カテゴリ： IMARC, IT/電子, 世界

SRAM・ROM設計IPのグローバル市場：SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ）、ROM（読み取り専用メモリ)

■ 英語タイトル：SRAM and ROM Design IP Market Report by Type (SRAM (Static Random Access Memory), ROM (Read-Only Memory)), and Region 2023-2028

調査会社IMARC社が発行したリサーチレポート（データ管理コード：IMARC23DCB0433）■ 発行会社/調査会社：IMARC
■ 商品コード：IMARC23DCB0433
■ 発行日：2023年11月
   最新版(2025年又は2026年)版があります。お問い合わせください。
■ 調査対象地域：グローバル
■ 産業分野：電子・半導体
■ ページ数：140
■ レポート言語：英語
■ レポート形式：PDF
■ 納品方式：Eメール
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*** レポート概要（サマリー）***

世界のSRAM・ROM設計IP市場規模は、2022年に646.4百万ドルに達しました。今後、IMARC Groupは、2022年から2028年にかけて3.0%の成長率（CAGR）を示し、2028年には712.1百万ドルに達すると予測しています。中小企業や大企業におけるクラウド・ストレージ・ソリューションの採用拡大、半導体製造における技術進歩、巨大データを扱うデータセンターにおける需要の高まりなどが、市場を牽引する主要因のひとつです。
スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）設計知的財産（IP）は、電子システム用に設計されたメモリ技術です。電力が供給されている限りデータを保存する揮発性メモリです。ビットのデータを、2つのクロス・カップリング・インバータを介して4つのトランジスタに格納します。高速動作が可能で、データをリフレッシュする必要がない。マイクロプロセッサやその他の高速アプリケーションのキャッシュメモリとして広く利用されています。一方、読み出し専用メモリ（ROM）設計IPは、あらかじめプログラムされたデータを格納する不揮発性メモリです。ランダム・アクセス・メモリ（RAM）に比べてテストが容易で、信頼性も高い。ROMは、読み出しのみ可能で変更できないデータや情報を格納します。このほか、電子システムのファームウェア、ブートコード、その他の固定データの保存にも利用されます。

SRAM・ROM設計IPの市場動向
現在、世界中の中小企業や大企業でクラウド・ストレージ・ソリューションの採用が増加していることが、市場の成長を促す重要な要因の1つとなっています。これに加えて、モノのインターネット（IoT）デバイスの利用増加による効率的なストレージと処理に対する需要の高まりが、市場にプラスの影響を与えています。さらに、低消費電力で高密度のストレージ・ソリューションの採用が増加していることも、市場の成長を後押ししています。これとは別に、大量のデータをスムーズに処理するためのデータセンターでの需要の増加が、市場の成長を促進しています。また、性能向上と消費電力削減を実現するためのノードサイズの小型化や革新的なメモリアーキテクチャなど、半導体製造における技術進歩も市場の成長に寄与しています。さらに、高性能メモリ・ソリューションの需要増加を背景に、SRAM・ROM設計IPの採用が増加していることも、市場の見通しを良好なものにしています。これに伴い、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）よりも高速なSRAMの採用が増加しており、市場の成長を支えています。さらに、高度なワイヤレスネットワークの導入によるSRAM・ROM設計IPの需要増加が、業界の投資家に有利な成長機会を提供しています。

主な市場セグメンテーション
IMARC Groupは、世界のSRAM・ROM設計IP市場の各セグメントにおける主要動向の分析と、2023年から2028年までの世界、地域、国レベルでの予測を提供しています。当レポートでは、市場をタイプ別に分類しています。

タイプ別
SRAM（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）
ROM（リードオンリーメモリ）

本レポートでは、SRAM・ROM設計IP市場をタイプ別に詳細に分類・分析しています。これにはSRAM（スタティックランダムアクセスメモリ）とROM（リードオンリーメモリ）が含まれます。同レポートによると、SRAM（スタティックランダムアクセスメモリ）が最大セグメントを占めています。

地域別
北米
米国
カナダ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
イギリス
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東・アフリカ

