第1章：序論
1.1. レポートの概要
1.2. 主要市場セグメント
1.3. ステークホルダーにとっての主なメリット
1.4. 調査方法
1.4.1. 一次調査
1.4.2. 二次調査
1.4.3. アナリストツールとモデル
第2章：エグゼクティブサマリー
2.1. CXOの視点
第3章：市場概要
3.1. 市場の定義と範囲
3.2. 主な調査結果
3.2.1. 主要な影響要因
3.2.2. 主要な投資先
3.3. ポーターの5つの力分析
3.3.1. サプライヤーの交渉力：中程度
3.3.2. バイヤーの交渉力：高い
3.3.3. 代替品の脅威：中程度
3.3.4. 新規参入の脅威：中程度
3.3.5. 競争の激しさ：中程度
3.4.市場ダイナミクス
3.4.1. 推進要因
3.4.1.1. TFETデバイスへの多額の投資と開発
3.4.1.2. 民生用電子機器におけるTFETの需要増加

3.4.2. 制約要因
3.4.2.1. TFETデバイスの製造・開発における標準技術の不足

3.4.3. 機会
3.4.3.1. 自動車業界における新しいTFET技術への高い需要

3.5. COVID-19による市場への影響分析
第4章：トンネル電界効果トランジスタ市場（製品タイプ別）
4.1. 概要
4.1.1. 市場規模と予測
4.2. 横方向トンネル効果型
4.2.1. 主要な市場動向、成長要因、および機会
4.2.2. 地域別市場規模と予測
4.2.3. 国別市場シェア分析
4.3. 縦方向トンネル効果型
4.3.1.主要市場動向、成長要因、機会
4.3.2. 地域別市場規模と予測
4.3.3. 国別市場シェア分析
第5章：トンネル電界効果トランジスタ市場（エンドユーザー別）
5.1. 概要
5.1.1. 市場規模と予測
5.2. コンシューマーエレクトロニクス
5.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.2.2. 地域別市場規模と予測
5.2.3. 国別市場シェア分析
5.3. 自動車
5.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.3.2. 地域別市場規模と予測
5.3.3. 国別市場シェア分析
5.4. 産業機器
5.4.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.4.2. 地域別市場規模と予測
5.4.3. 国別市場シェア分析
5.5. 航空宇宙・防衛
5.5.1.主要市場動向、成長要因、機会
5.5.2. 地域別市場規模および予測
5.5.3. 国別市場シェア分析
5.6. その他
5.6.1. 主要市場動向、成長要因、機会
5.6.2. 地域別市場規模および予測
5.6.3. 国別市場シェア分析
第6章：トンネル電界効果トランジスタ市場（地域別）
6.1. 概要
6.1.1. 地域別市場規模および予測
6.2. 北米
6.2.1. 主要動向と機会
6.2.2. 製品タイプ別市場規模および予測
6.2.3. エンドユーザー別市場規模および予測
6.2.4. 国別市場規模および予測
6.2.4.1. 米国
6.2.4.1.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.2.4.1.2.市場規模と予測（製品タイプ別）
6.2.4.1.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.2.4.2. カナダ
6.2.4.2.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.2.4.2.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.2.4.2.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.2.4.3. メキシコ
6.2.4.3.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.2.4.3.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.2.4.3.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.3. ヨーロッパ
6.3.1. 主要な動向と機会
6.3.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.3.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.3.4. 市場規模と予測（国別）
6.3.4.1. 英国
6.3.4.1.1.主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.1.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.3.4.1.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.3.4.2. ドイツ
6.3.4.2.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.2.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.3.4.2.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.3.4.3. フランス
6.3.4.3.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.3.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.3.4.3.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.3.4.4. その他のヨーロッパ諸国
6.3.4.4.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.3.4.4.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.3.4.4.3.市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.4. アジア太平洋地域
6.4.1. 主要トレンドと機会
6.4.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.4.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.4.4. 市場規模と予測（国別）
6.4.4.1. 中国
6.4.4.1.1. 主要市場トレンド、成長要因、機会
6.4.4.1.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.4.4.1.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.4.4.2. 日本
