磁気抵抗型RAMのグローバル市場(2024-2034):トグル型MRAM、スピン転送型トルクMRAM

■ 英語タイトル:Magneto Resistive RAM Market Study by Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM for Consumer Electronics, Robotics, Enterprise Storage, Automotive, and Aerospace & Defense From 2024 to 2034

調査会社FactMR社が発行したリサーチレポート(データ管理コード:FACT25JU0416)■ 発行会社/調査会社:FactMR
■ 商品コード:FACT25JU0416
■ 発行日:2025年5月
■ 調査対象地域:グローバル
■ 産業分野:電子
■ ページ数:約150
■ レポート言語:英語
■ レポート形式:PDF
■ 納品方式:Eメール
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*** レポート概要(サマリー)***

Fact.MRが発表した新しい調査によると、世界の磁気抵抗型RAM市場は 2024 年に6億5,090万米ドルと推定され、2034年末までに27.3%の2桁のCAGRで成長し、72億5,000万米ドルに達すると予測されています。
磁気抵抗型RAMは、その高速アクセス、小型サイズ、および回復力により、モノのインターネット (IoT) デバイスやスマートテクノロジーでの用途が拡大しています。これらの機能は、エッジコンピューティングやセンサーベースのアプリケーションに不可欠です。

これ以外にも、MRAMは商業用途での利用も拡大しており、そのスケーラビリティ、密度、および性能により、従来のフラッシュメモリやDRAMに取って代わりつつあります。
いくつかの産業は、磁気抵抗型RAMへの依存度を高めています。これは、優れた耐久性、高速の書き込みおよび読み取り速度、過酷な環境での信頼性などの優れた機能によるものです。MRAMは、リアルタイムのデータ処理およびミッションクリティカルなシステムを提供します。

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*** レポート目次(コンテンツ)***

磁気抵抗 RAM は、読み取り/書き込みサイクルが無限であり、一般的なフラッシュメモリとは一線を画すため、データ耐久性および完全性が重要な航空宇宙、防衛、医療機器など、さまざまな産業における長期用途に最適であると考えられています。

主な市場成長要因

  • 高速性能と不揮発性データ保存は、磁気抵抗 RAM の 2 つの大きな利点であり、このため、さまざまな用途で需要が高まっています。
  • データセンターと自動車システムは、瞬時起動性能と電源障害時のデータ保護を必要とするため、磁気抵抗RAMへの依存度が高まっています。
  • データセンターのワークロード増加に伴い、低遅延、高耐久性、エネルギー効率の高いメモリソリューションの需要が増加しており、これが磁気抵抗RAM市場の拡大に寄与しています。
  • 磁気抵抗 RAM は、SRAM や DRAM などの従来のメモリ技術に比べ、消費電力が低いため、需要が急速に伸びています。この RAM は、ウェアラブル、携帯電子機器、IoT ガジェットなどのバッテリー駆動のデバイスに最適です。
  • 磁気抵抗 RAM 市場の成長は、高度な自動車システムでの利用の増加によってさらに加速しています。これらの RAM は、コネクテッドカー、自動運転車、電気自動車に広く使用されています。
  • 磁気抵抗 RAM は、その優れた性能と高温耐性により、車載電子機器に最適な製品として人気が高まっています。

磁気抵抗 RAM の需要を生み出している要因は何ですか?

「先進的な自動車システムでの利用拡大が市場に好影響

磁気抵抗 RAM 市場の主な動向のひとつは、コネクテッドカー、自動運転車、電気自動車(EV)の利用拡大に伴い、先進的な自動車システムにおける要件が高まっていることです。これらの RAM は、リアルタイムデータ処理、エンターテイメントシステム、先進運転支援システム(ADAS)など、車載の重要な電子機器の信頼性の高い動作を保証する高速性能と不揮発性メモリを備えているため、自動車分野において重要性を増しています。

このほか、磁気抵抗 RAM は、高温、振動、電力変動に対する耐性に優れているため、信頼性と長寿命が要求される自動車用途に非常に適しています。磁気抵抗 RAM 業界の分析によると、自動車業界がよりスマートでエネルギー効率の高い車両へと移行する中、MRAM はその耐久性と信頼性から、次世代の自動車用メモリの最適な選択肢のひとつとなりつつあります。

磁気抵抗 RAM の採用を制限している要因は何ですか?

「DRAM および NAND フラッシュとの競争に関する課題」

磁気抵抗 RAM は、DRAM および NAND フラッシュのストレージ密度にはまだ及んでいません。MRAM は、速度、寿命、不揮発性において DRAM および NAND を上回っていますが、現在の技術では、大容量のストレージを効果的に提供することができていません。これらの欠点のため、磁気抵抗RAMは、コスト効率と高密度が重要な考慮事項となる「ビッグデータストレージ」を含むアプリケーションには適していません。

MRAMのメモリシステム主流への浸透は、高い製造コストにより阻害されており、価格感度が重要な市場での採用をさらに制限しています。

国別見通し

東アジアは、家電製品や自動車産業の需要が高いため、世界のマグネトロジック RAM 市場シェアの 35.7% を占めると予測されています。中国、日本、韓国は、IoT デバイス、電気自動車 (EV)、スマートフォンなどの生産で知られています。MRAM は、高速で低消費電力のメモリを提供しており、中国は製造とスマートシティプロジェクトの両方でリーダー的存在です。この地域には大手半導体メーカーが数多く存在することも、MRAM の利用をさらに後押ししています。

米国の磁気抵抗 RAM 産業の展望は?

