IGBT・スーパージャンクションMOSFETのグローバル市場(2021~2031):IGBT、スーパージャンクションMOSFET

■ 英語タイトル:IGBT and Super Junction MOSFET Market By Type (IGBT, Super Junction MOSFET), By Application (Energy and Power, Consumer Electronics, Inverter and UPS, Electric Vehicle, Industrial System, Others): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2021-2031

調査会社Allied Market Research社が発行したリサーチレポート(データ管理コード:ALD23MC139)■ 発行会社/調査会社:Allied Market Research
■ 商品コード:ALD23MC139
■ 発行日:2023年1月
   最新版(2025年又は2026年)はお問い合わせください。
■ 調査対象地域:グローバル
■ 産業分野:半導体
■ ページ数:348
■ レポート言語:英語
■ レポート形式:PDF
■ 納品方式:Eメール(受注後24時間以内)
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★グローバルリサーチ資料[IGBT・スーパージャンクションMOSFETのグローバル市場(2021~2031):IGBT、スーパージャンクションMOSFET]についてメールでお問い合わせはこちら
*** レポート概要(サマリー)***

Allied Market Research社の調査資料では、2021年には111億ドルであった世界のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模が2031年には331億ドルへ及び、2022年から2031年の間にCAGR 11.4%増加すると推測されています。本調査資料では、IGBT・スーパージャンクションMOSFETの世界市場を広く調査・分析し、イントロダクション、エグゼクティブサマリー、市場概要、種類別(IGBT、スーパージャンクションMOSFET)分析、用途別(エネルギー・電力、家電、インバータ・UPS、電気自動車、その他)分析、地域別(北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中南米/中東・アフリカ)分析、競争状況、企業情報などを整理しました。並びに、本資料に記載されている企業として、ABB Ltd.、Infineon Technologies AG、Toshiba Corporation、Fuji Electric Co. Ltd、Renesas Electronics、NXP Semiconductors、Ixys corporation、STMicroelectronics、Mitsubishi Electric Corporation、Semikron Danfossなどが含まれています。
・イントロダクション
・エグゼクティブサマリー
・市場概要
・世界のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模:種類別
- IGBTの市場規模
- スーパージャンクションMOSFETの市場規模
・世界のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模:用途別
- エネルギー・電力における市場規模
- 家電における市場規模
- インバータ・UPSにおける市場規模
- 電気自動車における市場規模
- その他用途の市場規模
・世界のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模:地域別
- 北米のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模
- ヨーロッパのIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模
- アジア太平洋のIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模
- 中南米/中東・アフリカのIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場規模
・競争状況
・企業情報

IGBT・スーパージャンクションMOSFETの世界市場は、2021年に111億ドルと評価され、2022年から2031年まで年平均成長率11.4%で成長して2031年には331億ドルに達すると予測されています。

IGBT・スーパージャンクションMOSFETは、高速スイッチングと高効率のために使用される高度な半導体デバイスです。高入力インピーダンスと高電圧駆動の両方を供給することで、IGBTはMOSFETとバイポーラトランジスタの利点を兼ね備えています。

IGBT・スーパージャンクションMOSFETの世界市場の成長は、高電圧動作デバイスへのニーズの高まりと相まって、電気機器や機械への依存度が高まっていることが主な要因です。さらに、省電力を重視する傾向が強まっていることも、市場成長の原動力になると予想されます。しかし、操作の制限と全体的なコストの高さが、世界市場の主な抑制要因となっています。逆に、HVDCやスマートグリッドを確立するための政府イニシアティブの増加は、予測期間中にIGBT・スーパージャンクションMOSFET業界に有利な機会を提供すると予想されます。

IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場は、種類、用途、地域によって区分されます。
種類別では、市場はIGBT(ディスクリートIGBTとIGBTモジュール)とスーパージャンクションMOSFETに分類されます。
用途別では、エネルギー&電力、家電、インバータ&UPS、電気自動車、産業システム、その他に分類されます。
地域別では、北米(米国、カナダ、メキシコ)、欧州(英国、ドイツ、フランス、その他の欧州地域)、アジア太平洋地域(中国、インド、日本、韓国、その他のアジア太平洋地域)、LAMEA(中南米、中東、アフリカ)のIGBT・スーパージャンクションMOSFETの市場動向を分析しています。

