2025年10月23日
H&Iグローバルリサーチ（株）
*****「ガリウムヒ素部品のグローバル市場（2025年～2029年）：種類別（LEC成長GaAs、VGF成長GaAs）」産業調査レポートを販売開始 *****
H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、この度、Technavio社が調査・発行した「ガリウムヒ素部品のグローバル市場（2025年～2029年）：種類別（LEC成長GaAs、VGF成長GaAs）」市場調査レポートの販売を開始しました。ガリウムヒ素部品の世界市場規模、市場動向、市場予測、関連企業情報などが含まれています。
***** 調査レポートの概要 *****
- 市場の全体像と成長要因
世界のガリウムヒ素（GaAs）部品市場は、2024～2029年にかけて37億7,000万ドル増加し、**年平均成長率6.4％**で拡大が予測されている。スマートフォンやタブレットの普及、4G／5Gネットワークの拡張、通信量の爆発的増加が、半導体需要を牽引している。GaAsは高電子移動度と高飽和速度を特徴とし、無線通信・光通信の中核デバイスである。
1.1 技術進展と応用範囲の拡大
GaAsは、低雑音増幅器（LNA）、パワーアンプ、RFミキサ、スイッチなどの主要無線通信部品に使用され、また光電子デバイス（LED、レーザーダイオード）にも不可欠な素材として成長している。製造ではVGF技術やプラズマエッチングが欠かせず、精密加工技術の発展が高性能デバイス実現を支えている。航空宇宙産業でも高電圧・高周波対応のパワーアンプ用材料として需要が増している。
1.2 市場成長を促すマクロトレンド
- 通信ネットワークの多層化：小型基地局や衛星通信の拡大によりGaAs需要が急増。
- 光通信とセンサの融合：レーザーダイオードやVCSELなど、光デバイスへの応用が広がる。
- デバイス小型化と効率化：ウェハサイズの縮小と高集積化がコスト効率を高め、より多用途化を促進。
1.3 成長の制約要因
通信分野では、特定材料やプロセスに対する規制が厳しく、製造工程の複雑化とコスト増加を招いている。また、シリコン系代替デバイスの台頭が一部用途で競合し、GaAsの採用を圧迫する。市場の成長維持には、規制対応・サプライチェーン強化・技術革新の3要素が不可欠である。
- 技術・製品別動向
GaAs市場は、製造技術（LEC成長・VGF成長）と応用製品（光電子・RF）で構成される。
2.1 製造技術の比較
- LEC成長GaAs：半絶縁性単結晶の量産性に優れ、2024年時点で主流技術。RFおよび光電子分野の基幹材料として安定的に利用される。
- VGF成長GaAs：品質均一性とスケーラビリティを改善し、コスト効率を高める技術。今後の製造最適化の中心とみられる。
両技術は補完的関係にあり、短期的にはLECが市場を支え、中長期的にはVGFがコスト削減と品質改善を主導する構図となっている。
2.2 製品カテゴリと用途分野
GaAsデバイスは以下の主要カテゴリーに分類される：
- 光電子デバイス：発光ダイオード（LED）、レーザーダイオード、光センサ、フォトダイオード。
- RF部品：パワーアンプ、低雑音アンプ、ミキサ、スイッチ、フィルタ、デュプレクサ。
これらは通信機器、スマートフォン、無線基地局、航空宇宙、レーダー、医療・産業機器に幅広く応用されている。
2.3 材料技術と工程革新
GaAsウェハ製造では、インジウムやリンなどのドーパントが高性能化に寄与する。特にプラズマエッチング技術の進展は、デバイス寸法の微細化を可能にし、信号遅延や電力損失を低減する。工程の最適化により、コスト削減と品質安定の両立が実現しつつある。
- 産業別・地域別の市場分析
3.1 用途別需要構造
- モバイルデバイス分野：スマートフォンやタブレットに搭載されるRFモジュールが最大の需要源。マルチバンド対応や高周波化がGaAs採用を押し上げている。
- ワイヤレス通信分野：基地局、Wi-Fiルーター、衛星通信機器などのインフラ需要が堅調。5Gから6Gへの移行に向けた高出力・高効率デバイスの採用が加速。
- その他分野：産業機器、医療用センサ、軍事・航空宇宙用途など。高耐環境性・信頼性の高さから特殊分野での存在感を維持。
3.2 地域別市場構造
- アジア太平洋：市場全体の約80％を占め、世界の製造・消費両面を主導。中国・台湾・韓国・日本に主要企業が集中。
- 北米：高信頼デバイスの研究開発拠点。通信衛星や防衛向けの需要が堅調。
- 欧州：自動車・航空宇宙分野での採用が進み、環境規制対応型のGaAs技術開発に注力。