「航空宇宙および防衛産業が、同国における市場拡大の主な要因となる」

属性 アメリカ市場価値(2024年予測) 1億1,739万米ドル 成長率(2024年から2034年)27.7% CAGR 予測価値(2034年予測) 13億6,000万米ドル

アメリカの航空宇宙および防衛産業では、過酷な環境に耐える能力から、磁気抵抗 RAM が重要な用途に広く使用されています。この産業では、軍事、防衛、宇宙用途で一般的な衝撃、放射線、および極端な高温または低温に耐えるメモリソリューションが必要です。

磁気抵抗 RAM は、その回復力と不揮発性により、過酷な状況下でもデータの信頼性と完全性を保証するため、これらの用途に最適であると考えられています。米国では、航空宇宙用途に加え、衛星システムや軍事用電子機器での人気が高まっており、物理的ストレスに対する回復力や電源不要のデータ保持機能も、その人気を後押ししています。

中国が主要な磁気抵抗RAMメーカーの注目を集めている理由とは?

「クラウドコンピューティングとデータセンターへの継続的な投資拡大」

中国はクラウドコンピューティングとデータセンターに大規模な投資を行う一方、独自の人工知能(AI)の確立にも取り組んでいます。これらすべては、高速かつ効果的なデータ処理のために高性能で非揮発性のメモリに依存しています。磁気抵抗 RAM は、低レイテンシと耐久性により、速度とデータ整合性が重要なこれらの用途に最適です。

MRAM などの信頼性の高いメモリソリューションの需要は、中国の先進的な製造への取り組みとスマートデバイスの普及により、さらに高まっています。このため、高速、スケーラブル、およびエネルギー効率に優れたメモリ技術の需要の高まりに対応するため、同国がこれらのハイテク産業を発展させていることから、磁気抵抗 RAM の重要性が増しています。

カテゴリー別の洞察

磁気抵抗 RAM の業界見通しによると、用途別では、航空宇宙および防衛産業における磁気抵抗 RAM の使用は、今後 10 年間で31.2% 増加すると予測されています。これは、アプリケーション分野において急成長しているカテゴリーです。その理由は、信頼性、高い耐久性、過酷な条件下での性能など、磁気抵抗 RAM の独自の特性にあります。

世界中で人気が高まっている磁気抵抗 RAM の種類は?

「自動車および航空宇宙分野に最適な、高い強度と信頼性」

その実証済みの信頼性と強度、そして過酷な環境下でも動作する能力により、トグル MRAM セグメントは引き続き大きな収益シェアを占めています。自動車、航空宇宙、産業分野における高い耐久性とデータ保持が要求されるアプリケーション向けに、トグル MRAM は高速読み取り/書き込み機能を備えた不揮発性メモリを提供しています。防衛システムや航空宇宙技術などのミッションクリティカルなアプリケーションでの採用が拡大しているのは、放射線や高温に耐える能力によるものです。

磁気抵抗 RAM 業界の分析によると、トグル MRAM は、性能低下なく無制限の読み取り/書き込みサイクルに耐えるため、フラッシュメモリなどの従来のメモリソリューションに代わる理想的な選択肢となりつつあります。安定性と強度が重要なアプリケーションでは、STT-MRAM などの新しい技術が開発されているにもかかわらず、トグル MRAM が業界標準の地位を維持しています。

磁気抵抗 RAM の民生用電子機器への応用が拡大している理由

「世界的な高速で信頼性の高いデバイスへの需要の高まりがMRAMの需要を増加させている」

磁気抵抗 RAM の利用は、今日のデバイスに必須とされる高速性能、低消費電力、不揮発性などの特徴から、家電業界で増加しています。スマートフォン、ウェアラブル、スマート家電などの家電製品の複雑化に伴い、メモリソリューションには、高速、信頼性、低消費電力がますます求められています。

これらの要因により、磁気抵抗 RAM は、従来のメモリに比べ、信頼性、起動時間、データ保持性能が優れており、バッテリー駆動のデバイスに最適な選択肢となっています。家電製品における RMAN の利用が拡大しているもう 1 つの理由は、IoT やスマートデバイスの利用拡大に伴い、リアルタイムデータのサポートと、小型でエネルギー効率に優れたフォームファクタでの長寿命化が求められていることです。