同市場で事業を展開する主要企業は、ABB Ltd.、Infineon Technologies AG、STマイクロエレクトロニクス、株式会社東芝、富士電機株式会社、三菱電機株式会社、Renesas Electronics、NXP Semiconductors、Semikron International GmbH、IXYS Corporationなどです。

〈ステークホルダーにとっての主なメリット〉
・本レポートは、2021年から2031年までのIGBT・スーパージャンクションMOSFET市場分析の市場セグメント、現在の動向、予測、ダイナミクスを定量的に分析し、IGBT・スーパージャンクションMOSFETの市場機会を特定します。
・IGBT・スーパージャンクションMOSFETの市場機会を特定するために、2021年から2031年までのIGBT・スーパージャンクションMOSFETの市場分析およびダイナミクスを提供します。
・ポーターのファイブフォース分析により、バイヤーとサプライヤーの潜在力を明らかにし、ステークホルダーが利益重視のビジネス決定を下し、サプライヤーとバイヤーのネットワークを強化できるようにします。
・IGBT・スーパージャンクションMOSFETの市場細分化に関する詳細な分析により、市場機会を決定します。
・IGBT・スーパージャンクションMOSFET市場の細分化に関する詳細な分析は、市場機会を決定するのに役立ちます。
・市場プレイヤーのポジショニングはベンチマーキングを容易にし、市場プレイヤーの現在のポジションを明確に理解することができます。
・地域別および世界別のイグジットおよびスーパージャンクションモセットの市場動向、主要企業、市場セグメント、応用分野、市場成長戦略の分析を含みます。

〈主要市場セグメント〉
種類別
・IGBT
IGBT
ディスクリート IGBT
IGBT モジュール
・スーパージャンクションMOSFET

用途別
・エネルギー&電力
・家電
・インバータ&UPS
・電気自動車
・産業システム
・その他

地域別
・北米
米国
カナダ
メキシコ
・ヨーロッパ
イギリス
ドイツ
フランス
その他のヨーロッパ
・アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
その他のアジア太平洋地域
・LAMEA
ラテンアメリカ
中東
アフリカ

〈主要市場プレイヤー〉
ABB Ltd.
Infineon Technologies AG
株式会社東芝
富士電機株式会社
Renesas Electronics
NXP Semiconductors
Ixys corporation
STMicroelectronics
三菱電機株式会社
Semikron Danfoss

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*** レポート目次(コンテンツ)***

第1章:はじめに
1.1. レポートの概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーにとっての主なメリット
1.4. 調査方法
1.4.1. 二次調査
1.4.2. 一次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章:エグゼクティブサマリー
2.1. 調査の主な知見
2.2. CXOの視点
第3章:市場概要
3.1. 市場の定義と範囲
3.2. 主な知見
3.2.1. 主要投資先
3.3. ポーターの5つの力分析
3.4. 市場ダイナミクス
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. 電気機器・機械への依存度の高まり
3.4.1.2. 省電力化への重点化
3.4.1.3.高電圧動作デバイスへのニーズの高まり