6.4.4.2.1. 主要市場トレンド、成長要因、機会
6.4.4.2.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.4.4.2.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.4.4.3. インド
6.4.4.3.1.主要な市場動向、成長要因、機会
6.4.4.3.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.4.4.3.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.4.4.4. その他のアジア太平洋地域
6.4.4.4.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.4.4.4.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.4.4.4.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.5. LAMEA（ラテンアメリカ・カリブ海地域）
6.5.1. 主要な市場動向と機会
6.5.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.5.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.5.4. 市場規模と予測（国別）
6.5.4.1. ラテンアメリカ
6.5.4.1.1. 主要な市場動向、成長要因、機会
6.5.4.1.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.5.4.1.3.市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.5.4.2. 中東
6.5.4.2.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.4.2.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.5.4.2.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
6.5.4.3. アフリカ
6.5.4.3.1. 主要市場動向、成長要因、機会
6.5.4.3.2. 市場規模と予測（製品タイプ別）
6.5.4.3.3. 市場規模と予測（エンドユーザー別）
第7章：競合状況
7.1. はじめに
7.2. 主要な成功戦略
7.3. 上位10社の製品マッピング
7.4. 競合ダッシュボード
7.5. 競合ヒートマップ
7.6. 2021年における主要プレーヤーのポジショニング
第8章：企業プ​​ロファイル
8.1. stマイクロエレクトロニクス
8.1.1. 会社概要
8.1.2. 主要役員
8.1.3. 会社概要
8.1.4. 事業セグメント
8.1.5. 製品ポートフォリオ
8.1.6. 業績
8.1.7. 主要な戦略的動きと展開
8.2. インフィニオンテクノロジーズ
8.2.1. 会社概要
8.2.2. 主要役員
8.2.3. 会社概要
8.2.4. 事業セグメント
8.2.5. 製品ポートフォリオ
8.2.6. 業績
8.2.7. 主要な戦略的動きと展開
8.3. テキサス・インスツルメンツ社
8.3.1. 会社概要
8.3.2. 主要役員
8.3.3. 会社概要
8.3.4. 事業セグメント
8.3.5. 製品ポートフォリオ
8.3.6. 業績
8.3.7. 主要な戦略的動きと展開
8.4. Avago Technologies (Broadcom Inc.)
8.4.1. 会社概要
8.4.2. 主要役員
8.4.3. 会社概要
8.4.4. 事業セグメント
8.4.5. 製品ポートフォリオ
8.4.6. 業績
8.4.7. 主要な戦略的動きと展開
8.5. Focus Microwaves
8.5.1. 会社概要
8.5.2. 主要役員
8.5.3. 会社概要
8.5.4. 事業セグメント
8.5.5. 製品ポートフォリオ
8.6. Advanced Linear Devices, Inc.
8.6.1. 会社概要
8.6.2. 主要役員
8.6.3. 会社概要
8.6.4. 事業セグメント
8.6.5. 製品ポートフォリオ
8.7. Qorvo, Inc.
8.7.1. 会社概要
8.7.2. 主要役員
8.7.3. 会社概要
8.7.4.事業セグメント
8.7.5. 製品ポートフォリオ
8.7.6. 業績
8.8. Axcera
8.8.1. 会社概要
8.8.2. 主要役員
8.8.3. 会社概要
8.8.4. 事業セグメント
8.8.5. 製品ポートフォリオ
8.9. Deveo Oy
8.9.1. 会社概要
8.9.2. 主要役員
8.9.3. 会社概要
8.9.4. 事業セグメント
8.9.5. 製品ポートフォリオ
8.10. Fairchild Semiconductor International Inc.
8.10.1. 会社概要
8.10.2. 主要役員
8.10.3. 会社概要
8.10.4. 事業セグメント
8.10.5. 製品ポートフォリオ
8.10.6. 業績
8.10.7. 主要な戦略的動きと展開

CHAPTER 1: INTRODUCTION
1.1. Report description
1.2. Key market segments
1.3. Key benefits to the stakeholders
1.4. Research Methodology
1.4.1. Primary research
1.4.2. Secondary research
1.4.3. Analyst tools and models
CHAPTER 2: EXECUTIVE SUMMARY
2.1. CXO Perspective
CHAPTER 3: MARKET OVERVIEW
3.1. Market definition and scope
3.2. Key findings
3.2.1. Top impacting factors
3.2.2. Top investment pockets
3.3. Porter’s five forces analysis
3.3.1. Moderate bargaining power of suppliers
3.3.2. High bargaining power of buyers
3.3.3. Moderate threat of substitutes
3.3.4. Moderate threat of new entrants
3.3.5. Moderate intensity of rivalry
3.4. Market dynamics
3.4.1. Drivers
3.4.1.1. High investments and developments of TFETs devices
3.4.1.2. Growing demand of TFET in consumer electronics

