目次
第1章 調査方法と範囲
1.1. 市場セグメンテーションと範囲
1.2. 市場定義
1.3. 情報調達
1.4. 情報分析
1.4.1. 市場形成とデータの可視化
1.4.2. データの検証と公開
1.5. 調査範囲と前提条件
1.6. データソース一覧
第2章 エグゼクティブサマリー
2.1. 市場展望
2.2. セグメント別展望
2.3. 競合状況のスナップショット
第3章 高電子移動度トランジスタ：市場変数、トレンド、および範囲
3.1. 市場系統の展望
3.2. 業界バリューチェーン分析
3.3. 市場ダイナミクス
3.3.1. 市場ドライバーの影響分析
3.3.1.1.高速通信システムへの需要増加と無線デバイスの普及拡大
3.3.1.2. 費用対効果の高い電力システムへの需要増加
3.3.2. 市場課題の影響分析
3.3.2.1. HEMTトランジスタデバイスの製造・開発における従来型の手順の欠如
3.3.3. 市場機会の影響分析
3.3.3.1. 電気自動車の普及拡大と5Gネットワークの拡大
3.4. 業界分析ツール
3.4.1. ポーター分析
3.4.2. PESTEL分析
第4章 高電子移動度トランジスタ市場：タイプ別予測とトレンド分析
4.1. タイプ別動向分析と市場シェア、2022年および2030年
4.2. 高電子移動度トランジスタ市場の予測と予測（タイプ別）
4.2.1. 窒化ガリウム（GaN）
4.2.2.シリコンカーバイド（SiC）
4.2.3. ガリウムヒ素（GaAs）
4.2.4. その他
第5章 高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場：最終用途別予測とトレンド分析
5.1. 最終用途別動向分析と市場シェア（2022年および2030年）
5.2. HEMT市場の最終用途別予測と予測
5.2.1. コンシューマーエレクトロニクス
5.2.2. 自動車
5.2.3. 産業機器
5.2.4. 航空宇宙・防衛
5.2.5. その他
第6章 高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場：地域別予測とトレンド分析
6.1. HEMT市場：地域別展望
6.2. 北米
6.2.1.北米高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.2.2. 米国
6.2.2.1. 米国高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.2.3. カナダ
6.2.3.1. カナダ高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3. 欧州
6.3.1. 欧州高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3.2. 英国
6.3.2.1.英国における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3.3. ドイツ
6.3.3.1. ドイツにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.3.4. フランス
6.3.4.1. フランスにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4. アジア太平洋地域
6.4.1. アジア太平洋地域における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.2. 中国
6.4.2.1.中国における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.3. インド
6.4.3.1. インドにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.4. 日本
6.4.4.1. 日本における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.5. オーストラリア
6.4.5.1. オーストラリアにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.4.6. 韓国
6.4.6.1.韓国における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.5. ラテンアメリカ
6.5.1. ラテンアメリカにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.5.2. ブラジル
6.5.2.1. ブラジルにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.5.3. メキシコ
6.5.3.1. メキシコにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6. 中東およびアフリカ
6.6.1.中東およびアフリカにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6.2. サウジアラビア王国（KSA）
6.6.2.1. サウジアラビア王国（KSA）における高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6.3. アラブ首長国連邦（UAE）