3.4.2. 制約
3.4.2.1. 運用上の制約と高い総コスト

3.4.3. 機会
3.4.3.1. HVDCおよびスマートグリッド構築に向けた政府主導の取り組みの増加

3.5. COVID-19による市場への影響分析
第4章:IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(タイプ別)
4.1 概要
4.1.1 市場規模と予測
4.2. IGBT
4.2.1 主要市場動向、成長要因、機会
4.2.2 地域別市場規模と予測
4.2.3 国別市場シェア分析
4.2.4 IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
4.2.4.1 ディスクリートIGBT市場規模と予測(地域別)
4.2.4.2 ディスクリートIGBT市場規模と予測(国別)
4.2.4.3 IGBTモジュール市場規模と予測(地域別)
4.2.4.4 IGBTモジュール市場規模と予測(国別)
4.3. スーパージャンクションMOSFET
4.3.1 主要市場動向、成長要因、機会
4.3.2 地域別市場規模と予測
4.3.3 国別市場シェア分析
第5章:IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(アプリケーション別)
5.1 概要
5.1.1 市場規模と予測
5.2.エネルギーと電力
5.2.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.2.2 地域別の市場規模と予測
5.2.3 国別の市場シェア分析
5.3. 民生用電子機器
5.3.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.3.2 地域別の市場規模と予測
5.3.3 国別の市場シェア分析
5.4. インバーターとUPS
5.4.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.4.2 地域別の市場規模と予測
5.4.3 国別の市場シェア分析
5.5. 電気自動車
5.5.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.5.2 地域別の市場規模と予測
5.5.3 国別の市場シェア分析
5.6. 産業システム
5.6.1 主要な市場動向、成長要因、機会
5.6.2 地域別の市場規模と予測
5.6.3 国別の市場シェア分析
5.7.その他
5.7.1 主要市場動向、成長要因、機会
5.7.2 地域別市場規模と予測
5.7.3 国別市場シェア分析
第6章:IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(地域別)
6.1 概要
6.1.1 市場規模と予測
6.2 北米
6.2.1 主要動向と機会
6.2.2 北米市場規模と予測(タイプ別)
6.2.2.1 北米IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.2.3 北米市場規模と予測(アプリケーション別)
6.2.4 北米市場規模と予測(国別)
6.2.4.1 米国
6.2.4.1.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.2.4.1.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.2.4.1.2.1 米国IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET IGBT別MOSFET市場
6.2.4.1.3 市場規模と予測(用途別)
6.2.4.2 カナダ
6.2.4.2.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.2.4.2.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.2.4.2.2.1 カナダ IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.2.4.2.3 市場規模と予測(用途別)
6.2.4.3 メキシコ
6.2.4.3.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.2.4.3.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.2.4.3.2.1 メキシコ IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.2.4.3.3 市場規模と予測(用途別)
6.3 ヨーロッパ
6.3.1 主要市場動向と機会
6.3.2 ヨーロッパ 市場規模と予測(タイプ別)
6.3.2.1 ヨーロッパ IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.3.3 ヨーロッパ市場規模および予測(アプリケーション別)
6.3.4 ヨーロッパ市場規模および予測(国別)
6.3.4.1 英国
6.3.4.1.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.3.4.1.2 市場規模および予測(タイプ別)
6.3.4.1.2.1 英国IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.3.4.1.3 市場規模および予測(アプリケーション別)
6.3.4.2 ドイツ
6.3.4.2.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.3.4.2.2 市場規模および予測(タイプ別)
6.3.4.2.2.1 ドイツIGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.3.4.2.3 市場規模および予測(アプリケーション別)
6.3.4.3 フランス
6.3.4.3.1 主要市場動向、成長要因および機会
6.3.4.3.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.3.4.3.2.1 フランス IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.3.4.3.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.3.4.4 その他ヨーロッパ
6.3.4.4.1 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.4.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.3.4.4.2.1 その他ヨーロッパ IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.3.4.4.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.4 アジア太平洋地域
6.4.1 主要な市場動向と機会
6.4.2 アジア太平洋地域 市場規模と予測(タイプ別)