また、北米（米国、カナダ）、アジア太平洋（中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、インドネシア、その他）、欧州（ドイツ、フランス、英国、イタリア、スペイン、ロシア、その他）、中南米（ブラジル、メキシコ、その他）、中東・アフリカを含む主要地域市場についても包括的な分析を行っています。同レポートによると、アジア太平洋地域はSRAM・ROM設計IPの最大市場です。アジア太平洋地域のSRAM・ROM設計IP市場を牽引する要因としては、電子製品の利用拡大、さまざまな企業におけるメモリソリューションの採用増加、主要市場プレイヤーの存在などが挙げられます。

競争環境
本レポートでは、世界のSRAM・ROM設計IP市場における競争環境についても包括的に分析しています。主要企業の詳細なプロフィールを掲載しています。対象企業には、Advanced Micro Devices Inc.、Dolphin Technology Inc.、Renesas Electronics Corporation、Surecore Limited、Synopsys Inc.などが含まれます。なお、本レポートは一部の企業リストであり、完全なリストは本レポートに記載されています。

本レポートで扱う主な質問
世界のSRAM・ROM設計IP市場はこれまでどのように推移し、今後どのように推移していくのか？
世界のSRAM・ROM設計IP市場における促進要因、阻害要因、機会は何か？
各駆動要因、阻害要因、機会が世界のSRAM・ROM設計IP市場に与える影響は？
主要地域市場とは？
SRAM・ROM設計IP市場で最も魅力的な国は？
市場のタイプ別内訳は？
SRAM・ROM設計IP市場で最も魅力的なタイプは？
世界のSRAM・ROM設計IP市場の競争構造は？
SRAM・ROM設計IPの世界市場における主要プレイヤー/企業は？

1. 序論
2. 範囲・調査手法
3. エグゼクティブサマリー
4. イントロダクション
5. 世界のSRAM・ROM設計IP市場
6. SRAM・ROM設計IPの世界市場規模：種類別
7. SRAM・ROM設計IPの世界市場規模：地域別
8. SWOT分析
9. バリューチェーン分析
10. ファイブフォース分析
11. 価格分析
12. 競争状況

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*** レポート目次（コンテンツ）***

1 序文
2 調査範囲と方法論
2.1 調査の目的
2.2 ステークホルダー
2.3 データソース
2.3.1 一次情報源
2.3.2 二次情報源
2.4 市場推計
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主要な業界動向
5 世界のSRAMおよびROM設計IP市場
5.1 市場概要
5.2 市場動向
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 タイプ別市場内訳
6.1 SRAM（スタティックランダムアクセスメモリ）
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 ROM（リードオンリーメモリ）
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 地域別市場内訳
7.1 北米
7.1.1 アメリカ合衆国
7.1.1.1 市場動向
7.1.1.2 市場予測
7.1.2 カナダ
7.1.2.1 市場動向
7.1.2.2 市場予測
7.2 アジア太平洋地域
7.2.1 中国
7.2.1.1 市場動向
7.2.1.2 市場予測
7.2.2 日本
7.2.2.1 市場動向
7.2.2.2 市場予測
7.2.3 インド
7.2.3.1 市場動向
7.2.3.2 市場予測
7.2.4 韓国
7.2.4.1 市場動向
7.2.4.2 市場予測
7.2.5 オーストラリア
7.2.5.1 市場動向
7.2.5.2 市場予測
7.2.6 インドネシア
7.2.6.1 市場動向
7.2.6.2 市場予測
7.2.7 その他
7.2.7.1 市場動向
7.2.7.2 市場予測
7.3 ヨーロッパ
7.3.1 ドイツ
7.3.1.1 市場動向
7.3.1.2 市場予測
7.3.2 フランス
7.3.2.1 市場動向
7.3.2.2 市場予測
7.3.3 イギリス
7.3.3.1 市場動向
7.3.3.2 市場予測
7.3.4 イタリア
7.3.4.1 市場動向
7.3.4.2 市場予測
7.3.5 スペイン
7.3.5.1 市場動向
7.3.5.2 市場予測
7.3.6 ロシア
7.3.6.1 市場動向
7.3.6.2 市場予測
7.3.7 その他
7.3.7.1 市場動向
7.3.7.2 市場予測
7.4 ラテンアメリカ
7.4.1 ブラジル
7.4.1.1 市場動向
7.4.1.2 市場予測
7.4.2 メキシコ
7.4.2.1 市場動向
7.4.2.2 市場予測
7.4.3 その他
7.4.3.1 市場動向
7.4.3.2 市場予測
7.5 中東およびアフリカ
7.5.1 市場動向
7.5.2 国別市場内訳
7.5.3 市場予測
8つの推進要因制約と機会
8.1 概要
8.2 推進要因
8.3 制約
8.4 機会
9 バリューチェーン分析
10 ポーターのファイブフォース分析
10.1 概要
10.2 買い手の交渉力
10.3 サプライヤーの交渉力
10.4 競争の度合い
10.5 新規参入の脅威
10.6 代替品の脅威
11 価格分析
12 競争環境
12.1 市場構造
12.2 主要プレーヤー
12.3 主要プレーヤーのプロフィール
12.3.1 Advanced Micro Devices Inc.
12.3.1.1 会社概要
12.3.1.2 製品ポートフォリオ
12.3.1.3 財務状況
12.3.1.4 SWOT分析
12.3.2 ドルフィンテクノロジーInc.
12.3.2.1 会社概要
12.3.2.2 製品ポートフォリオ
12.3.3 ルネサス エレクトロニクス株式会社
12.3.3.1 会社概要
12.3.3.2 製品ポートフォリオ
12.3.3.3 財務状況
12.3.3.4 SWOT分析
12.3.4 Surecore Limited
12.3.4.1 会社概要
12.3.4.2 製品ポートフォリオ
12.3.5 Synopsys Inc.
12.3.5.1 会社概要
12.3.5.2 製品ポートフォリオ
12.3.5.3 財務状況
12.3.5.4 SWOT分析
なお、これは企業の一部のみを記載したものであり、完全なリストはレポートに記載されています。