3.4.2. Restraints
3.4.2.1. Lack of standard techniques to produce and develop TFET devices

3.4.3. Opportunities
3.4.3.1. High demand for new TFET technologies in automotive industry

3.5. COVID-19 Impact Analysis on the market
CHAPTER 4: TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR MARKET, BY PRODUCT TYPE
4.1. Overview
4.1.1. Market size and forecast
4.2. Lateral Tunneling
4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.2.2. Market size and forecast, by region
4.2.3. Market share analysis by country
4.3. Vertical Tunneling
4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
4.3.2. Market size and forecast, by region
4.3.3. Market share analysis by country
CHAPTER 5: TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR MARKET, BY END USER
5.1. Overview
5.1.1. Market size and forecast
5.2. Consumer Electronics
5.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.2.2. Market size and forecast, by region
5.2.3. Market share analysis by country
5.3. Automotive
5.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.3.2. Market size and forecast, by region
5.3.3. Market share analysis by country
5.4. Industrial
5.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.4.2. Market size and forecast, by region
5.4.3. Market share analysis by country
5.5. Aerospace and Defense
5.5.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.5.2. Market size and forecast, by region
5.5.3. Market share analysis by country
5.6. Others
5.6.1. Key market trends, growth factors and opportunities
5.6.2. Market size and forecast, by region
5.6.3. Market share analysis by country
CHAPTER 6: TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR MARKET, BY REGION
6.1. Overview
6.1.1. Market size and forecast By Region
6.2. North America
6.2.1. Key trends and opportunities
6.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.3. Market size and forecast, by End User
6.2.4. Market size and forecast, by country
6.2.4.1. U.S.
6.2.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.2.4.2. Canada
6.2.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.2.4.3. Mexico
6.2.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.2.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.2.4.3.3. Market size and forecast, by End User
6.3. Europe
6.3.1. Key trends and opportunities
6.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4. Market size and forecast, by country
6.3.4.1. UK
6.3.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4.2. Germany
6.3.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4.3. France
6.3.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.3.3. Market size and forecast, by End User
6.3.4.4. Rest of Europe
6.3.4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.3.4.4.2. Market size and forecast, by Product Type
6.3.4.4.3. Market size and forecast, by End User
6.4. Asia-Pacific
6.4.1. Key trends and opportunities
6.4.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4. Market size and forecast, by country
6.4.4.1. China
6.4.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4.2. Japan
6.4.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4.3. India
6.4.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.3.3. Market size and forecast, by End User
6.4.4.4. Rest of Asia-Pacific
6.4.4.4.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.4.4.4.2. Market size and forecast, by Product Type
6.4.4.4.3. Market size and forecast, by End User
6.5. LAMEA
6.5.1. Key trends and opportunities
6.5.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.3. Market size and forecast, by End User
6.5.4. Market size and forecast, by country
6.5.4.1. Latin America
6.5.4.1.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.1.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.4.1.3. Market size and forecast, by End User
6.5.4.2. Middle East
6.5.4.2.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.2.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.4.2.3. Market size and forecast, by End User
6.5.4.3. Africa
6.5.4.3.1. Key market trends, growth factors and opportunities
6.5.4.3.2. Market size and forecast, by Product Type
6.5.4.3.3. Market size and forecast, by End User
CHAPTER 7: COMPETITIVE LANDSCAPE
7.1. Introduction
7.2. Top winning strategies
7.3. Product Mapping of Top 10 Player
7.4. Competitive Dashboard
7.5. Competitive Heatmap
7.6. Top player positioning, 2021
CHAPTER 8: COMPANY PROFILES
8.1. st microelectronics
8.1.1. Company overview
8.1.2. Key Executives
8.1.3. Company snapshot
8.1.4. Operating business segments
8.1.5. Product portfolio
8.1.6. Business performance
8.1.7. Key strategic moves and developments
8.2. Infineon Technologies
8.2.1. Company overview
8.2.2. Key Executives
8.2.3. Company snapshot
8.2.4. Operating business segments
8.2.5. Product portfolio
8.2.6. Business performance
8.2.7. Key strategic moves and developments
8.3. Texas Instruments Inc
8.3.1. Company overview
8.3.2. Key Executives
8.3.3. Company snapshot
8.3.4. Operating business segments
8.3.5. Product portfolio
8.3.6. Business performance
8.3.7. Key strategic moves and developments
8.4. Avago Technologies (Broadcom Inc)
8.4.1. Company overview
8.4.2. Key Executives
8.4.3. Company snapshot
8.4.4. Operating business segments
8.4.5. Product portfolio
8.4.6. Business performance
8.4.7. Key strategic moves and developments
8.5. Focus Microwaves
8.5.1. Company overview
8.5.2. Key Executives
8.5.3. Company snapshot
8.5.4. Operating business segments
8.5.5. Product portfolio
8.6. Advanced Linear Devices, Inc.
8.6.1. Company overview
8.6.2. Key Executives
8.6.3. Company snapshot
8.6.4. Operating business segments
8.6.5. Product portfolio
8.7. Qorvo, Inc
8.7.1. Company overview
8.7.2. Key Executives
8.7.3. Company snapshot
8.7.4. Operating business segments
8.7.5. Product portfolio
8.7.6. Business performance
8.8. Axcera
8.8.1. Company overview
8.8.2. Key Executives
8.8.3. Company snapshot
8.8.4. Operating business segments
8.8.5. Product portfolio
8.9. Deveo Oy
8.9.1. Company overview
8.9.2. Key Executives
8.9.3. Company snapshot
8.9.4. Operating business segments
8.9.5. Product portfolio
8.10. Fairchild Semiconductor International Inc.
8.10.1. Company overview
8.10.2. Key Executives
8.10.3. Company snapshot
8.10.4. Operating business segments
8.10.5. Product portfolio
8.10.6. Business performance
8.10.7. Key strategic moves and developments

