1 当調査分析レポートの紹介
・SiCベースパワーエレクトロニクス市場の定義
・市場セグメント
タイプ別：SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiC SBD、その他（SiC JFET ＆ FET）
用途別：自動車＆EV/HEV、EV充電、産業用モーター/ドライブ、太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電、UPS、データセンター＆サーバー、鉄道輸送、その他
・世界のSiCベースパワーエレクトロニクス市場概観
・本レポートの特徴とメリット
・調査方法と情報源
調査方法
調査プロセス
基準年
レポートの前提条件と注意点
2 SiCベースパワーエレクトロニクスの世界市場規模
・SiCベースパワーエレクトロニクスの世界市場規模：2023年VS2030年
・SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高、展望、予測：2019年～2030年
・SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高：2019年～2030年
3 企業の概況
・グローバル市場におけるSiCベースパワーエレクトロニクス上位企業
・グローバル市場におけるSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高上位企業ランキング
・グローバル市場におけるSiCベースパワーエレクトロニクスの企業別売上高ランキング
・世界の企業別SiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・世界のSiCベースパワーエレクトロニクスのメーカー別価格（2019年～2024年）
・グローバル市場におけるSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高上位3社および上位5社、2023年
・グローバル主要メーカーのSiCベースパワーエレクトロニクスの製品タイプ
・グローバル市場におけるSiCベースパワーエレクトロニクスのティア1、ティア2、ティア3メーカー
グローバルSiCベースパワーエレクトロニクスのティア1企業リスト
グローバルSiCベースパワーエレクトロニクスのティア2、ティア3企業リスト
4 製品タイプ別分析
・概要
タイプ別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの世界市場規模、2023年・2030年
SiC MOSFETモジュール、SiC MOSFETディスクリート、SiC SBD、その他（SiC JFET ＆ FET）
・タイプ別 – SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高と予測
タイプ別 – SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高、2019年～2024年
タイプ別 – SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高、2025年～2030年
タイプ別-SiCベースパワーエレクトロニクスの売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
5 用途別分析
・概要
用途別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの世界市場規模、2023年・2030年
自動車＆EV/HEV、EV充電、産業用モーター/ドライブ、太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電、UPS、データセンター＆サーバー、鉄道輸送、その他
・用途別 – SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高と予測
用途別 – SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高、2019年～2024年
用途別 – SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高、2025年～2030年
用途別 – SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの価格（メーカー販売価格）、2019年～2030年
6 地域別分析
・地域別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの市場規模、2023年・2030年
・地域別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの売上高と予測
地域別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの売上高、2019年～2024年
地域別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの売上高、2025年～2030年
地域別 – SiCベースパワーエレクトロニクスの売上高シェア、2019年～2030年
・北米
北米のSiCベースパワーエレクトロニクス売上高・販売量、2019年～2030年
米国のSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
カナダのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
メキシコのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
・ヨーロッパ
ヨーロッパのSiCベースパワーエレクトロニクス売上高・販売量、2019年〜2030年
ドイツのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
フランスのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
イギリスのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
イタリアのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
ロシアのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
・アジア
アジアのSiCベースパワーエレクトロニクス売上高・販売量、2019年～2030年
中国のSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
日本のSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
韓国のSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
東南アジアのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
インドのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
・南米
南米のSiCベースパワーエレクトロニクス売上高・販売量、2019年～2030年
ブラジルのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
アルゼンチンのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
・中東・アフリカ
中東・アフリカのSiCベースパワーエレクトロニクス売上高・販売量、2019年～2030年
トルコのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
イスラエルのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
サウジアラビアのSiCベースパワーエレクトロニクス市場規模、2019年～2030年
UAESiCベースパワーエレクトロニクスの市場規模、2019年～2030年
7 主要メーカーのプロフィール
※掲載企業：STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、onsemi、BYD Semiconductor、Microchip (Microsemi)、Mitsubishi Electric (Vincotech)、Semikron Danfoss、Fuji Electric、Navitas (GeneSiC)、Toshiba、Qorvo (UnitedSiC)、San’an Optoelectronics、Littelfuse (IXYS)、CETC 55、WeEn Semiconductors、BASiC Semiconductor、SemiQ、Diodes Incorporated、SanRex、Alpha & Omega Semiconductor、Bosch、GE Aerospace、KEC Corporation、PANJIT Group、Nexperia、Vishay Intertechnology、Zhuzhou CRRC Times Electric、China Resources Microelectronics Limited、StarPower、Yangzhou Yangjie Electronic Technology、Guangdong AccoPower Semiconductor、Changzhou Galaxy Century Microelectronics、Hangzhou Silan Microelectronics、Cissoid
・Company A
Company Aの会社概要
Company Aの事業概要
Company AのSiCベースパワーエレクトロニクスの主要製品
Company AのSiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル販売量・売上
Company Aの主要ニュース＆最新動向