図1：世界のSRAMおよびROM設計IP市場：主な推進要因と課題
図2：世界のSRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年～2022年
図3：世界のSRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023年～2028年
図4：世界のSRAMおよびROM設計IP市場：タイプ別内訳（%）、2022年
図5：世界のSRAMおよびROM設計IP市場：地域別内訳（%）、2022年
図6：世界のSRAMおよびROM設計IP（SRAM（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ））市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図7：世界のSRAMおよびROM設計IP（SRAM（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ））市場予測：売上高（百万米ドル） 2023～2028年
図8：世界：SRAMおよびROM設計IP（ROM（読み出し専用メモリ））市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図9：世界：SRAMおよびROM設計IP（ROM（読み出し専用メモリ））市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図10：北米：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図11：北米：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図12：米国：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図13：米国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）百万米ドル）、2023～2028年
図14：カナダ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図15：カナダ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図16：アジア太平洋地域：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図17：アジア太平洋地域：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図18：中国：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図19：中国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、 2023～2028年
図20：日本：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図21：日本：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図22：インド：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図23：インド：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図24：韓国：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図25：韓国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図26：オーストラリア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図27：オーストラリア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図28：インドネシア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図29：インドネシア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図30：その他：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図31：その他：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図32：欧州：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）百万米ドル）、2017年および2022年
図33：欧州：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図34：ドイツ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図35：ドイツ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図36：フランス：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図37：フランス：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図38：英国：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図39：英国：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図40：イタリア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図41：イタリア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図42：スペイン：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図43：スペイン：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図44：ロシア：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図45：ロシア：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図46：その他：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図47：その他：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図48：ラテンアメリカ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図49：ラテンアメリカ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図50：ブラジル：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図51：ブラジル：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル） 2023～2028年
図52：メキシコ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図53：メキシコ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図54：その他：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図55：その他：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図56：中東およびアフリカ：SRAMおよびROM設計IP市場：売上高（百万米ドル）、2017年および2022年
図57：中東およびアフリカ：SRAMおよびROM設計IP市場：国別内訳（％）、2022年
図58：中東およびアフリカ：SRAMおよびROM設計IP市場予測：売上高（百万米ドル）、2023～2028年
図59：世界：SRAMおよびROM設計IP業界：推進要因、制約要因、機会
図60：世界：SRAMおよびROM設計IP業界：バリューチェーン分析
図61：世界：SRAMおよびROM設計IP業界：ポーターのファイブフォース分析

