し合う形で普及が進むことが予測されます。特に、データ量が急増する現代において、より効率的で信頼性の高いデータストレージのニーズが高まっています。その中でMRAMは、確実に重要な位置を占めることになるでしょう。このように、MRAMは単なる記憶装置にとどまらず、我々のデジタル社会において重要な役割を果たすことが期待されています。


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※関連調査資料
  • 世界の磁気抵抗RAM（MRAM）市場予測（2024年-2032年）：種類別（トグルMRAM、スピントランスファートルクMRAM（STT-MRAM））、提供別（スタンドアロン、組み込み）、用途別（民生用電子機器、ロボット、企業向けストレージ、自動車、航空宇宙・防衛、その他）、地域別
  • 世界のシステムオンチップ（SoC）市場レポート：タイプ別（デジタル、アナログ、ミックスドシグナル）、用途別（スマートフォン、ネットワーク機器、PC/ノートパソコン、ゲーム機、デジタルカメラ、その他）、エンドユーザー産業別（自動車、航空宇宙・防衛、IT・通信、民生用電子機器、産業用、医療、その他）、地域別 2025-2033
  • 世界のインダクタ市場レポート：タイプ別（巻線型、多層型、フィルム型、成形型）、コア別（空芯、強磁性体/フェライトコア、その他）、エンドユーザー別（自動車、民生用電子機器、航空宇宙・防衛、通信、その他）、地域別 2025-2033
  • 世界のFPGA（フィールドプログラマブルゲートアレイ）市場レポート：アーキテクチャ別（SRAMベースFPGA、アンチヒューズベースFPGA、フラッシュベースFPGA）、構成別（ローレンジFPGA、ミッドレンジFPGA、ハイレンジFPGA）、エンドユーザー産業別（IT・通信、民生用電子機器、自動車、産業用、軍事・航空宇宙、その他）、地域別 2025-2033
  • 世界の慣性計測装置（IMU）市場レポート：コンポーネント別（加速度計、ジャイロスコープ、磁力計）、グレード別（船舶用グレード、航法用グレード、戦術用グレード、宇宙用グレード、商用グレード）、技術別（機械式ジャイロ、リングレーザージャイロ、光ファイバージャイロ、MEMS、その他）、エンドユース産業別（民生用電子機器、航空宇宙・防衛、自動車、その他）、地域別 2025-2033
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