※参考情報 トンネル電界効果トランジスタ（Tunnel Field Effect Transistor、TFET）は、次世代のトランジスタ技術として注目されています。従来のフィールド効果トランジスタ（FET）に比べて、低電圧で動作できる特性を持ち、そのため超低消費電力のデバイスに多くの応用が期待されています。TFETは量子トンネル効果を利用しており、これによりエネルギー障壁を克服することができ、高いスイッチング速度を持つことが特徴です。 TFETの基本的な動作原理は、ソースとドレイン間に電界を印加することによって、電子がバンドギャップをトンネルすることで行われます。このトンネル効果により、従来のトランジスタよりも少ないエネルギーでオン・オフのスイッチングが可能になります。TFETは通常、p型半導体とn型半導体の構造を持ち、バイポーラ効果を併用することで、低い電圧でも高い性能を引き出すことができます。 TFETにはいくつかの種類があります。まずは、垂直型TFETと水平型TFETがあります。垂直型TFETは、電流がソースからドレインに垂直に流れる構造を持ち、デバイスの薄型化が進められています。一方、水平型TFETは、電流がソースとドレインの間で水平方向に流れる構造を持ち、高い集積度が可能です。また、TFETの材料としては、シリコン以外にも、酸化物半導体や二硫化モリブデン（MoS2）などの2次元材料が研究されています。 TFETの主な用途は、特に低消費電力が要求される分野での利用です。例えば、IoTデバイスやバッテリー駆動の電子機器での利用が考えられています。また、TFETは高周波におけるスイッチング特性に優れているため、無線通信や高速デジタル回路にも適しています。さらに、計算機の集積回路においても、消費電力を抑えつつ高性能を実現することが期待されており、次世代プロセッサやメモリデバイスへの応用も進んでいます。 TFETの関連技術としては、トンネル効果に基づくトランジスタのさらなる進化が挙げられます。例えば、トンネルバリアを適切に調整することで、デバイスの性能を向上させる研究が行われています。また、TFETと他のデバイス（例：バイポーラトランジスタやMOSFET）を組み合わせることで、ハイブリッドアプローチが模索されています。このような技術革新によって、TFETはますます多様な応用が可能となります。 TFETはいくつかの利点を持ちますが、課題も少なくありません。一つは、製造プロセスの複雑さです。TFETは新しい材料や構造を必要とするため、従来の半導体製造プロセスとの互換性が課題となっています。また、ドレイン電流の飽和特性や温度による影響なども、さらに研究が必要な分野です。しかし、TFET技術の発展によって、これらの課題も解決される可能性があります。 今後、TFETの商業化が進むことで、より効率的なエレクトロニクスの実現が期待されます。特に持続可能な社会を目指す上で、低消費電力デバイスの重要性が増す中で、TFETはそのニーズに応える鍵となる技術です。最終的には、私たちの生活を支えるさまざまな機器において、TFETが重要な役割を果たすことになるでしょう。TFETはその革新性と応用可能性から、今後の半導体デバイスの研究と開発の中核となることが予想されます。

*** 免責事項 ***
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