6.6.3.1. UAEにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
6.6.4. 南アフリカ
6.6.4.1. 南アフリカにおける高電子移動度トランジスタ市場の推定と予測、2017年～2030年（10億米ドル）
第7章 競争環境
7.1.企業分類
7.2. 参加者概要
7.2.1. Qorvo
7.2.2. Infineon Technologies AG
7.2.3. Mouser Electronics, Inc.
7.2.4. MACOM
7.2.5. Wolfspeed
7.2.6. RFHIC Corporation
7.2.7. ST Microelectronics
7.2.8. Texas Instruments
7.2.9. 住友電気工業株式会社
7.2.10. Analog Devices, Inc.
7.3. 財務実績
7.4. 製品ベンチマーク
7.5. 企業市場ポジショニング
7.6. 2022年における企業市場シェア分析
7.7. 企業ヒートマップ分析
7.8. 戦略マッピング
7.8.1. 事業拡大
7.8.2. 協業
7.8.3.合併と買収
7.8.4. 新製品の発売
7.8.5. 提携
7.8.6. その他
Chapter 1. Methodology and Scope
1.1. Market Segmentation & Scope
1.2. Market Definitions
1.3. Information Procurement
1.4. Information Analysis
1.4.1. Market Formulation & Data Visualization
1.4.2. Data Validation & Publishing
1.5. Research Scope and Assumptions
1.6. List of Data Sources
Chapter 2. Executive Summary
2.1. Market Outlook
2.2. Segmental Outlook
2.3. Competitive Landscape Snapshot
Chapter 3. High Electron Mobility Transistor: Market Variables, Trends, & Scope
3.1. Market Lineage Outlook
3.2. Industry Value Chain Analysis
3.3. Market Dynamics
3.3.1. Market Driver Impact Analysis
3.3.1.1. Increasing demand for high-speed communication systems and the growing adoption of wireless devices
3.3.1.2. The growing demand for cost-effective power systems
3.3.2. Market Challenge Impact Analysis
3.3.2.1. The lack of conventional procedures for producing and developing HEMT transistor devices
3.3.3. Market Opportunity Impact Analysis
3.3.3.1. Rising adoption of electric vehicles and expansion of 5G networks
3.4. Industry Analysis Tools
3.4.1. Porter’s Analysis
3.4.2. PESTEL Analysis
Chapter 4. High Electron Mobility Transistor Market: Type Estimates & Trend Analysis
4.1. Type Movement Analysis & Market Share, 2022 & 2030
4.2. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecast, By Type
4.2.1. Gallium Nitride (GaN)
4.2.2. Silicon Carbide (SiC)
4.2.3. Gallium Arsenide (GaAs)
4.2.4. Others
Chapter 5. High Electron Mobility Transistor Market: End-use Estimates & Trend Analysis
5.1. End-Use Movement Analysis & Market Share, 2022 & 2030
5.2. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecast, By End-Use
5.2.1. Consumer Electronics
5.2.2. Automotive
5.2.3. Industrial
5.2.4. Aerospace & Defense
5.2.5. Others
Chapter 6. High Electron Mobility Transistor Market: Regional Estimates & Trend Analysis
6.1. High Electron Mobility Transistor Market: Regional Outlook
6.2. North America
6.2.1. North America High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.2.2. U.S.
6.2.2.1. U.S. High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.2.3. Canada
6.2.3.1. Canada High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3. Europe
6.3.1. Europe High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.2. UK
6.3.2.1. UK High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.3. Germany
6.3.3.1. Germany High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.3.4. France
6.3.4.1. France High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4. Asia Pacific
6.4.1. Asia Pacific High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.2. China
6.4.2.1. China High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.3. India
6.4.3.1. India High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.4. Japan
6.4.4.1. Japan High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.5. Australia
6.4.5.1. Australia High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.4.6. South Korea
6.4.6.1. South Korea High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5. Latin America
6.5.1. Latin America High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5.2. Brazil
6.5.2.1. Brazil High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.5.3. Mexico
6.5.3.1. Mexico High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6. Middle East & Africa
6.6.1. Middle East & Africa High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.2. The Kingdom of Saudi Arabia (KSA)