- その他地域：中東・アフリカ・南米では通信インフラ整備の進展が今後の成長要因。
3.3 競争環境
市場は複数の大手半導体企業によって支配されている。主要プレイヤーは、先端製造プロセス、パッケージング技術、供給網最適化を通じて競争優位を確立している。価格競争だけでなく、高周波・低損失設計、熱管理、信頼性保証などの要素が企業評価の鍵となっている。
- 市場課題と戦略的対応
4.1 規制対応とコスト管理
通信規格の高度化に伴い、製造材料や化学プロセスへの規制が厳格化している。環境基準・輸出規制の双方をクリアするためには、代替材料開発と生産ライン自動化の両輪が求められる。企業は規制順守コストを設計段階で織り込み、リスク分散を図る戦略へ移行している。
4.2 代替技術との競争
シリコンやガリウムナイトライド（GaN）など、競合素材が台頭している。特にGaNは高出力・高耐圧で優れるため、基地局アンプや車載用パワーデバイス分野での競争が激化している。GaAsメーカーは、高周波特性とコストパフォーマンスのバランスを最適化し、ニッチ領域での強みを活かす必要がある。
4.3 サプライチェーン最適化
パンデミック以降、材料供給の不安定化が顕在化した。GaAs市場では、単結晶基板・エピタキシャル層・金属化プロセスなど、サプライチェーンの垂直統合が進められている。地域分散化によるリスク分散と在庫最適化が中長期的テーマである。
- 成長戦略と今後の展望
5.1 技術革新の方向性
今後の焦点は、
- 3D集積とマルチチップ統合による高密度化、
- AI／IoT向け高周波デバイスの設計、
- フォトニクス統合（光電子×RFの融合）、
- 低消費電力プロセス・自動化製造ラインの確立
に向けられる。
これらの技術は、スマートデバイス、クラウドコンピューティング、次世代通信インフラの要件に直結し、GaAsの重要性をさらに高める。
5.2 地域戦略
アジア太平洋地域は生産拠点としての地位を固めつつ、設計・研究機能も拡充している。各国政府の半導体支援政策が相次ぎ、国内生産比率向上が図られている。一方、北米・欧州は高信頼・高付加価値製品に集中し、防衛・航空宇宙・衛星通信で差別化を進める構図が見込まれる。
5.3 企業戦略と差別化
企業は、
- 規制遵守と持続可能性を重視したグリーンプロセス開発、
- 顧客共同開発による製品仕様最適化、
- M&Aや技術提携によるポートフォリオ強化
などで競争優位を確保しようとしている。
5.4 将来展望
市場は今後5年間で堅調な成長を続け、モバイル・ワイヤレス通信の次世代化、光通信需要の拡大、衛星・防衛用途の高付加価値化が重なることで、GaAs部品は「高性能×信頼性」の象徴的デバイスとして位置づけられていく見通しである。
総括
ガリウムヒ素部品市場は、RFおよび光電子デバイスの両輪で拡大を続ける成長分野である。成長率6.4％という数字は、素材科学・製造技術・通信インフラ整備が一体となった結果であり、短期的課題（コスト・規制・競争）を克服すれば、GaAsは次世代エレクトロニクスの中核を担うポジションを確実に維持するだろう。
***** 調査レポートの目次(一部抜粋) *****
- はじめに
1.1 調査目的と範囲
1.2 対象地域・対象期間（2025–2029）
1.3 市場定義・区分（種類別・用途別・地域別）
1.4 調査手法・情報源・統計前提
- エグゼクティブサマリー
2.1 世界市場規模・成長率（2024–2029）
2.2 成長要因と市場課題
2.3 各地域別・用途別の要点
2.4 競争環境のハイライト
- 市場概要
3.1 GaAsの特性と産業的重要性
3.2 技術進化（LEC成長・VGF成長・プラズマエッチング）
3.3 GaAsサプライチェーン構造
3.4 主要用途とエンドユーザー構成
- 市場動向分析
4.1 成長促進要因
・スマートデバイスおよび5G通信の拡大
・光電子・RF応用の高度化
・半導体技術進展と自動化の波
4.2 抑制要因
・製造コスト上昇と複雑化
・環境規制とプロセス制約
4.3 市場機会
・航空宇宙・防衛分野での高出力需要
・低消費電力・高効率材料の革新
4.4 市場課題
・代替デバイス（Si・GaN）との競争
・供給網の地政学的リスク
- 技術別分析
5.1 LEC成長GaAs市場概況
5.2 VGF成長GaAs市場概況
5.3 技術的比較（コスト・歩留まり・品質）
5.4 今後の製造最適化動向
- 用途別分析
6.1 モバイル通信機器
6.2 ワイヤレス通信インフラ
6.3 光電子デバイス（LED・レーザーダイオード・フォトダイオード）
6.4 航空宇宙・防衛
6.5 医療・産業用電子機器
- 製品別市場分析
7.1 発光ダイオード（LED）