6.4.2.1 アジア太平洋地域 IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.4.3 アジア太平洋地域 市場規模と予測(アプリケーション別)アプリケーション
6.4.4 アジア太平洋地域 市場規模と予測(国別)
6.4.4.1 中国
6.4.4.1.1 主要な市場動向、成長要因、機会
6.4.4.1.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.4.4.1.2.1 中国 IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.4.4.1.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.4.4.2 日本
6.4.4.2.1 主要な市場動向、成長要因、機会
6.4.4.2.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.4.4.2.2.1 日本 IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.4.4.2.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.4.4.3 インド
6.4.4.3.1 主要な市場動向、成長要因、機会
6.4.4.3.2 市場規模と予測(アプリケーション別)タイプ
6.4.4.3.2.1 インド IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.4.4.3.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.4.4.4 韓国
6.4.4.4.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.4.4.4.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.4.4.4.2.1 韓国 IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.4.4.4.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.4.4.5 その他アジア太平洋地域
6.4.4.5.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.4.4.5.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.4.4.5.2.1 その他アジア太平洋地域 IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.4.4.5.3 市場規模と予測(アプリケーション別)アプリケーション
6.5 LAMEA
6.5.1 主要トレンドと機会
6.5.2 LAMEA市場規模と予測(タイプ別)
6.5.2.1 LAMEA IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.5.3 LAMEA市場規模と予測(アプリケーション別)
6.5.4 LAMEA市場規模と予測(国別)
6.5.4.1 ラテンアメリカ
6.5.4.1.1 主要市場トレンド、成長要因、機会
6.5.4.1.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.5.4.1.2.1 ラテンアメリカ IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.5.4.1.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.5.4.2 中東
6.5.4.2.1 主要市場トレンド、成長要因、機会
6.5.4.2.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.5.4.2.2.1 中東IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.5.4.2.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
6.5.4.3 アフリカ
6.5.4.3.1 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.4.3.2 市場規模と予測(タイプ別)
6.5.4.3.2.1 アフリカ IGBT IGBTおよびスーパージャンクションMOSFET市場(IGBT別)
6.5.4.3.3 市場規模と予測(アプリケーション別)
第7章:競合状況
7.1. はじめに
7.2. 主要勝利戦略
7.3. 上位10社の製品マッピング
7.4. 競合ダッシュボード
7.5. 競合ヒートマップ
7.6. 2021年における主要プレーヤーのポジショニング
第8章:企業プ​​ロファイル
8.1 ABB Ltd.
8.1.1 会社概要
8.1.2 主要役員
8.1.3 会社概要
8.1.4 事業セグメント
8.1.5 製品ポートフォリオ
8.1.6 業績
8.1.7 主要な戦略的動きと展開
8.2 Infineon Technologies AG
8.2.1 会社概要
8.2.2 主要役員
8.2.3 会社概要
8.2.4 事業セグメント
8.2.5 製品ポートフォリオ
8.2.6 業績
8.2.7 主要な戦略的動きと展開
8.3 株式会社東芝
8.3.1 会社概要
8.3.2 主要役員
8.3.3 会社概要
8.3.4 事業セグメント
8.3.5 製品ポートフォリオ
8.3.6 業績
8.3.7 主要な戦略的動きと展開
8.4 富士電機株式会社株式会社
8.4.1 会社概要
8.4.2 主要役員
8.4.3 会社概要
8.4.4 事業セグメント
8.4.5 製品ポートフォリオ
8.4.6 業績
8.4.7 主要な戦略的動きと展開
8.5 ルネサス エレクトロニクス
8.5.1 会社概要
8.5.2 主要役員
8.5.3 会社概要
8.5.4 事業セグメント
8.5.5 製品ポートフォリオ
8.5.6 業績
8.5.7 主要な戦略的動きと展開
8.6 NXPセミコンダクターズ
8.6.1 会社概要
8.6.2 主要役員
8.6.3 会社概要
8.6.4 事業セグメント
8.6.5 製品ポートフォリオ
8.6.6 業績
8.6.7 主要な戦略的動きと展開
8.7 イクシス株式会社
8.7.1 会社概要
8.7.2 主要役員
8.7.3 会社概要
8.7.4事業セグメント
8.7.5 製品ポートフォリオ
8.7.6 業績
8.7.7 主要な戦略的動きと展開
8.8 STマイクロエレクトロニクス
8.8.1 会社概要
8.8.2 主要役員
8.8.3 会社概要
8.8.4 事業セグメント
8.8.5 製品ポートフォリオ
8.8.6 業績
8.8.7 主要な戦略的動きと展開
8.9 三菱電機株式会社
8.9.1 会社概要
8.9.2 主要役員
8.9.3 会社概要
8.9.4 事業セグメント
8.9.5 製品ポートフォリオ
8.9.6 業績
8.9.7 主要な戦略的動きと展開
8.10 セミクロン・ダンフォス
8.10.1 会社概要
8.10.2 主要役員
8.10.3 会社概要
8.10.4 事業セグメント
8.10.5 製品ポートフォリオ
8.10.6 事業パフォーマンス
8.10.7 主要な戦略的動きと展開