表1：世界のSRAMおよびROM設計IP市場：主要な業界動向（2022年および2028年）
表2：世界のSRAMおよびROM設計IP市場予測：タイプ別内訳（百万米ドル）、2023～2028年
表3：世界のSRAMおよびROM設計IP市場予測：地域別内訳（百万米ドル）、2023～2028年
表4：世界のSRAMおよびROM設計IP市場：競争構造
表5：世界のSRAMおよびROM設計IP市場：主要プレーヤー
※参考情報

SRAM（Static Random Access Memory）とROM（Read-Only Memory）は、デジタルデバイスにおけるメモリの重要な要素であり、特に集積回路（IC）の設計においては欠かせない部分です。SRAMはデータを電源が供給されている間保存し続ける揮発性メモリであり、即時の読み書きが可能です。一方で、ROMはその名の通り、通常は書き換えができない不揮発性メモリであり、特定のデータやプログラムを永続的に保存するために使用されます。
SRAMの設計は、主に高いアクセス速度と低い消費電力を求められる環境で使用されます。SRAMは、キャッシュメモリやレジスタファイルとして使われることが多く、プロセッサの性能を向上させるための基本的な要素です。多くのSRAM設計は、6トランジスタ（6T）セルを使用し、安定したデータ保持能力を持つのが特徴です。また、SRAM設計には、ワードラインやビットラインの選択、センスアンプの設計、レイアウト技術など多くの考慮すべき点があります。

一方で、ROMは主にファームウェアやブートストラップコード、設定データを保存するために使用されます。ROMの設計には、マスクROM、PROM、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリなど、さまざまなタイプがあります。マスクROMは量産時にデータが焼き込まれるため、書き換えができませんが、高い容量とコスト効果があります。PROM（Programmable ROM）は初期状態ではデータが書き込まれておらず、必要に応じて書き込むことができます。EPROM（Erasable Programmable ROM）は紫外線で消去することができ、EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）は電気的にデータの消去と書き込みが可能です。さらに、フラッシュメモリはEEPROMの一種で、データの大規模な保存が可能であり、現在の多くのデバイスに採用されています。

SRAMとROMは、それぞれ異なる特徴と利点を持ちつつ、デジタル回路設計において互いに補完し合っています。SRAMは迅速なアクセスが求められる用途に向いており、主にプロセッサやキャッシュとして使用されますが、ROMは初期化や設定の永続性が求められる用途において非常に重要です。

これらのメモリタイプの設計IP（Intellectual Property）は、高度化するデジタルシステムのニーズに応じて開発され、さまざまなライブラリやツールが提供されています。設計IPは、設計者が特定の機能や性能を持つSRAMやROMを迅速に実装できるようにするためのもので、設計時間の短縮とコスト削減につながります。

また、SRAMとROMの設計に関連する技術としては、プロセス技術、レイアウト設計、シミュレーション技術などがあります。これらの技術は、メモリの性能を向上させるための重要な要素であり、各種のデザインルールや製造法が開発され続けています。たとえば、FinFETトランジスタ技術やSOI（Silicon On Insulator）技術などがSRAMやROMの性能向上に寄与しています。

今後のテクノロジーの進展に伴い、これらのメモリデバイスはさらなる小型化、高速化、低消費電力化が求められています。新たな材料や製造技術の開発、AIや機械学習技術を活用した設計手法の進化が、SRAMとROMの設計IPの未来に大きな影響を与えるでしょう。これにより、より高性能で効率的なメモリソリューションが求められるデジタルデバイスにおいても、SRAMとROMの役割はますます重要になっていくと考えられます。


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  • 組み込みFPGAのグローバル市場：EEPROM、アンチヒューズ、SRAM、フラッシュ、その他
  • メモリチップの世界予測（～2030）：ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）、NANDフラッシュ、NORフラッシュ、その他
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    • ※注目の調査資料
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