・Company B
Company Bの会社概要
Company Bの事業概要
Company BのSiCベースパワーエレクトロニクスの主要製品
Company BのSiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル販売量・売上
Company Bの主要ニュース＆最新動向
…
…
8 世界のSiCベースパワーエレクトロニクス生産能力分析
・世界のSiCベースパワーエレクトロニクス生産能力
・グローバルにおける主要メーカーのSiCベースパワーエレクトロニクス生産能力
・グローバルにおけるSiCベースパワーエレクトロニクスの地域別生産量
9 主な市場動向、機会、促進要因、抑制要因
・市場の機会と動向
・市場の促進要因
・市場の抑制要因
10 SiCベースパワーエレクトロニクスのサプライチェーン分析
・SiCベースパワーエレクトロニクス産業のバリューチェーン
・SiCベースパワーエレクトロニクスの上流市場
・SiCベースパワーエレクトロニクスの下流市場と顧客リスト
・マーケティングチャネル分析
マーケティングチャネル
世界のSiCベースパワーエレクトロニクスの販売業者と販売代理店
11 まとめ
12 付録
・注記
・クライアントの例
・免責事項
・SiCベースパワーエレクトロニクスのタイプ別セグメント
・SiCベースパワーエレクトロニクスの用途別セグメント
・SiCベースパワーエレクトロニクスの世界市場概要、2023年
・主な注意点
・SiCベースパワーエレクトロニクスの世界市場規模：2023年VS2030年
・SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高：2019年～2030年
・SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル販売量：2019年～2030年
・SiCベースパワーエレクトロニクスの売上高上位3社および5社の市場シェア、2023年
・タイプ別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高
・タイプ別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・タイプ別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル価格
・用途別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高
・用途別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・用途別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル価格
・地域別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高、2023年・2030年
・地域別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高シェア、2019年 VS 2023年 VS 2030年
・地域別-SiCベースパワーエレクトロニクスのグローバル売上高シェア、2019年～2030年
・国別-北米のSiCベースパワーエレクトロニクス市場シェア、2019年～2030年
・米国のSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・カナダのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・メキシコのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・国別-ヨーロッパのSiCベースパワーエレクトロニクス市場シェア、2019年～2030年
・ドイツのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・フランスのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・英国のSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・イタリアのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・ロシアのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・地域別-アジアのSiCベースパワーエレクトロニクス市場シェア、2019年～2030年
・中国のSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・日本のSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・韓国のSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・東南アジアのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・インドのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・国別-南米のSiCベースパワーエレクトロニクス市場シェア、2019年～2030年
・ブラジルのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・アルゼンチンのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・国別-中東・アフリカSiCベースパワーエレクトロニクス市場シェア、2019年～2030年
・トルコのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・イスラエルのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・サウジアラビアのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・UAEのSiCベースパワーエレクトロニクスの売上高
・世界のSiCベースパワーエレクトロニクスの生産能力
・地域別SiCベースパワーエレクトロニクスの生産割合（2023年対2030年）
・SiCベースパワーエレクトロニクス産業のバリューチェーン
・マーケティングチャネル
| ※参考情報 SiCベースパワーエレクトロニクスは、シリコンカーバイド（SiC）を用いた電力変換技術を指します。シリコンは長年にわたり主流な半導体材料として利用されてきましたが、SiCはその物理的特性から優れたパフォーマンスを提供します。SiCは高電圧、高温、高周波数領域での動作が可能であり、特にパワーエレクトロニクスの分野ではその利点が顕著です。 この技術の定義として、SiCはバンドギャップが広い半導体材料であるため、高温環境下でも安定した動作ができるという特性があります。また、SiCは電子の移動度が高く、より高い温度でも動作することが可能なため、より高効率でコンパクトなデザインが可能です。このため、SiCベースのパワーエレクトロニクスは、クリーンエネルギーや電動輸送の分野で特に期待されています。 SiCベースパワーエレクトロニクスの主な特徴としては、以下のような点が挙げられます。まず第一に、高温耐性があるため、冷却システムの必要性が減少し、システム全体の効率を向上させることができます。第二に、低いオン抵抗を有し、スイッチング損失が少なくなるため、エネルギー効率が向上します。第三に、高い耐電圧性があるため、大電力アプリケーションにも適しています。 SiCベースパワーエレクトロニクスには、さまざまな種類のデバイスが存在します。例えば、SiC MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、スイッチング素子として非常に人気があります。このデバイスは、電力変換の効率を部品単体で数十パーセント向上させることが可能です。次に、SiC Schottkyバリアダイオードは、高速なスイッチングが可能で、適用先としてはDC-DCコンバータなどが挙げられます。また、SiC JFET（Junction Field-Effect Transistor）は、さらなる高効率を実現するために開発されたデバイスで、より高いブレークダウン電圧に耐えることができます。 用途について、SiCベースパワーエレクトロニクスは多岐にわたります。特に再生可能エネルギーシステム、電車や 電気自動車の推進システム、サーバーやデータセンターの電源供給をはじめ、航空宇宙産業、工業用機械、家庭用電化製品など様々な分野での導入が進んでいます。これにより、エネルギー効率の向上だけでなく、全体的なコスト削減にも貢献しています。 さらに、SiC技術の進歩に関連するさまざまな技術も存在します。一例として、モジュール設計技術があり、複数のSiCデバイスを組み合わせて効率的なパワーエレクトロニクスシステムを構成することが可能です。また、パワーエレクトロニクスシステム全体の熱管理技術も重要であり、パフォーマンスを最大限に引き出すための冷却技術や材料が求められています。 最近のトレンドとしては、より小型化・軽量化を追求する動きがあります。これは、電動車両や航空機の軽量化需要に応じており、SiCデバイスの集積化や高機能化が求められています。これにより、単一のデバイスで多機能を持たせることができ、システム全体の小型化にも寄与します。 環境への配慮も重要なテーマとして浮上しています。SiC技術は、電力変換効率を向上させることで、エネルギー消費を削減し、温室効果ガスの排出削減に寄与します。特に、再生可能エネルギーとの相性が良く、太陽光発電や風力発電においてもそのメリットが生かされています。 このように、SiCベースパワーエレクトロニクスの発展は、新しい技術的革新をもたらし、エネルギー効率の向上や環境負荷の削減に貢献しています。これからの時代において、SiCデバイスやその関連技術はますます重要な役割を果たすことでしょう。今後も関心を持ち続け、その進化を見守ることが必要です。 |
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