CHAPTER 1:INTRODUCTION
1.1.Report description
1.2.Key market segments
1.3.Key benefits to the stakeholders
1.4.Research Methodology
1.4.1.Secondary research
1.4.2.Primary research
1.4.3.Analyst tools and models
CHAPTER 2:EXECUTIVE SUMMARY
2.1.Key findings of the study
2.2.CXO Perspective
CHAPTER 3:MARKET OVERVIEW
3.1.Market definition and scope
3.2.Key findings
3.2.1.Top investment pockets
3.3.Porter’s five forces analysis
3.4.Market dynamics
3.4.1.Drivers
3.4.1.1. Increased dependence on electrical equipment and machinery
3.4.1.2. Increase an emphasis on power saving
3.4.1.3. Aggrandized need for high voltage operating devices

3.4.2.Restraints
3.4.2.1. Limitations in operations and high overall cost

3.4.3.Opportunities
3.4.3.1. Rise in government initiatives to establish HVDC and smart grids

3.5.COVID-19 Impact Analysis on the market
CHAPTER 4: IGBT AND SUPER JUNCTION MOSFET MARKET, BY TYPE
4.1 Overview
4.1.1 Market size and forecast
4.2. IGBT
4.2.1 Key market trends, growth factors and opportunities
4.2.2 Market size and forecast, by region
4.2.3 Market share analysis by country
4.2.4 IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
4.2.4.1 Discrete IGBT Market size and forecast, by region
4.2.4.2 Discrete IGBT Market size and forecast, by country
4.2.4.3 IGBT Module Market size and forecast, by region
4.2.4.4 IGBT Module Market size and forecast, by country
4.3. Super Junction MOSFET
4.3.1 Key market trends, growth factors and opportunities
4.3.2 Market size and forecast, by region
4.3.3 Market share analysis by country
CHAPTER 5: IGBT AND SUPER JUNCTION MOSFET MARKET, BY APPLICATION
5.1 Overview
5.1.1 Market size and forecast
5.2. Energy and Power
5.2.1 Key market trends, growth factors and opportunities
5.2.2 Market size and forecast, by region
5.2.3 Market share analysis by country
5.3. Consumer Electronics
5.3.1 Key market trends, growth factors and opportunities
5.3.2 Market size and forecast, by region
5.3.3 Market share analysis by country
5.4. Inverter and UPS
5.4.1 Key market trends, growth factors and opportunities
5.4.2 Market size and forecast, by region
5.4.3 Market share analysis by country
5.5. Electric Vehicle
5.5.1 Key market trends, growth factors and opportunities
5.5.2 Market size and forecast, by region
5.5.3 Market share analysis by country
5.6. Industrial System
5.6.1 Key market trends, growth factors and opportunities
5.6.2 Market size and forecast, by region
5.6.3 Market share analysis by country
5.7. Others
5.7.1 Key market trends, growth factors and opportunities
5.7.2 Market size and forecast, by region
5.7.3 Market share analysis by country
CHAPTER 6: IGBT AND SUPER JUNCTION MOSFET MARKET, BY REGION
6.1 Overview
6.1.1 Market size and forecast
6.2 North America
6.2.1 Key trends and opportunities
6.2.2 North America Market size and forecast, by Type
6.2.2.1 North America IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.2.3 North America Market size and forecast, by Application
6.2.4 North America Market size and forecast, by country
6.2.4.1 U.S.
6.2.4.1.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.1.2 Market size and forecast, by Type
6.2.4.1.2.1 U.S. IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.2.4.1.3 Market size and forecast, by Application
6.2.4.2 Canada
6.2.4.2.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.2.2 Market size and forecast, by Type
6.2.4.2.2.1 Canada IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.2.4.2.3 Market size and forecast, by Application
6.2.4.3 Mexico
6.2.4.3.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.3.2 Market size and forecast, by Type
6.2.4.3.2.1 Mexico IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.2.4.3.3 Market size and forecast, by Application
6.3 Europe
6.3.1 Key trends and opportunities
6.3.2 Europe Market size and forecast, by Type
6.3.2.1 Europe IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.3.3 Europe Market size and forecast, by Application
6.3.4 Europe Market size and forecast, by country
6.3.4.1 UK
6.3.4.1.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.1.2 Market size and forecast, by Type
6.3.4.1.2.1 UK IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.3.4.1.3 Market size and forecast, by Application
6.3.4.2 Germany
6.3.4.2.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.2.2 Market size and forecast, by Type
6.3.4.2.2.1 Germany IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.3.4.2.3 Market size and forecast, by Application
6.3.4.3 France
6.3.4.3.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.3.2 Market size and forecast, by Type
6.3.4.3.2.1 France IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.3.4.3.3 Market size and forecast, by Application
6.3.4.4 Rest of Europe
6.3.4.4.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.4.2 Market size and forecast, by Type
6.3.4.4.2.1 Rest of Europe IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.3.4.4.3 Market size and forecast, by Application