競争環境

磁気抵抗 RAM 市場の主要企業は、その性能、スケーラビリティ、互換性などの改善のために、研究開発活動への投資を増やしています。市場での競争優位性を維持するため、主要企業はこの要因にますます注力しています。幅広い産業での MRAM の利用を拡大するため、複数のメーカーが半導体メーカー、自動車メーカー、IoT ソリューションプロバイダーなどとの戦略的提携を結んでいます。

  • 2024年7月、世界トップクラスの磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)パーシステントメモリソリューションのメーカーであるQuickLogic CorporationとEverspin Technologies, Inc.は、新たな戦略的提携を発表しました。
  • 2022年1月、最先端の半導体技術のグローバルパイオニアであるSamsung Electronicsは、MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)をベースにした初のインメモリコンピュータシステムの実証実験に成功したと発表しました。

Fact.MR は、この新しい市場レポートで、世界中に拠点を置く磁気抵抗 RAM の主要メーカーの価格帯、売上成長、生産能力、および推測される技術拡大に関する詳細情報を提供しています。

磁気抵抗 RAM 市場調査のセグメント化

  • 種類別:
    • トグル MRAM
    • スピン転送トルク MRAM
  • 提供内容別:
    • スタンドアロン
    • 組み込み
  • 用途別:
    • 家電
    • ロボット
    • エンタープライズストレージ
    • 自動車
    • 航空宇宙および防衛
    • その他
  • 地域別:
  • 北米
  • 西ヨーロッパ
  • 東ヨーロッパ
  • 南米
  • 東アジア
  • 南アジアおよび太平洋

目次

  • 1. 概要
  • 2. 分類および市場定義を含む産業の紹介
  • 3. マクロ経済要因、市場動向、最近の産業動向を含む動向および成功要因
  • 4. 2019年から2023年の世界的な需要分析、および2024年から2034年の予測(過去の分析および将来予測を含む
  • 5. 価格分析
  • 6. 2019 年から 2023 年までのグローバル分析および 2024 年から 2034 年までの予測
    • 6.1. 種類
    • 6.2. 提供
    • 6.3. 用途
  • 7. 2019 年から 2023 年までのグローバル分析および 2024 年から 2034 年までの予測(種類別
    • 7.1. トグルMRAM
    • 7.2. スピン転送トルクMRAM
  • 8. 2019年から2023年までのグローバル分析および2024年から2034年までの予測(提供形態別)
    • 8.1. スタンドアロン
    • 8.2. 組み込み
  • 9. 2019年から2023年の世界分析および2024年から2034年の予測、用途別
    • 9.1. 家電
    • 9.2. ロボット
    • 9.3. エンタープライズストレージ
    • 9.4. 自動車
    • 9.5. 航空宇宙および防衛
  • 10. 2019年から2023年のグローバル分析および2024年から2034年の予測、地域別
    • 10.1. 北米
    • 10.2. 南米
    • 10.3. 西ヨーロッパ
    • 10.4. 南アジア
    • 10.5. 東アジア
    • 10.6. 東ヨーロッパ
    • 10.7. 中東およびアフリカ
  • 11. 2019年から2023年の北米の販売分析、および2024年から2034年の予測(主要セグメントおよび国別
  • 12. 2019年から2023年のラテンアメリカの販売分析、および2024年から2034年の予測(主要セグメントおよび国別
  • 13. 2019年から2023年の西ヨーロッパの売上分析、および2024年から2034年の予測(主要セグメントおよび国別
  • 14. 2019年から2023年の南アジアの売上分析、および2024年から2034年の予測(主要セグメントおよび国別
  • 15. 2019年から2023年の東アジアの売上分析、および2024年から2034年の予測(主要セグメントおよび国別
  • 16. 2019年から2023年の東ヨーロッパの売上分析、および2024年から2034年の予測(主要セグメントおよび国別
  • 17. 2019年から2023年の中東およびアフリカの売上分析、および2024年から2034年の予測、主要セグメントおよび国別
  • 18. 30カ国の種類、提供、および用途別の2024年から2034年の売上予測
  • 19. 市場構造分析、主要企業による企業シェア分析、および競争ダッシュボードを含む競争の見通し
  • 20. 会社概要
    • 20.1. Avalanche Technology
    • 20.2. Everspin Technologies
    • 20.3. GlobalFoundries
    • 20.4. Intel Corporation
    • 20.5. Micron Technology
    • 20.6. NVE Corporation
    • 20.7. Qualcomm
    • 20.8. Renesas Electronics
    • 20.9. Samsung Electronics
    • 20.10. Spin Transfer Technologies


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※当市場調査資料(FACT25JU0416 )"磁気抵抗型RAMのグローバル市場(2024-2034):トグル型MRAM、スピン転送型トルクMRAM" (英文:Magneto Resistive RAM Market Study by Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM for Consumer Electronics, Robotics, Enterprise Storage, Automotive, and Aerospace & Defense From 2024 to 2034)はFactMR社が調査・発行しており、H&Iグローバルリサーチが販売します。


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