7.2 レーザーダイオード
7.3 トランジスタおよびパワーアンプ
7.4 フィルタ・デュプレクサ
7.5 ミキサおよびスイッチ
7.6 太陽電池およびエネルギーデバイス
7.7 その他半導体IC製品
- 産業別市場分析
8.1 通信・スマートデバイス
8.2 データセンター・クラウドネットワーク
8.3 航空宇宙・防衛
8.4 自動車・交通関連電子
8.5 医療・産業用装置
- 地域別市場分析
9.1 北米市場（米国・カナダ・メキシコ）
・主要ベンダーと需要構造
・防衛・衛星通信分野での成長
9.2 欧州市場（ドイツ・英国ほか）
・環境規制と高信頼デバイス需要
・自動車・航空電子応用の進展
9.3 アジア太平洋市場（中国・日本・韓国・台湾・インド・オーストラリア）
・世界生産の中核地域
・5G・スマートフォン需要の集中
9.4 その他地域（南米・中東・アフリカ）
・通信インフラ拡張による新興需要
- 価格動向とコスト構造
10.1 製造コスト構成（材料・工程・設備）
10.2 ウェハーサイズ縮小とコスト効率化
10.3 地域別コスト比較
10.4 将来的コスト最適化シナリオ
- 競争環境分析
11.1 市場シェアと主要企業マッピング
11.2 技術提携・M&A動向
11.3 新興プレイヤーの参入状況
11.4 競争優位性分析（SWOT）
- 主な企業プロファイル
12.1 Advanced Micro Devices, Inc.
12.2 Analog Devices, Inc.
12.3 Broadcom Inc.
12.4 Qorvo, Inc.
12.5 Skyworks Solutions, Inc.
12.6 Sumitomo Electric Industries, Ltd.
12.7 MACOM Technology Solutions
12.8 II-VI Incorporated
12.9 その他有力企業（GaAs材料・エピタキシャルメーカー含む）
・企業概要
・主要製品・技術ポートフォリオ
・研究開発・投資動向
・地域展開・提携状況
- 市場構造・サプライチェーン分析
13.1 原材料供給ネットワーク
13.2 ファウンドリ・OSAT企業との関係
13.3 縦割り型／水平分業型モデルの比較
13.4 地政学リスクと供給多様化戦略
- 規制・環境要因
14.1 各地域の規制概要
14.2 環境・安全基準（RoHS、REACHなど）
14.3 輸出入・通商政策の影響
14.4 持続可能な製造と廃棄プロセス
- 市場予測とシナリオ分析
15.1 世界市場予測（2025–2029）
15.2 地域別・用途別・製品別成長率
15.3 成熟市場と新興市場の対比
15.4 業界再編と技術融合シナリオ
- リスク分析と課題
16.1 原材料価格変動リスク
16.2 政治・貿易リスク
16.3 技術標準の不統一
16.4 知的財産・技術流出問題
- 今後の成長戦略
17.1 製造自動化とAI設計支援
17.2 サステナブル材料開発
17.3 顧客共同開発・長期供給契約戦略
17.4 地域戦略とローカル生産化
17.5 投資・資本提携動向
- 今後の展望と提言
18.1 短期（2025–2026）：コスト最適化フェーズ
18.2 中期（2027–2028）：通信・光電子統合化期
18.3 長期（2029以降）：AI／フォトニクス融合による新市場創出
18.4 政策支援・規制緩和の影響評価
- 付録
19.1 用語集・略語一覧
19.2 調査手法の詳細
19.3 データ出典と仮定条件
19.4 免責事項
※「ガリウムヒ素部品のグローバル市場（2025年～2029年）：種類別（LEC成長GaAs、VGF成長GaAs）」調査レポートの詳細紹介ページ
⇒https://www.marketreport.jp/gallium-arsenide-components-market
※その他、Technavio社調査・発行の市場調査レポート一覧
⇒https://www.marketreport.jp/technavio-reports-list
***** H&Iグローバルリサーチ（株）会社概要 *****
・本社所在地：〒104-0033 東京都中央区新川1-6-12
・TEL：03-6555-2340 E-mail：pr@globalresearch.co.jp
・事業内容：市場調査レポート販売、委託調査サービス、情報コンテンツ企画、経営コンサルティング
・ウェブサイト：https://www.globalresearch.co.jp
・URL：https://www.marketreport.jp/gallium-arsenide-components-market