6.4 Asia-Pacific
6.4.1 Key trends and opportunities
6.4.2 Asia-Pacific Market size and forecast, by Type
6.4.2.1 Asia-Pacific IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.4.3 Asia-Pacific Market size and forecast, by Application
6.4.4 Asia-Pacific Market size and forecast, by country
6.4.4.1 China
6.4.4.1.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.1.2 Market size and forecast, by Type
6.4.4.1.2.1 China IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.4.4.1.3 Market size and forecast, by Application
6.4.4.2 Japan
6.4.4.2.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.2.2 Market size and forecast, by Type
6.4.4.2.2.1 Japan IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.4.4.2.3 Market size and forecast, by Application
6.4.4.3 India
6.4.4.3.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.3.2 Market size and forecast, by Type
6.4.4.3.2.1 India IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.4.4.3.3 Market size and forecast, by Application
6.4.4.4 South Korea
6.4.4.4.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.4.2 Market size and forecast, by Type
6.4.4.4.2.1 South Korea IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.4.4.4.3 Market size and forecast, by Application
6.4.4.5 Rest of Asia-Pacific
6.4.4.5.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.5.2 Market size and forecast, by Type
6.4.4.5.2.1 Rest of Asia-Pacific IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.4.4.5.3 Market size and forecast, by Application
6.5 LAMEA
6.5.1 Key trends and opportunities
6.5.2 LAMEA Market size and forecast, by Type
6.5.2.1 LAMEA IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.5.3 LAMEA Market size and forecast, by Application
6.5.4 LAMEA Market size and forecast, by country
6.5.4.1 Latin America
6.5.4.1.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.1.2 Market size and forecast, by Type
6.5.4.1.2.1 Latin America IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.5.4.1.3 Market size and forecast, by Application
6.5.4.2 Middle East
6.5.4.2.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.2.2 Market size and forecast, by Type
6.5.4.2.2.1 Middle East IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.5.4.2.3 Market size and forecast, by Application
6.5.4.3 Africa
6.5.4.3.1 Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.3.2 Market size and forecast, by Type
6.5.4.3.2.1 Africa IGBT IGBT and Super Junction MOSFET Market by IGBT
6.5.4.3.3 Market size and forecast, by Application
CHAPTER 7: COMPETITIVE LANDSCAPE
7.1. Introduction
7.2. Top winning strategies
7.3. Product Mapping of Top 10 Player
7.4. Competitive Dashboard
7.5. Competitive Heatmap
7.6. Top player positioning, 2021
CHAPTER 8: COMPANY PROFILES
8.1 ABB Ltd.
8.1.1 Company overview
8.1.2 Key Executives
8.1.3 Company snapshot
8.1.4 Operating business segments
8.1.5 Product portfolio
8.1.6 Business performance
8.1.7 Key strategic moves and developments
8.2 Infineon Technologies AG
8.2.1 Company overview
8.2.2 Key Executives
8.2.3 Company snapshot
8.2.4 Operating business segments
8.2.5 Product portfolio
8.2.6 Business performance
8.2.7 Key strategic moves and developments
8.3 Toshiba Corporation
8.3.1 Company overview
8.3.2 Key Executives
8.3.3 Company snapshot
8.3.4 Operating business segments
8.3.5 Product portfolio
8.3.6 Business performance
8.3.7 Key strategic moves and developments
8.4 Fuji Electric Co. Ltd
8.4.1 Company overview
8.4.2 Key Executives
8.4.3 Company snapshot
8.4.4 Operating business segments
8.4.5 Product portfolio
8.4.6 Business performance
8.4.7 Key strategic moves and developments
8.5 Renesas Electronics
8.5.1 Company overview
8.5.2 Key Executives
8.5.3 Company snapshot
8.5.4 Operating business segments
8.5.5 Product portfolio
8.5.6 Business performance
8.5.7 Key strategic moves and developments
8.6 NXP Semiconductors
8.6.1 Company overview
8.6.2 Key Executives
8.6.3 Company snapshot
8.6.4 Operating business segments
8.6.5 Product portfolio
8.6.6 Business performance
8.6.7 Key strategic moves and developments
8.7 Ixys corporation
8.7.1 Company overview
8.7.2 Key Executives
8.7.3 Company snapshot
8.7.4 Operating business segments
8.7.5 Product portfolio
8.7.6 Business performance
8.7.7 Key strategic moves and developments
8.8 STMicroelectronics
8.8.1 Company overview
8.8.2 Key Executives
8.8.3 Company snapshot
8.8.4 Operating business segments
8.8.5 Product portfolio
8.8.6 Business performance
8.8.7 Key strategic moves and developments
8.9 Mitsubishi Electric Corporation
8.9.1 Company overview
8.9.2 Key Executives
8.9.3 Company snapshot
8.9.4 Operating business segments
8.9.5 Product portfolio
8.9.6 Business performance
8.9.7 Key strategic moves and developments
8.10 Semikron Danfoss
8.10.1 Company overview
8.10.2 Key Executives
8.10.3 Company snapshot
8.10.4 Operating business segments
8.10.5 Product portfolio
8.10.6 Business performance
8.10.7 Key strategic moves and developments
※参考情報