6.6.2.1. The Kingdom of Saudi Arabia (KSA) High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.3. UAE
6.6.3.1. UAE High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
6.6.4. South Arica
6.6.4.1. South Africa High Electron Mobility Transistor Market Estimates & Forecasts, 2017 - 2030 (USD Billion)
Chapter 7. Competitive Landscape
7.1. Company Categorization
7.2. Participant’s Overview
7.2.1. Qorvo
7.2.2. Infineon Technologies AG
7.2.3. Mouser Electronics, Inc.
7.2.4. MACOM
7.2.5. Wolfspeed
7.2.6. RFHIC Corporation
7.2.7. ST Microelectronics
7.2.8. Texas Instruments
7.2.9. Sumitomo Electric Industries, Ltd.
7.2.10. Analog Devices, Inc.
7.3. Financial Performance
7.4. Product Benchmarking
7.5. Company Market Positioning
7.6. Company Market Share Analysis, 2022
7.7. Company Heat Map Analysis
7.8. Strategy Mapping
7.8.1. Expansion
7.8.2. Collaborations
7.8.3. Mergers & Acquisitions
7.8.4. New Product Launches
7.8.5. Partnerships
7.8.6. Others
| ※参考情報 高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor、HEMT）は、高速で高効率な電子デバイスの一種で、特に高周波領域や高電圧領域での用途において優れた性能を発揮します。このトランジスタは、主にガリウムナイトライド（GaN）やインジウムリン（InP）、ガリウム砒素（GaAs）などの化合物半導体材料を使用して構成されており、特に電子移動度が非常に高いため、高速動作が可能です。 HEMTの基本的な構造は、バンドギャップが異なる二つの半導体材料の接合部における2次元電子ガス（2DEG）を利用しています。この2DEGは、供給される電場によって誘導されるもので、通常の三次元の半導体よりもはるかに高い移動度を持っています。その結果、HEMTはより高速なスイッチング動作が可能であり、低消費電力で動作することができます。これらの特性は、無線通信、医療機器、レーダー技術、電源回路など、様々な先進的な応用分野で重要な役割を果たしています。 HEMTの種類には、主に二つのタイプがあります。一つは、ガリウムナイトライドHEMT（GaN HEMT）であり、もう一つはインジウムリンHEMT（InP HEMT）です。GaN HEMTは、高い耐圧、広いバンドギャップ、そして高いエネルギー効率に優れており、特にパワーエレクトロニクスやRF通信において広く使用されています。これに対し、InP HEMTはさらに高い電子移動度と周波数特性を持ち、ミリ波やテラヘルツ波通信などの高周波アプリケーションに適しています。どちらのHEMTも、その特性によって異なる用途に適しているため、選択と応用に際しては慎重な検討が求められます。 HEMTは、その優れた性能により、さまざまな用途で利用されています。例えば、無線通信では、基地局のパワーアンプとして、広範囲な信号伝送を可能にします。また、レーダーシステムや衛星通信、マイクロ波通信などの高周波デバイスとしても頻繁に使われています。さらに、医療機器では、超音波診断装置や非接触型センサー、さらにはがん治療における高出力マイクロ波装置などにも応用されています。 加えて、HEMT技術の発展に伴い、関連する技術も進化しています。たとえば、集積回路技術と組み合わせることで、より小型化されたデバイスが実現可能となり、システム全体のコスト効率も向上しています。また、HEMTデバイスを用いた新しい通信プロトコルの開発や、EDA（電子設計自動化）ツールを用いた設計・シミュレーション技術の向上も進展しています。これにより、HEMTを基盤とする高性能な電子システムの設計が容易になっています。 HEMTは、今後ますます需要が高まると予想される分野において、重要な役割を果たし続けるでしょう。特に、5G通信やIoT（モノのインターネット）関連技術の普及に伴い、HEMTの性能向上や新しい材料の研究が進むことが期待されています。また、新たな材料の開発や製造プロセスの革新により、さらなる高性能化や低コスト化が実現され、より多様な用途での活用が進むと考えられています。 このように、高電子移動度トランジスタは、その優れた特性によって多様な分野において重要な役割を果たしており、今後の技術革新とともにさらなる展望が広がっていくことでしょう。 |
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