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)およびスーパージャンクションMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)は、パワーエレクトロニクス分野で広く使用されている半導体素子です。これらのデバイスは、高電圧・高電流の制御が可能で、さまざまな産業における電力変換や制御に役立っています。
IGBTは、バイポーラトランジスタとMOSFETの特性を組み合わせたデバイスです。主に高電圧かつ高電流のアプリケーションで用いられ、スイッチング損失を低減しながら高い承認電流を流すことができます。この特性により、IGBTは特にインバータやコンバータ、オーディオ増幅器などに使用されます。IGBTの特長は、高速スイッチングが可能で、温度変化にも耐性があることです。そのため、電気自動車の駆動装置や産業用モーター制御、家庭用電力機器など、さまざまなエネルギー管理システムに適しています。

一方、スーパージャンクションMOSFETは、従来のMOSFETよりも高い耐圧と低いオン抵抗を持つことができる新しいタイプのデバイスです。この技術は、パワーエレクトロニクスにおいて高効率なエネルギー変換を実現するための重要な要素です。スーパージャンクション技術により、デバイスのスイッチング速度が向上し、高電圧アプリケーションにおいてもエネルギー損失を最小限に抑えることができます。その結果、スーパージャンクションMOSFETは、太陽光発電、風力発電、EV充電ステーションなどのアプリケーションでの使用が進んでいます。

IGBTとスーパージャンクションMOSFETの用途は多岐にわたります。産業用モーター制御や電源供給システム、再生エネルギーシステム、家電製品に至るまで、これらのデバイスは広く採用されています。また、電気自動車やハイブリッド車のパワーエレクトロニクスにおいても、IGBTの利用が進んでいます。これらのデバイスは、効率的なエネルギー管理を実現し、環境負荷の低減に寄与しています。

さらに、関連技術としては、ゲートドライブ回路や冷却技術が挙げられます。IGBTやスーパージャンクションMOSFETの性能を最大限に引き出すためには、適切なゲートドライブ回路の設計が不可欠です。高速スイッチングを可能にし、全体のシステム効率を向上させるために、高速ゲートドライブ技術が開発されています。また、これらのデバイスは高熱を発生することもあるため、冷却技術も重要です。ヒートシンクやファン、さらには液体冷却システムなど、熱管理技術の向上が進められています。

IGBT及びスーパージャンクションMOSFETは、高効率・高信頼性を必要とする多様な応用において、今後も重要な役割を果たすことが期待されています。特に、再生可能エネルギーや電気自動車の普及に伴い、これらのデバイスの市場は成長を続けており、新しい技術の開発も進められています。また、AIによる性能最適化技術や、より高度な素材開発により、さらなる効率向上やminiaturizationが期待されています。環境に配慮したエネルギーシステムの実現に向けて、IGBTやスーパージャンクションMOSFETは今後ますます重要な存在になるでしょう。


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※注目の調査資料
※当サイト上のレポートデータは弊社H&Iグローバルリサーチ運営のMarketReport.jpサイトと連動しています。
※当市場調査資料(ALD23MC139 )"IGBT・スーパージャンクションMOSFETのグローバル市場(2021~2031):IGBT、スーパージャンクションMOSFET" (英文:IGBT and Super Junction MOSFET Market By Type (IGBT, Super Junction MOSFET), By Application (Energy and Power, Consumer Electronics, Inverter and UPS, Electric Vehicle, Industrial System, Others): Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2021-2031)はAllied Market Research社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。


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